专利名称：一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法
技术领域：
本发明涉及半导体硅抛光片的检测领域，特别涉及一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法。
背景技术：
硅抛光片表面金属离子的测试是为了满足半导体行业不断缩小的特征尺寸和不断增加的元件密度而产生的。在半导体元器件生产过程中引入的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低，特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷，例如碱金属与碱土金属 (Li, Na, K, Ca, Mg, Ba等)污染可导致元件击穿电压的降低；过渡金属与重金属(Fe， Cr, Ni, Cu，Mn, 1 等)污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时的暗电流增大。作为加工器件的原材料，硅抛光片表面的金属离子将直接影响器件加工的合格率。目前，各大半导体厂商使用如下方法进行金属离子的测定
首先，利用化学气相分解方法，使硅抛光片在雾化的氢氟酸环境中将表面上的自然氧化层去除，使其表面形成裸露的硅。然后，立即使用一滴(约Iml)萃取液扫过表面上的所有面积。最后，使用ICPMS等元素分析仪器测试液滴中金属离子的含量。常规分析中使用的萃取液是氢氟酸(HF)、双氧水(H202)和硝酸(HN03)按照一定比例稀释形成的，该萃取液对于Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Co、Ni、Cr、Mn、Cu、Zn等常规半导体加工中引用的金属离子能够获得较好的回收效果。 表1 常规金属离子回
权利要求
1. 一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，其特征在于，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，使钼Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率大于70%，所述萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；其化学反应式为Au + HNO3 + 4HC1 = H [AuCl4] + NO 个 + 2H20 3Pt + 4HN03 + 18HC1 = 3H2 [PtCl6] + 4N0 个 + 8H20 Ag+HN03+HCl=AgCl+N02+H20 2HN03+12HCl+3Pd==2N0+3H2PdCl4+4H20所述高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法包括如下步骤 选择高纯化学品硝酸HN03日本多摩化学68% IOppt ； 盐酸HCl日本多摩化学20% IOppt ；选择超纯水制备设备型号Milli-Q AlO with Qpod Element水质电阻率>18. 2ΜΩ. cm T0C<5ppb ；使用天平和取液枪配制最终浓度为硝酸1%和盐酸3%的萃取液，萃取液浓度偏差不应高于10% ；使用全自动化学气相分解配合电感耦合等离子体质谱仪，设定化学气相分解时间为 300s，扫描速度为lOmm/s，扫描间距10mm，扫描区域边缘去除为Omm，萃取液体积为IOOOuL, 进行测试及回收率分析；根据上述方法测试5英寸、6英寸和8英寸硅抛光片表面贵金属的回收率可以达到 Au>78%, Pd>75%, Pt>85%, Ag>70%。
全文摘要
本发明涉及一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；采用新型萃取液，能够解决原有萃取液对于硅抛光片表面贵金属回收率低的问题，使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率达到了70%以上，提高硅抛光片表面贵金属测试的稳定性，从而满足对于硅抛光片表面贵金属离子的测试要求。
文档编号G01N27/62GK102520054SQ20111042055
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者吕宁, 吕莹, 李翔, 王国瑞 申请人:天津中环领先材料技术有限公司