专利名称：磁阻自旋阀层系统的制作方法
技术领域：
本发明总的来说涉及集成电路(IC)传感器，更具体地，涉及具有增加稳定性的磁阻自旋阀层系统。
背景技术：
在磁阻自旋阀层系统中，层系统的电阻取决于两个磁化方向之间的角度。参考图1中传统巨磁阻(giant magnetoresistive, GMR)自旋阀叠层,这些方向中的一个是自由的，追随外部施加的磁场。与该方向关联的层被称为自由层。虽然图1中示出GMR叠层，但其他磁阻技术也可用于实施方式，如隧道式磁阻(tunneling magnetoresistive, TMR)。其他磁化方向被固定并与所谓的基准层关联。基准层是基准系统的一部分，基准系统还包括反铁磁体层、固定层(pinned layer)、钌(Ru)层。传统上,例如，固定层和基准层是匀质的并由钴铁(CoFe)或钴铁硼(CoFeB)合金组成。基准系统的目的是保持基准层的固定磁化方向尽可能稳定。磁化通常通过将铁磁体的磁化耦合到反铁磁体而被固定在自旋阀层系统的基准层中。然后，层系统在磁场中受到热处理，其中邻近反铁磁体的磁化方向在系统冷却后被固定。使用这种自旋阀层系统的磁阻传感器可以在高达某最高温度和最大磁场中使用。然而，如果传感器暴露于较高温度或磁场，则固定磁化方向会被改变，导致不当的传感器操作。在某些应用中该有限的范围是相当大的缺陷。例如，较强的磁体可有助于减小噪声，但如果这些磁体影响传感器的正常操作，则不能使用。因此需要能够在较高温度和磁场中使用的改善的磁阻自旋阀层系统和相关传感器。
发明内容
实施方式涉及磁阻自旋阀层系统和传感器。在实施方式中，磁阻(MR)自旋阀叠层包括反铁磁体层；邻接该反铁磁体层的多层固定层；多层基准层；多层固定层和多层基准层之间的非磁性金属层；自由层；以及自由层和多层基准层之间的非磁性金属层。在实施方式中，形成巨磁阻(GMR)自旋阀叠层的方法包括形成晶种层(seedlayer);形成自由层，自由层的第一侧与晶种层的第一侧邻接；形成铜(Cu)层，Cu层的第一侧与自由层的第二侧邻接；形成多层基准层(reference layer),多层基准层的第一侧与Cu层的第二侧邻接；形成非磁性金属层，非磁性金属层的第一侧与多层基准层的第二侧邻接；形成多层固定层，多层固定层的第一侧与非磁性金属层的第二侧邻接；形成反铁磁体层，反铁磁体层的第一侧与多层固定层的第二侧邻接；以及形成盖帽层(cap layer，保护层)，盖帽层的第一侧与反铁磁体层的第二侧邻接。在实施方式中，形成隧道式磁阻(TMR)自旋阀叠层的方法包括形成晶种层；形成自由层，自由层的第一侧与晶种层的第一侧邻接；形成绝缘层，绝缘层的第一侧与自由层的 第二侧邻接；形成多层基准层，多层基准层的第一侧与绝缘层的第二侧邻接；形成非磁性 金属层，非磁性金属层的第一侧与多层基准层的第二侧邻接；形成多层固定层，多层固定层 的第一侧与非磁性金属层的第二侧邻接；形成反铁磁体层，反铁磁体层的第一侧与多层固 定层的第二侧邻接；以及形成盖帽层，盖帽层的第一侧与反铁磁体层的第二侧邻接。
在实施方式中，磁阻(MR)自旋阀叠层包括邻接晶种层的自由层；邻接自由层的 非磁性层；基准系统，邻接非磁性层，包括基准层、非磁性金属层以及固定层，基准层或固定 层中的至少一个是多层；以及邻接基准系统的反铁磁体层。
结合附图考虑本发明不同实施例的详细说明可更完整地理解本发明，其中
图1是传统顶部自旋阀叠层的结构图。
图2是根据实施方式的GMR顶部自旋阀叠层的结构图。
图3是根据实施方式的GMR顶部自旋阀叠层的结构图。
图4是根据实施方式的TMR顶部自旋阀叠层的结构图。
图5是根据实施方式的TMR顶部自旋阀叠层的结构图。
图6是根据实施方式的应力测试方法的框图。
图7是底部自旋阀叠层的结构图。
虽然本发明易于进行不同修改和替换，其中细节已经通过例子在附图中示出并在下面详细描述。然而，应该理解，本发明不限于所述的具体实施方式
。相反，本发明涵盖在 权利要求限定的本发明的精神和保护范围内的所有修改、等价物、和替换。
具体实施方式
实施方式涉及具有增强稳定性的磁阻自旋阀层系统和相关传感器。实施方式包括 至少一种多层固定层或多层基准层，使得叠层更稳定，从而适用于比传统系统和传感器更 高的温度和磁场。
参考图2，描述了根据实施方式的顶部自旋阀叠层100。相比传统叠层，叠层100 包括多层固定层102和多层基准层104。虽然叠层100是以固定层102和基准层104都为 多层描述的，但其他实施方式可仅包括一个多层，其中固定层102或基准层104中的一个为 多层。然而，在这里讨论的例子中，采用固定层和基准层都为多层的实施方式。
在图2中，固定层102包括两层，固定层I和固定层2。在其他实施方式中，固定 层102可包括多于两个的多层。在一个实施方式中，固定层I包括CoFe,固定层2包括镍铁 (NiFe)，但这些在另一个实施方式中可相反。固定层102的层可具有相同或基本相同的磁 化方向。在实施方式中，固定层102的至少一个层包括与固定层102的一个或更多其它层 的材料不同的材料。在实施方式中，固定层102的不与反铁磁体邻接的至少一个内层包括 第一材料，第一材料关于反铁磁体的磁稱合特性比与反铁磁体交界(interface )的层的第 二材料的耦合特性水平弱。换句话说，例如，对于材料测试，如果几何上相同的第一材料和 第二材料的层与反铁磁体交界，则第一材料与反铁磁体的磁耦合比第二材料的弱。
包括NiFe和CoFe双层的固定层102可提供比包括NiFe或CoFe的单层系统更稳定的基准系统。例如，考虑到不顾来自外场的磁化方向，固定层102更稳定。实验结果已 表明NiFe形成的固定层102对反铁磁体的磁耦合比CoFe的更强。相比之下，如果邻近铁 磁体包括C0Fejljg(Ru)层的磁耦合被强化。实施方式中Ru层可包括诸如适用于邻近磁 性层的其他非磁性金属的其他材料，以得到反平行磁化取向。实例包括铱(Ir)、铜(Cu)、铑 (Rh )、锇(Os )、铬钥(CrMo )和其他合适的材料。
虽然图2的实施方式中，基准层104包括三个层，基准层1、基准层2以及基准层 3，但在其他实施方式中基准层104可包括更多或更少的层。基准层104的层可具有相同或 基本相同的磁化方向，如图2所示。基准层104的至少一个层可包括与基准层104其他层 的材料不同的材料。在实施方式中，基准层104的层可包括例如，CoFe、NiFe和/或CoFeB。 例如，参考图3，在一个实施方式中，叠层110包括包含CoFe且厚度约为O. 2纳米(nm)的基 准层1、包含NiFe且厚度约为O. 6nm的基准层2、包含CoFe且厚度约为O. 2nm的基准层3。 在另一个实施方式中，固定层102被配置为类似于图3，基准层104包括厚度约为1. 3nm的 单个CoFe层。
如前面所述，材料和/或厚度可以改变。例如，在不同实施方式中，包括下面讨论 的关于TMR自旋阀叠层的那些实施方式，固定层102约O. 4到约4nm厚，基准层104约O. 9nm 到约5nm厚。固定层102的各多层(如，固定层I或固定层2)每个都可以为约O. 2nm到约 2nm。实施方式中，基准层I和3每个都可以是约O. 2到约1. 5nm,同时基准层2约O. 5nm到 约2nm。叠层100和110中其他层以及其他实施方式中这些层的厚度也可在下面示例范围 内盖帽层约2nm到约20nm ;反铁磁体层约IOnm到约50nm ；Ru层约O. 7nm到约O. 9nm ;铜 (Cu)层约1. 5nm到约4nm ；自由层约Inm到约IOnm ；以及晶种层约Inm到约10nm。因此，实 施方式中，叠层100和110的总体厚度可为约17nm到约IOOnm或更高。如本领域技术人员 理解的那样，每层和/或多层的具体厚度可取决于使用的具体材料、采用的叠层配置、以及 技术，即GMR对TMR。
虽然实施方式可包括具有多层固定层102和单层基准层的叠层，其中单层基准层 可包括厚度为约Inm到约4nm的CoFe,但根据当前的制造工艺和技术,仍然存在挑战。例 如，如果磁化过程是在非常强磁场中进行，如高于I特斯拉(Tesla，T)，则图2中示出的双层 固定层102可稳定基准系统。在这样的高磁场中,所有铁磁体层的磁化都平行于磁场取向。 固定层102因此写入期望的磁化方向。
然而，角度传感器通常由叠层的电阻器桥组成，其各电阻器在不同方向上磁化，且 叠层物理上彼此非常靠近。在制造这类电阻器桥的过程中，由于实用原因，可用磁场被限制 在低值。如果磁化过程在弱磁场中发生，则仅固定层102和基准层104的两个磁矩中较大 者平行于外部磁场取向。相比之下，由于Ru层的耦合，具有较小磁矩的层的磁化指向相反 方向。
如果固定层102和基准层104不包含相同材料，则基准系统的净磁矩的方向也取 决于温度。例如，在使用的温度范围内，NiFe随温度增加磁化减小的程度远比CoFe高。结 果，基准系统的净磁矩可在写入过程中冷却期间旋转其符号，结果可获得以未定义方式写 入的基准系统。
为了克服该缺点，实施方式中基准层104可包含NiFe。在一个实施方式中，基准层 2包含NiFe。如前面的讨论，在实施方式中，在与Ru层的交界面处使用CoFe以提供强反铁磁耦合。在基准层104的另一侧(邻接Cu层)NiFe是不利的，这是因为NiFe和Cu混合的趋势导致的。换句话说，在实施方式中，基准层104的两个交界部分，即图2中示出的基准层I和3，包括CoFe是有利的。在实施方式中，为了补偿固定层102中NiFe的温度响应，基准层104的至少一个内层，如基准层104的中间基准层2，包括NiFe。在实施方式中，如果基准层104的与Ru层交界的层和固定层102的与Ru层交界的层包含相同材料，如CoFe，则对增强稳定性是有利的。实施方式中，如果固定层102的磁矩和基准层104的磁矩相互补偿，则基准系统的稳定性得到增强。然而，如前面所讨论的，该配 置不能在弱磁场中被写入。实施方式中，如果固定层102和基准层104包括具有不同居里温度的不同材料，则存在解决方案。例如，基准层104的层中的一个可包含不包括在固定层102的层中的材料。在这样的自旋阀构造中，固定层102的和基准层104的磁矩具有不同的温度响应。因此，可以设计在典型操作温度范围(如约40摄氏度到约150摄氏度)内具有虚拟补偿的基准系统的自旋阀，以及在典型布线温度范围(如约260摄氏度到约340摄氏度)内具有无补偿基准系统的自旋阀。在其他实施方式中，可做出修改以适应TMR技术而非GMR技术，如关于这一点所做的主要讨论。TMR自旋阀系统类似于GMR自旋阀，除了使用绝缘层取代Cu层从而用作隧道势垒之外。为了获得最佳传感器特性，也可对隧道势垒/基准层界面做出调整。参考图4，示出了示例性TMR自旋阀叠层120。类似于这里关于GMR自旋阀叠层讨论和描述的其他实施方式，叠层120包括多层固定层102和多层基准层104，但其他实施方式可包括比图4中实施方式更多或更少的多层，以及不同层和/或多层厚度。例如，如上所讨论的，实施方式可包括具有多层固定层102和单层基准层的叠层，其中单层基准层可包括约Inm到约4nm厚的CoFeB。例如，Ru层也可包括诸如Ir、Cu、Rh、Os和CrMo的其他材料。然而如图4所示，固定层102包括约Inm厚的CoFe固定层I和约1. 2nm厚的NiFe固定层2。基准层104包括约Inm厚的CoFeB基准层1、约0. 6nm厚的NiFe基准层2，以及约0. 2nm厚的CoFe基准层3。实施方式中，邻接基准层I的是包含氧化镁(MgO)的隧道势垒 106。参考图5，其示出另一个示例性TMR自旋阀叠层130。在叠层130中，基准层104包括约Inm厚的CoFeB基准层I和约Inm厚的CoFe基准层2。为不同实施方式进行了应力测试模拟，得到了良好的结果。参考图6，应力测试包括在150用旋转磁场测量无应力叠层的薄膜电阻。以电阻对角度9得到正弦曲线R = RO 二 ASin^)。在152，叠层在磁场中退火，其中磁场方向垂直于叠层的固定方向。在154，再次以旋转磁场测量叠层的薄膜电阻。这里，R对角度q>提供有相移(PO的正弦曲线R = RO + A*sin((p+(|>0)。相移90是叠层稳定性的度量。结果接近0度表示非常稳定的系统，而结果接近或大于10度的那些系统被认为是稳定性弱的系统。因此,实施方式受到150摄氏度的应力温度，IT的应力磁场,一小时的应力时间。传统叠层提供约5度到约9度的(PO。诸如图2中叠层100的多层实施方式，示出仅约2度到约5度的改善的(p0。虽然图1至图5主要示出顶部自旋阀叠层，实施方式也涉及底部自旋阀叠层。顶部自旋阀叠层和底部自旋阀叠层之间的差别涉及层的顺序。与图1至图5中顶部自旋阀叠 层实施方式相比，图7中示出的底部自旋阀叠层160的实施方式从上到下包括盖帽层；自 由层；Cu (GMR)或MgO (TMR)层；诸如多层基准层的基准层104 ；Ru或其他非磁性金属层； 诸如多层固定层的固定层102 ;反铁磁体层；以及晶种层。在具有多层固定层102和/或基 准层104的实施方式中，固定层I邻接Ru层，固定层2邻接反铁磁体层，基准层I邻接Cu 或MgO层，基准层3邻接Ru层。
因此实施方式涉及具有增强稳定性的诸如GMR或TMR的磁阻自旋阀层系统以及相 关传感器。实施方式至少包括多层固定层或多层基准层之一，使得叠层更稳定，从而适于在 比传统系统和传感器高的温度和磁场中使用。
这里描述了系统、器件和方法的不同实施方式。这些实施方式仅通过实例的形式 给出，而并非旨在限制本发明的保护范围。而且应该理解，已经描述的实施方式的不同特征 以及权利要求可以以不同方式结合从而产生无数额外的实施方式。而且，虽然为与公开的 实施方式一起使用描述了多种材料、尺寸、形状、设置位置等，但也可不偏离本发明保护范 围使用其他未公开的材料、尺寸、形状、设置位置等。
本领域技术人员将认识到，本发明可包括比上述各实施方式少的特征。这里描述 的实施方式不是为了穷举本发明的不同特征的可组合的方式。因此，实施方式不是相互排 斥的特征组合；而是如本领域技术人员理解的那样，本发明可包括从不同实施方式和/或 不同权利要求中选择的不同特征的组合。
上面任何以参考的方式包括在此的文献受限于不包括与这里明确公开的内容相 反的主旨。上面任何以参考的方式包括在此的文献进一步受限于文献中包括的权利要求都 不包括在此作为参考。上面任何以参考的方式包括在此的文献还进一步受限于文献中提供 的任何定义都不包括在此作为参考，除非明确地包括在此。
权利要求
1.一种磁阻(MR)自旋阀叠层，包括反铁磁体层；邻接所述反铁磁体层的多层固定层；多层基准层；所述多层固定层和所述多层基准层之间的非磁性金属层；自由层；以及所述自由层和所述多层基准层之间的非磁性金属层。
2.根据权利要求1所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层固定层包括至少两层。
3.根据权利要求2所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层固定层具有在约O.4纳米 (nm)到约4nm范围内的厚度。
4.根据权利要求2所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层固定层包括至少一个钴铁 (CoFe)层和至少一个镍铁(NiFe)层。
5.根据权利要求2所述的MR自旋阀叠层，其中，通过减小所述MR自旋阀叠层的应力测试相移，所述多层固定层增加所述MR自旋阀叠层的稳定性。
6.根据权利要求1所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层基准层包括至少两层。
7.根据权利要求6所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层基准层具有在约0.9纳米 (nm)到约5nm的范围内的厚度。
8.根据权利要求6所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层基准层包括三层。
9.根据权利要求8所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层基准层包括至少一个钴铁 (CoFe)层和至少一个镍铁(NiFe)层。
10.根据权利要求8所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层基准层进一步包括钴铁硼 (CoFeB)层。
11.根据权利要求1所述的MR自旋阀叠层，其中，所述自由层和所述多层基准层之间的所述非磁性金属层包括铜。
12.根据权利要求11所述的MR自旋阀叠层，其中，所述MR自旋阀叠层包括巨磁阻 (GMR)自旋阀叠层。
13.根据权利要求1所述的MR自旋阀叠层，其中，所述自由层和所述多层基准层之间的所述非磁性金属层包括氧化镁(MgO)。
14.根据权利要求13所述的MR自旋阀叠层，其中，所述MR自旋阀叠层包括隧道式磁阻 (TMR)自旋阀叠层。
15.根据权利要求1所述的MR自旋阀叠层，其中，所述多层固定层和所述多层基准层之间的所述非磁性金属层包括钌(Ru)、铱(Ir)、铜(Cu)、铑(Rh)、锇(Os)或铬钥(CrMo)中的至少一种。
16.一种形成巨磁阻(GMR)自旋阀叠层的方法，包括形成晶种层；形成自由层，所述自由层的第一侧与所述晶种层的第一侧邻接；形成铜(Cu)层，所述Cu层的第一侧与所述自由层的第二侧邻接；形成多层基准层，所述多层基准层的第一侧与所述Cu层的第二侧邻接；形成非磁性金属层，所述非磁性金属层的第一侧与所述多层基准层的第二侧邻接；形成多层固定层，所述多层固定层的第一侧与所述非磁性金属层的第二侧邻接；形成反铁磁体层，所述反铁磁体层的第一侧与所述多层固定层的第二侧邻接；以及形成盖帽层，所述盖帽层的第一侧与所述反铁磁体层的第二侧邻接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成第一基准层，所述第一基准层的第一侧作为所述多层基准层的第一侧；形成第二基准层，所述第二基准层的第一侧与所述第一基准层的第二侧邻接；以及形成第三基准层，所述第三基准层的第一侧与所述第二基准层的第二侧邻接，所述第三基准层的第二侧作为所述多层基准层的第二侧。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成钴铁(CoFe)的所述第一基准层；形成镍铁(NiFe)的所述第二基准层；以及形成CoFe的所述第三基准层。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成多层固定层进一步包括形成第一固定层，所述第一固定层的第一侧作为所述多层固定层的第一侧；以及形成第二固定层，所述第二固定层的第一侧与所述第一固定层的第二侧邻接，所述第二固定层的第二侧作为所述多层固定层的第二侧。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成多层固定层进一步包括形成钴铁(CoFe)的所述第一固定层；以及形成镍铁(NiFe)的所述第二固定层。
21.根据权利要求16所述的方法，其中，形成非磁性金属层包括形成包含钌(Ru)、铱 (Ir)、铜(Cu)、铑(Rh)、锇(Os)、铬钥(CrMo)中的至少一种的层。
22.—种形成隧道式磁阻(TMR)自旋阀叠层的方法，包括形成晶种层；形成自由层，所述自由层的第一侧与所述晶种层的第一侧邻接；形成绝缘层，所述绝缘层的第一侧与所述自由层的第二侧邻接；形成多层基准层，所述多层基准层的第一侧与所述绝缘层的第二侧邻接；形成非磁性金属层，所述非磁性金属层的第一侧与所述多层基准层的第二侧邻接； 形成多层固定层，所述多层固定层的第一侧与所述非磁性金属层的第二侧邻接；形成反铁磁体层，所述反铁磁体层的第一侧与所述多层固定层的第二侧邻接；以及形成盖帽层，所述盖帽层的第一侧与所述反铁磁体层的第二侧邻接。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成第一基准层，所述第一基准层的第一侧作为所述多层基准层的第一侧；以及形成第二基准层，所述第二基准层的第一侧与所述第一基准层的第二侧邻接，所述第二基准层的第二侧作为所述多层基准层的第二侧。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成钴铁硼(CoFeB)的所述第一基准层；以及形成钴铁(CoFe)的所述第二基准层。
25.根据权利要求22所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成第一基准层，所述第一基准层的第一侧作为所述多层基准层的第一侧；形成第二基准层，所述第二基准层的第一侧与所述第一基准层的第二侧邻接；形成第三基准层，所述第三基准层的第一侧与所述第二基准层的第二侧邻接，所述第三基准层的第二侧作为所述多层基准层的第二侧。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，形成多层基准层进一步包括形成钴铁硼 (CoFeB)的所述第一基准层；形成镍铁(NiFe)的所述第二基准层；以及形成CoFe的所述第三基准层。
27.根据权利要求22所述的方法，其中，形成多层固定层进一步包括形成第一固定层，所述第一固定层的第一侧作为所述多层固定层的第一侧；以及形成第二固定层，所述第二固定层的第一侧与所述第一固定层的第二侧邻接，所述第二固定层的第二侧作为所述多层固定层的第二侧。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，形成多层固定层进一步包括形成钴铁(CoFe)的所述第一固定层；以及形成镍铁(NiFe)的所述第二固定层。
29.根据权利要求22所述的方法，其中，形成非磁性金属层包括形成包含钌(Ru)、铱 (Ir)、铜(Cu)、铑(Rh)、锇(Os)、铬钥(CrMo)中的至少一种的层。
30.根据权利要求22所述的方法，其中，形成绝缘层包括形成氧化镁(MgO)层。
31.一种磁阻(MR)自旋阀叠层，包括自由层；邻接所述自由层的非磁性层；基准系统，邻接所述非磁性层，包括基准层、非磁性金属层和固定层，所述基准层或所述固定层中的至少一个为多层；以及邻接所述基准系统的反铁磁体层。
32.根据权利要求31所述的MR自旋阀叠层，其中，所述基准系统的与所述非磁性层交界的层和所述固定层的与所述非磁性层交界的层包含相同的材料。
33.根据权利要求31所述的MR自旋阀叠层，其中，所述固定层包括包含第一材料的第一层和包含第二材料的第二层，所述第二层与所述反铁磁体层交界，其中所述第一材料具有关于所述反铁磁体层的第一磁耦合特性，所述第二材料具有关于所述反铁磁体层的第二磁耦合特性，所述第一磁耦合特性比所述第二磁耦合特性弱。
34.根据权利要求31所述的MR自旋阀叠层，其中，所述固定层为包括钴铁(CoFe)层和镍铁(NiFe )层的多层，所述NiFe层与所述反铁磁体层邻接。
35.根据权利要求32所述的MR自旋阀叠层，其中，所述基准层为包括至少一个钴铁 (CoFe)层的多层。
36.根据权利要求31所述的MR自旋阀叠层，其中，所述非磁性层包含从由铜(Cu)和氧化镁(MgO )组成的组中选择的一种。
37.根据权利要求31所述的MR自旋阀叠层，其中，所述非磁性金属层包括包含钌 (Ru)、铱(Ir)、铜(Cu)、铑(Rh)、锇(Os)、铬钥(CrMo)中的至少一种的层。
全文摘要
本发明实施方式涉及磁阻自旋阀层系统。具体地，实施方式涉及具有增强稳定性的诸如巨磁阻(GMR)或隧道式磁阻(TMR)的MR自旋阀层系统以及相关传感器。本发明实施方式至少包括多层固定层或多层基准层之一，使得叠层更稳定，从而适用于比传统系统和传感器更高的温度和磁场。
文档编号G01R33/09GK102998634SQ20121033794
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月12日 优先权日2011年9月12日
发明者托马斯·贝维尔, 克莱门斯·普鲁格尔, 沃尔夫冈·拉伯格, 安德烈亚斯·斯特拉瑟, 于尔根·齐默尔 申请人:英飞凌科技股份有限公司