专利名称：断面研磨校准用样品固定器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体加工设备，具体涉及一种断面研磨校准用 样品固定器。
背景技术：
在半导体失效分析领域的样品制备过程中，需要对样品进行校准。目
前使用的校准方法是，将样品2粘贴在研磨座1上，如
图1所示，使样品 2的下表面水平，然后将研磨座1固定于扫描电镜上进行样品观察。常用 的研磨座l表面光滑，为椭圆形柱状结构，高12mm、宽10ram、厚度8mm， 中心开有直径5mm的螺纹孔。由于硅晶格生长是以纵横90°排列的，所 以通常的裂片都呈水平或垂直。因此采用这种校准方法，能够实现对样品 2的水平下表面进行校准。
但是随着半导体生产工艺的改进，某些器件制造是与硅晶格呈45° 角生长的，如图2所示，因此裂片后只能看到纵横90°的断面形貌，无 法看到与之垂直的断面工艺形貌。为了对样品进行45°校准，现有的方 法是将硅片旋转45。角，使样品的生长方向(即图标3的方向)与晶格的 生长方向一致，如图3所示，再通过研磨校准到45°才能得到准确的图 形。而硅片的旋转角度只有通过目测来校准，因此样品需要反复粘贴，这 种校准方法效率低，校准效果差
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种断面研磨校准用样品固 定器，它可以提升研磨校准速度和校准效果。
为解决上述技术问题，本实用新型断面研磨校准用样品固定器的技术 解决方案为
包括M形金属片，所述M形金属片的左右角之间的夹角为90。。 所述M形金属片上设有三个连接孔。 所述M形金属片的两个顶角分别为90。。 所述M形金属片的左右角分别为45。。 所述M形金属片长10mm、宽10mm、厚lmm。 本实用新型可以达到的技术效果是
本实用新型可快速、高效地将与晶格呈45°的样品粘贴固定于研磨 座上，对样品实施与晶格排列呈45°器件研磨；同时能够准确地使样品 的角度定位，避免因角度偏差造成的反复粘贴，而无需反复粘贴校准，对 研磨速度和效果的提升有很大帮助。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明 图1是现有技术样品与研磨座的连接示意图； 图2是硅片上晶格与图标之间呈45。角的示意图； 图3是将硅片旋转45°角后图标与晶格的相对方向示意图； 图4是本实用新型断面研磨校准用样品固定器的结构示意图； 图5是本实用新型的使用状态示意图。 图中附图标记说明-l为研磨座， 2为样品， IO为M形金属片，
ll为连接孔， 3为图标， A为金属片的顶角，
B为金属片的左右角，C为金属片的左右角之间的夹角。
具体实施方式
如图4所示，本实用新型断面研磨校准用样品固定器，包括M形金属 片10，金属片10长10mm、宽10mm、厚lmm， M形金属片10的两个顶角A 为90° ，左右角B为45。，左右角之间的夹角C为90。。
M形金属片10上设有三个连接孔11。 M形金属片10的夹角C中心上 方lmm处设置第一连接孔，直径2. 5mm; M形金属片10上部设有第二、第 三连接孔，该两孔距顶边lmm，距左右边线4mm，直径lmm。
研磨座1的对应位置设有三个相同的孔。
本实用新型通过三点固定于研磨座1上，使本实用新型与研磨座1 能紧密粘合。
本实用新型用于对与晶格排列呈45°角的生长器件的研磨校准，硅 片厚度通常为0. 33mm 0. 73mm。
使用时，通过三个连接孔ll将本实用新型固定于研磨座l上，并使 M形金属片10的顶边与研磨座1的顶边对齐；再根据晶格方向将硅片切 割成10X 10mm正方形样品，并将样品2的其中一角直接插入M形金属片 10的90°夹角中，如图5所示，然后将样品2用胶水固定于研磨座1上， 对样品2进行研磨，即可得到与晶格排列呈45。生长器件的标准图形。
本实用新型用于PMOS的产品开发中的样品研磨。
权利要求1.一种断面研磨校准用样品固定器，其特征在于包括M形金属片，所述M形金属片的左右角之间的夹角为90°。
2. 根据权利要求1所述的断面研磨校准用样品固定器，其特征在于: 所述M形金属片上设有三个连接孔。
3. 根据权利要求1所述的断面研磨校准用样品固定器，其特征在于:所述M形金属片的两个顶角分别为90。。
4. 根据权利要求1所述的断面研磨校准用样品固定器，其特征在于: 所述M形金属片的左右角分别为45e 。
5. 根据权利要求1所述的断面研磨校准用样品固定器，其特征在于:所述M形金属片长lOmm、宽10mm、厚lram。
专利摘要本实用新型公开了一种断面研磨校准用样品固定器，包括M形金属片，所述M形金属片的左右角之间的夹角为90°。所述M形金属片上设有三个连接孔。本实用新型可快速、高效地将与晶格呈45°的样品粘贴固定于研磨座上，对样品实施与晶格排列呈45°器件研磨；同时能够准确地使样品的角度定位，避免因角度偏差造成的反复粘贴，而无需反复粘贴校准，对研磨速度和效果的提升有很大帮助。本实用新型用于PMOS的产品开发中的样品研磨。
文档编号G01N1/28GK201413264SQ20092007407
公开日2010年2月24日 申请日期2009年6月11日 优先权日2009年6月11日
发明者莺 裘 申请人:上海华虹Nec电子有限公司