专利名称：回转仪感测器、系统及用于形成回转仪感测器结构的方法
技术领域：
本发明大致上是有关于微机电系统(MEMS)的领域，且特别是有关于一种系统、回 转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。
背景技术：
—种现有习知的微机电系统的回转仪，由两个部分所构成，其中这两部分可相 对于一定子(stator)移动，且这两个部分彼此耦合，而具有相对的自由度。这两个可 移动的部分皆电容式耦合于定子。两个部分的其中之一是用于驱动且在一共振频率 (resonance frequency)下保持振荡。另一部分是沿着振荡方向移动，而在微结构以一角 速度且相对于预设回旋轴的转动下，对此另一部分施加与其本身的角速度成比例的科氏力 (Coriolisforce)。在实务上，操作遭驱动的部分来作为加速度计(accelerometer)，加速度 计可侦测科氏力与加速度，而因此可反推算出角速度。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种新的回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪 感测器的结构的制造方法，所要解决的技术问题是使其因受到外力所造成的误差能得到修 正。 本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出 的一种回转仪感测器，其包含一回转盘；一第一光源，是配置用以提供一第一光束，该第 一光束邻近于该回转盘的一第一边缘；以及一第一光接收器，是配置用以接收该第一光束， 以感测该回转盘在一第一方向的一振动。 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的回转仪感测器，其还包含一第二光源，是配置用以提供一第二光束，该第
二光束邻近于该回转盘的一第二边缘，其中该第二光束平行于该第一光束；以及一第二光
接收器，是配置用以接收该第二光束，以感测该回转盘在一第二方向的一振动，其中该第二
方向垂直于该第一方向。 前述的回转仪感测器，其还包含一第三光源，是配置用以提供一第三光束，该第 三光束邻近于该回转盘的一表面，其中该第三光束垂直于该第一光束；以及一第三光接收 器，是配置用以接收该第三光束，以感测该回转盘在一第三方向的一振动，其中该第三方向 垂直于该第一方向。 前述的回转仪感测器，其还包含一框环绕该回转盘，其中一光通道介于该框与该
回转盘的该第一边缘之间，且该光通道具有一宽度，该宽度等于或大于该第一光束的波长。 前述的回转仪感测器，其中所述的光通道是连续延伸环绕该回转盘。 本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的
一种回转仪感测系统，其包含一回转仪感测器及一处理单元。该回转仪感测器是上述的任
一一种回转仪感测器。该处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的回转仪感测系统，于其还包含一直流电源，是耦接于该回转盘；以及一交
流电源，是耦接于该框，其中该直流电源与该交流电源配置用以提供该回转盘的一振荡振动。 前述的回转仪感测系统，其还包含一定子耦合于该回转盘及该框，以提供一振荡 振动。 本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提 出的一种用以形成回转仪感测器结构的方法，其包括以下步骤形成一回转盘，至少一第一 光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光 束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的制造方法，其还包含形成至少一第二光通道于该框内，其中该至少一第
二光通道提供一第二光束一路径，该第二光束被感应以决定该回转盘在一第二方向的一振
动，其中该第二方向垂直于该第一方向。 前述的制造方法，其中形成与该框分隔的该回转盘的步骤包含经由一基材中的 至少一通道，移除一介电质的至少一部分，其中该介电质介于该回转盘与该基板之间。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明 回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法至少具有下列优点 及有益效果 1.相较于现有技术需使用到大量屏蔽层，形成本发明的回转仪仅需要至少六层的 屏蔽层。 2.相较于现有技术利用至少三个次像素来感测回转仪X轴、回转仪Y轴、回转仪Z 轴的共振的现有习知电容式回转仪，本发明的回转仪传感器的面积可获得所需的縮减。
3.藉由光路的改变来修正外力所造成的误差，而达到相当精确的定位精度。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够 更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1A是一种包含示范回转仪感测器的系统的示意图。 图1B是沿着图1A的剖面线1B-1B的剖视示意图。 图2A是施加于回转盘的小柯氏力的示意图。 图2B是施加于阻挡光路径的回转盘的柯氏力示意图。 图2C是一种示范的三维回转仪座标系统。 图2D是一种包含二个次像素的示范回转仪感测器的示意图。 图3A-图3H是形成回转仪感测器的回转盘与框的示范制造过程的剖视图。 100 :系统 101a、101b :次像素 109a:第一边缘 109c :表面
110b :框llla、113、175 :通:130、140、150 :光源135 :基板165、 167 :电极169 :直流电源302 :基板310 :材料层310b :框313 :通道320、320a :介电质a、b :足巨离101 :回转仪感测器102a :基板109b :第二边缘110a :回转盘111 :部分120a :介电质131、141、151 :光束155U60 :光接收器168 :交流电源170 :处理单元302a :薄化基板310a :回转盘312 :凹槽314 :电介质365、367 :电极
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合 附图及较佳实施例，对依据本发明提出的回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感 测器的结构的制造方法其具体实施方式
、结构、制造方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。 需强调的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示，且目的仅是用以说 明。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的数量及尺寸都可任意地增加或减少。
以上所描述的习知电容式回转仪具有至少三个次像素，以侦测三个陀螺轴(例如 X、 Y及Z轴)上的电容变化。具有这三个次像素的回转仪需要有一个二极管区域(diode area)。再者，由于电容式回转仪的电容有不同的配置，因此用以感测不同回转仪轴向，例如 X及Z轴的科氏力的结构是不同的。因此，形成习知的回转仪需用到大量的遮罩层(mask layer)。 根据上述，需要回转仪感测器、包含回转仪感测器的系统、及其操作方法与其制造 方法。 可以理解的是，以下的揭露提供实施本发明不同特征的许多不同的实施例或例 子。以下所描述的组件或安排的特定实施例是为了简化本发明。当然，这些实施例仅为例 子而并非用以限定本发明。例如，在描述中，第一特征形成于第二特征的上方或之上，可能 包含了第一与第二特征是以直接接触的方式形成的实施例，也可能包含有额外特征形成于 第一与第二特征之间的实施例，使得第一与第二特征可以不是直接接触。此外，本揭露可能 在不同实施例中重复元件标号及/或符号。这样的重复只是为了简化及清楚的目的，而其 本身并不是用以表示所讨论的不同实施例及/或配置之间的关系。 本发明的实施例是有关于利用侦测光信号的回转仪感测器、回转仪感测系统以及 用于回转仪感测器的结构的制造方法，其中此光信号是对应于因科式力所产生的光束的波 相变化。回转仪感测器可包含第一光源，配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘。第一光接收器可配置用以接收第一光束，以感测回转盘在第一方向的振动。以 下描述为本发明的各种示范实施例。本发明的范围并不为这些示范实施例所限制。
图1A是一种包含示范回转仪感测器的系统的示意图。图IB是沿着图1A的剖面 线1B-1B的剖视示意图。在图1A中，回转仪感测系统100可以包含回转仪感测器101以及 处理单元170。系统100可以是运输工作飞行系统、数码相机、全球定位系统、无线通讯系 统、电脑相关周边设备、游戏装置或包含回转仪的系统。回转仪感测器101可为光学回转仪 感测器。处理单元170可耦合至回转仪感测器101，以处理回转仪感测器101所感测到的振 动。处理单元170可包含中央处理系统(CPU)、信号处理单元、光学信号处理单元、其它处理 单元及/或其组合。 在一些实施例中，回转仪感测器101可包含回转盘110a，至少一光源，例如光源 130、 140及150，以及至少一光接收器，例如光接收器155及160。光源130可配置用以提供 光束131，光束131邻近于回转盘110a的第一边缘109a。光接收器155可配置用以接收光 束131，以感测回转盘110a在第一方向(例如预定的回转仪X轴方向)的振动。光源140 可配置用以提供光束141，光束141邻近于回转盘110a的第二边缘109b，其中光束141可 实质上平行于光束131。光接收器155可配置用以接收光束141，以感测回转盘110a在第 二方向(例如预定的回转仪Y轴方向)的振动。在一些实施例中，光源130及140可设置 于基板135上。在其它实施例中，光源130及140可设置于不同基板上。光源150可配置 用以提供一光束151，光束151邻近于回转盘110a的表面109c，且实质上垂直于光束131。 光接收器160可配置用以接收第一光束151，以感测回转盘110a在第三方向(例如预定的 回转仪Z轴方向)的振动。值得注意的是，上述光源及光接收器的配置与数量仅仅只是作 为范例。本发明的范围并不受限于上述。 在一些实施例中，回转盘110a可包含至少一材料，例如硅、锗、其它与介电质120a 的材料具有不同蚀刻选择率的材料、及/或其任意组合。在一些实施例中，回转盘110a的 俯视图形可例如是圆形、椭圆形、正方形、长方形或其它适合的图形。回转盘110a可以包含 耦接于电极165的部分111。部分111可包含至少一通道，例如图1B所示的通道llla。通 道llla可提供光束151可通过的路径。在一些实施例中，两邻近通道llla的夹角可为约 30度、45度或其它适合的角度。在此领域中具有通常知识者可修改通道llla的数量及角 度，且本发明的范围并不受限于图1B所示的图式。 光源130U40及/或150可以是激光二极管、发光二极管、红外线发光器、X光发
光器、其它光源及/或其组合物。光接收器155及/或160可包含感应器、光感应器、互补
式金氧半导体感应器、其它在此光束的波长基础上可接收此光束的感应器。 请参照图1A，回转仪感测器101可包含基板102a。基板102a可包含光束131及
141的至少一通道113。在一些实施例中，基板102a可包含元素半导体，其包含单晶结构、
多晶结构或非晶结构的硅或锗；化合物半导体包含碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化
铟及锑化铟；合金半导体包硅锗(SiGe)、磷化砷镓(GaAsP)、砷化铝铟(AlInAs)、砷化铝镓
(AlGaAs)、砷化铟镓(GalnAs)、磷化镓铟(GalnP)及砷磷化镓铟(GalnAsP);其它合适的材
料或其组合物。在一实施例中，合金半导体基板可具有梯度硅锗特征，其中硅跟锗的组成由
梯度硅锗特征的一个位置的一比率改变到另一个位置的另一个比率。在另一实施例中，硅
锗合金形成于硅基板上。在另一实施例中，硅锗合金基板是经应变的。
请参照图1A，至少一介电质120a可设置于基板102a上。介电质120a可支撑回 转盘110a及框llOb，并分开回转盘110a及框110b与基板102a。在一些实施例中，介电质 120a可包含一材料，例如氧化物、氮化物、氮氧化物、其它具有与基板102a材料的蚀刻选择 率不同的介电质、及/或其组合物。 回转仪感测器101可包含框llOb，其中可将框110b设置成环绕回转盘llOa。框 llOb可藉由介电质120a而与基板102a分隔。框110b可包含至少一通道，例如图IB所示 的数个通道175。这些通道175可提供光束151可通过的路径。在一些实施例中，通道175 可对应至通道llla，以使得光束151可通过框110b以及回转盘110a的部分111。在一些 实施例中，框110b可包含至少一材料，例如硅、锗、其它与介电质120a的材料具有不同蚀刻 选择率的材料、及/或上述材料的任何组合物。在其它实施例中，框110b与回转盘110a具 有相同的材料。在此领域中具有通常知识者可修改通道175的数量，且本发明的范围并不 受限于图IB所示的图式。 在第1A图中，至少一通道113可位于回转盘110a与框110b之间，以供光束131 及141通过。例如，通道113的宽度可约等于或大于光束131的波长。在一些实施例中，通 道113可连续延伸环绕回转盘110a(如图IB所示)。在其它实施例中，通道113可包含数 个穿孔，这些穿孔可供光束131及141通过。 请参照图IA，电极165及167可分别设置于回转盘110a及框110b上。电极165 可耦接至直流电源169以进行操作。电极167可耦接至交流电源168以进行操作。可操作 交流电源168与直流电源169，来提供频率介于约3kHz至约30kHz的振荡振动。电极165 及/或167可包含至少一材料，例如多晶硅、金属材料、其它导电材料、及/或上述材料的组 合物。在一些实施例中，电极165及167可耦接至一定子，以提供振荡振动。
在一些实施例中，可组装回转仪感测器101，以使光束131U41及151通过充满空 气的通道113、llla及175。在其它实施例中，可组装回转仪感测器101，并将通道113、llla 及175充满惰性气体(例如氮气、贵重气体、及/或上述气体的组合物)。在另一些其它实 施例中，回转仪感测器101中的压力可约几托(torr)，例如约1托。在此领域中具有通常知 识者可选择惰性气体或修改压力，以获得所需的回转仪感应器。 以下是描述包含回转仪感测器的系统的示范操作方法。图2A是施加于回转盘的 小柯氏力的示意图。图2B是施加于阻挡光路径的回转盘的柯氏力示意图。图2C是一种示 范的三维回转仪座标系统。在图2C中，假设直接朝向观看者的回转仪的X轴是代表回转盘 在一正常振荡振动的移动方向，那么回转仪的Z轴代表垂直于回转盘的轴向，而回转仪的Y 轴代表的方向是当回转仪的Z轴逆时针的转动时，施加于回转盘的柯氏力的方向。图2A和 图2B与图1A中相同的元件，以相同的标号来标示。 在图2A中，光源130可提供光束131，光束131是由光接收器155所接收。在一正 常振荡振动期间，回转盘110a可沿着回转仪的X轴移动。假如回转仪的Z轴遭到转动或小 小的逆时针转动，在回转仪y轴方向上不产生柯氏力或仅产生小柯氏力。例如，作用于回转 仪Z的逆时针转动太小，使得产生在回转仪Y轴的小柯氏力施加于回转盘110a上，而将回 转盘110a沿着Y轴移动了一个距离"a"。由于这距离"a"太小，使得回转盘110a实质上无 法阻挡光束131的路径，光接收器155仍然可接收光束131及/或无法感测到光束131的 相的实质改变。由于光束131的相实质上并没有改变，因此处理单元170(显示于图1A中)不用处理接收到的光信号，也不用告知系统100承受了在回转仪Z轴方向的逆时针转动。
在一些实施例中，系统100，例如数码相机，具有回转盘110a，其中回转盘110a在 回转仪X轴方向具有正常的振荡振动。假如数码相机遭受一外力，例如手的摇动，回转盘 110a的回转仪Z轴方向可能会遭受一个如图2C所示的逆时针方向转动。由于回转仪Z轴 方向的逆时针方向转动，会产生一个柯氏力，此柯氏力施加于回转盘llOa的回转仪Y轴方 向，而将回转盘110a沿着回转仪Y轴方向移动了一个距离"b"(显示于图2B中)。移动的 距离"b"会造成回转盘110a阻挡及/或改变光接收器155所接收到的光束131的相。在 接收光束131的波相改变的信号后，处理单元170(显示于图1A中)可处理此信号，而通知 数码相机遭受到外力、及/或控制数码相机来补偿此柯氏力。 值得注意的是，光源130及光接收器155可以监测回转盘110a在回转仪X轴方向 上的一规律震荡振动期间，是否遭受任何的柯氏力，光源140及光接收器155可以监测回转 盘110a在回转仪Y轴方向的一规律震荡振动期间，是否遭受任何的柯氏力，而光源150及 光接收器160可以监测回转盘110a在回转仪Z轴方向上的一规律震荡振动期间，是否遭受 任何的柯氏力。在一些实施例中，光源130、150及光接收器155、160可同时操作，以监测在 次像素101a(显示于图2D中)中回转仪X轴及Z轴上的任何柯氏力的共振。光源140U50 及光接收器155、160可同时操作以监测在次像素101a(显示于图2D中)中回转仪Y轴及 Z轴上的任何柯氏力的共振。回转仪感测器101可仅只包含两个次像素101a及101b，以感 测三个预定回转仪轴向的任何柯氏力。相较于具有至少三个次像素来感测回转仪X轴、回 转仪Y轴、回转仪Z轴的共振的习知电容式回转仪，回转仪感测器101的面积可获得所需的 縮减。 图3A-图3H是形成回转仪感测器的回转盘与框的示范制造过程的剖视图。在图 3A中，可形成介电质320以及材料层310，例如硅层，在基板302上。介电质320与材料层 310的材料可分别相同于前述结合图1A所描述的介电质120a与回转盘110a的材料。材料 层310及介电质320可由，例如化学气相沉积(CVD)工艺来加以制造。在一些实施例中，图 3A所示的结构可以是绝缘层上有硅(Silicon-on-insulator ;SOI)结构。介电质320的厚 度可介于约1. 5微米(ii m)至约2微米(ii m)之间。材料层310的厚度可介于约20微米 到约40微米之间，例如30微米。 请参照图3B，可移除部分的材料层310，以定义出包含数个通道(未绘示)的凹槽 312。这些通道可与前述结合图1B所描述的通道11 la及175相同。凹槽312的深度可约5微 米或更小。在一些实施例中，制作凹陷312时，可包含利用光学微影(photolithographic) 工艺来图案化材料层310，蚀刻材料层310(例如藉由使用干蚀亥lJ、湿蚀刻及/或等离子蚀刻 工艺)，以及接着移除光阻。在其它实施例中，光学微影工艺、蚀刻工艺及移除工艺都可重复 的进行或省略，以获得所需的结构。 在图3C中，可移除材料层310多余的部分，以在回转盘310a与框310b之间定义 出至少一通道312a。图3C中的元件使用了与图1A中的相同元件相同的数字，但数字增加 了 200。在一些实施例中，通道312a的制造方法可包含藉由光学微影工艺来图案化材料层 310，蚀刻材料层(藉由使用干蚀刻、湿蚀刻及/或电浆蚀刻工艺)，以及接着移除光阻。在 其它实施例中，光学微影工艺、蚀刻工艺及移除工艺都可重复的进行或省略，以获得所需的 结构。在一些实施例中，在回转盘110a中形成数个洞(未绘示)。这些洞的形成，可提供移除介电质320的路径。 在图3D中，可形成介电质314于凹槽312与通道312a中(显示于图3C中)。介 电质314可包含至少一材料，例如氧化物、氮化物、氮氧化物、其它具有与回转盘310a的材 料的蚀刻选择率不同的介电质。在一些实施例中，介电质314的形成可藉由使用化学气相 沉积工艺、例如化学机械研磨法(CMP)及/或蚀刻工艺等移除工艺、清洁工艺、及/或上述 工艺的组合。在一些实施例中，回转盘310a与介电质314可具有一实质平坦的表面。
在图3E中，电极365及367可分别形成于回转盘310a与框310b上。电极365及 367可分别相同于结合图1A所描述的电极165及167。在一些实施例中，电极365的宽度 可介于约1微米至约2微米之间，例如约2微米。在一些实施例中，电极365及367的制作 可包含形成一电极材料层(例如使用化学气相沉积工艺)，藉由光学微影工艺来图案化电 极材料层，蚀刻电极材料层(例如藉由使用干蚀刻、湿蚀刻及/或电浆蚀刻工艺)，以及接着 移除光阻。在其它实施例中，光学微影工艺、蚀刻工艺及移除工艺都可重复的进行或省略， 以获得所需的结构。 在图3F中，可将基板302薄化，以提供薄化基板302a。薄化基板302a可具有一较 薄的厚度，可有利于通道形成于其中。薄化工艺可例如包含背磨工艺、蚀刻工艺、研磨工艺 程、及/或上述工艺的任意组合。在一些实施例中，若所需通道可形成于基板302内，就可 省略薄化工艺。 请参照图3G，可形成至少一通道(例如通道313)在薄化基板302a中，以暴露出介 电质320。在一些实施例中，通道313可对应于通道312a(绘示于图3C中)。通道313的 宽度可约等于或者大于通过通道313的光束的波长。在一些实施例中，通道313的制作可 包含藉由光学微影工艺来图案化薄化基板302a，蚀刻薄化基板302a(例如，藉由使用干蚀 刻、湿蚀刻及/或电浆蚀刻工艺)，以及接着移除光阻。在其它实施例中，光学微影工艺、蚀 刻工艺及移除工艺都可重复的进行或省略，以获得所需的结构。 请参照图3H，可移除部分的介电质320 (如图3G所示)，以形成介电质320a，藉此 将回转盘310a与基板302a隔开。图3H中的元件使用了与图1A中的相同元件相同的数字， 但数字增加了 200。移除工艺可包含，例如具有对介电质320与回转盘310a有所需蚀刻选 择率的湿蚀刻工艺。移除工艺可如预期地移除部分介电质320而不会蚀刻回转盘310a。在 一些实施例中，介电质320可包含氧化硅，且移除工艺可使用包含稀释氢氟酸的溶液。
在形成如图3H所示的结构后，可将此结构与至少一光源及至少一光接收器组装 成所需的回转仪感测器，如同结合图1A中所描述的回转仪感测器101。可进一步将回转仪 感测器与电源以及至少一处理单元组装成一系统，如同结合图1A中所描述的系统100。
值得注意的是，上述结合图3A至图3H图式所描述的制造过程所形成用于回转仪 感测器的结构(如图3H所示)可与光源130、140及150组装。相较于形成不同结构于习 知电容式回转仪以感测回转仪X轴及回转仪Y轴方向的科氏力的制造过程，上述结合图3A 至图3H所描述的制造过程可符合需求地简化。在一些实施例中，仅使用六层的遮罩，即可 从图3A的结构形成为图3H的结构。 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽 然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人 员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的 技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案 的范围内。
权利要求
一种回转仪感测器，其特征在于其包含一回转盘；一第一光源，是配置用以提供一第一光束，该第一光束邻近于该回转盘的一第一边缘；以及一第一光接收器，是配置用以接收该第一光束，以感测该回转盘在一第一方向的一振动。
2. 根据权利要求1所述的回转仪感测器，其特征在于其还包含一第二光源，是配置用以提供一第二光束，该第二光束邻近于该回转盘的一第二边缘， 其中该第二光束平行于该第一光束；以及一第二光接收器，是配置用以接收该第二光束，以感测该回转盘在一第二方向的一振 动，其中该第二方向垂直于该第一方向。
3. 根据权利要求2所述的回转仪感测器，其特征在于其还包含一第三光源，是配置用以提供一第三光束，该第三光束邻近于该回转盘的一表面，其中 该第三光束垂直于该第一光束；以及一第三光接收器，是配置用以接收该第三光束，以感测该回转盘在一第三方向的一振 动，其中该第三方向垂直于该第一方向。
4 根据权利要求1所述的回转仪感测器，其特征在于其还包含一框环绕该回转盘，其 中一光通道介于该框与该回转盘的该第一边缘之间，且该光通道具有一宽度，该宽度等于 或大于该第一光束的波长。
5. 根据权利要求4所述的回转仪感测器，其特征在于其中所述的光通道是连续延伸环 绕该回转盘。
6. —种回转仪感测系统，其特征在于其包含 一回转仪感测器，包含一回转盘；一第一光源，是配置用以提供一第一光束，该第一光束邻近于该回转盘的一第一边缘；及一第一光接收器，是配置用以接收该第一光束，以感测该回转盘在一第一方向的一振 动；以及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于 该回转盘在该第一方向的该振动。
7. 根据权利要求6所述的回转仪感测系统，其特征在于其中所述的回转仪感测器还包含一第二光源，是配置用以提供一第二光束，该第二光束邻近于该回转盘的一第二边缘， 其中该第二光束平行于该第一光束；以及一第二光接收器，是配置用以接收该第二光束，以感测该回转盘在一第二方向的一振 动，其中该第二方向垂直于该第一方向。
8. 根据权利要求7所述的回转仪感测系统，其特征在于其中所述的回转仪感测器还包含一第三光源，是配置用以提供一第三光束，该第三光束邻近于该回转盘的一表面，其中该第三光束垂直于该第一光束；以及一第三光接收器，是配置用以接收该第三光束，以感测该回转盘在一第三方向的一振 动，其中该第三方向垂直于该第一方向。
9. 根据权利要求6所述的回转仪感测系统，其特征在于其中所述的回转仪感测器还包 含一框环绕该回转盘，其中一光通道介于该框与该回转盘的该第一边缘之间，且该光通道 具有一宽度，该宽度等于或大于该第一光束的波长。
10. 根据权利要求9所述的回转仪感测系统，其特征在于其中所述的光通道是连续延 伸环绕该回转盘。
11. 根据权利要求9所述的回转仪感测系统，其特征在于其还包含 一直流电源，是耦接于该回转盘；以及一交流电源，是耦接于该框，其中该直流电源与该交流电源配置用以提供该回转盘的 一振荡振动。
12. 根据权利要求9所述的回转仪感测系统，其特征在于其还包含一定子耦合于该回 转盘及该框，以提供一振荡振动。
13. —种用以形成回转仪感测器结构的方法，其特征在于其包括以下步骤 形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于其还包含 形成至少一第二光通道于该框内，其中该至少一第二光通道提供一第二光束一路径， 该第二光束被感应以决定该回转盘在一第二方向的一振动，其中该第二方向垂直于该第一 方向。
15. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于其中形成与该框分隔的该回转盘的步骤包含经由一基材中的至少一通道，移除一介电质的至少一部分，其中该介电质介于该回转 盘与该基板之间。
全文摘要
本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的振动。该回转仪感测系统包括，该回转仪感测器及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。该用于形成回转仪感测器结构的方法，包括形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
文档编号G01H9/00GK101776476SQ20091017163
公开日2010年7月14日 申请日期2009年9月1日 优先权日2009年1月12日
发明者吴汀淏, 彭荣辉, 李久康, 蔡尚颖, 郑创仁 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司