检测方法及检测装置制造方法
【专利摘要】本发明是有关于一种检测方法包括下列步骤：令光电检测元件与包括多个像素单元的像素阵列基板接触。输入多个电气信号至像素阵列基板的像素单元与光电检测元件。根据光电检测元件的光学特性，判断像素阵列基板的像素单元是否正常。此外，一种实现上述检测方法的检测装置亦被提出。
【专利说明】检测方法及检测装置
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种检测方法及检测装置，且特别是有关于一种用于检测像素阵 列基板的检测方法及检测装置。
【背景技术】
[0002] 显示器包括像素阵列基板以及对向基板。在显示器的制造工艺中，会分别制作像 素阵列基板与对向基板。然后，再将像素阵列基板与对向基板对组，进而完成显示器。一般 而言，在将像素阵列基板与对向基板对组之前会先对像素阵列基板进行检测。
[0003] 在现有习知技术中，检测像素阵列基板时需更换治具，且治具上的探针不易与像 素阵列基板对准，或用于检测像素阵列基板的侦测器（modulator)与像素阵列基板之间的 间隙难以控制，且易刮伤像素阵列基板。换言之，现有习知的检测方法复杂，而现有习知的 检测装置结构繁复且价格昂贵。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一种检测方法，其可简便地检测像素阵列基板。
[0005] 本发明提供一种检测装置，其可简便地检测像素阵列基板且价格低廉。
[0006] 本发明的一种检测方法包括下列步骤。令光电检测元件与包括多个像素单元的像 素阵列基板接触。输入多个电气信号至像素阵列基板的像素单元与光电检测元件。根据光 电检测元件的光学特性，判断像素阵列基板的像素单元是否正常。
[0007] 本发明的一种检测装置用于检测包括多个像素单元的像素阵列基板。检测装置包 括用于与像素阵列基板接触的光电检测元件、用于输出多个电气信号至像素阵列基板的像 素单元与光电检测元件的信号源以及用于根据光电检测元件的光学特性判断像素阵列基 板的像素单元是否正常的分析单元。
[0008] 在本发明的一实施例中，上述的每一像素单元包括至少一主动元件以及与此主动 元件电性连接的像素电极。令光电检测元件与像素阵列基板接触的步骤包括：将光电检测 元件置于像素阵列基板上，以使光电检测元件与像素单元的像素电极接触。
[0009] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件包括基底以及位于基底上的显示介 质层。令光电检测元件与像素阵列基板接触的步骤为：将光电检测元件置于像素阵列基板 上，以使光电检测元件的显示介质层与像素阵列基板接触。
[0010] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件包括基底、位于基底上的异方向性 导电膜以及位于异方向性导电膜与基底之间的显示介质层。令光电检测元件与像素阵列基 板接触的步骤为：将光电检测元件置于像素阵列基板上，以使光电检测元件的异方向性导 电膜与像素阵列基板接触。
[0011] 在本发明的一实施例中，上述的检测方法在今光电检测元件与像素阵列基板接触 之后更包括：施加压力于固定像素阵列基板以及光电检测元件。
[0012] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件包括基底以及位于基底上的显示介 质层。显示介质层包括电子墨水层或有机发光二极管层。
[0013] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件包括基底、配置于基底上的显示介 质层以及配置于基底与显示介质层之间的共用电极层。输入电气信号至像素阵列基板的像 素单元与光电检测元件的步骤为：输入电气信号至像素阵列基板的像素单元以及光电检测 元件的共用电极层。
[0014] 在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括共用电极端。输入电气信号 至像素阵列基板的像素单元与光电检测元件的步骤为：输入电气信号至像素阵列基板的像 素单元以及共用电极端，其中这些电气信号之一通过共用电极端而传递至光电检测元件的 共用电极层。
[0015] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件划分为多个检测区块，像素阵列基 板划分为分别包括多个像素单元的多个待测区块。令光电检测元件与像素阵列基板接触的 步骤为：令光电检测元件的检测区块分别与像素阵列基板的待测区域接触。根据光电检测 元件的光学特性判断像素阵列基板的像素单元是否正常的步骤为：比较电气信号输入至像 素单元与光电检测元件时光电检测元件的检测区块的光学特性与检测区块的预期光学特 性之间的差异，若光电检测元件的这些检测区块之一的光学特性与预期光学特性不同，则 判断与此检测区块接触的待测区块的像素单元异常。
[0016] 在本发明的一实施例中，上述的每一像素单元包括具有源极、栅极以及漏极的主 动元件、与主动元件的漏极电性连接的像素电极、与主动元件的源极性电性连接的资料线 以及与主动元件的栅极性连接的扫描线。
[0017] 在本发明的一实施例中，上述的检测装置更包括光侦测器。光侦测器用于侦测光 电检测元件的光学特性，而光侦测器所侦测到的光电检测元件的光学特性传送至分析单 J Li 〇
[0018] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件用于与像素单元的像素电极接触。
[0019] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件包括基底、位于基底上的显示介质 层以及位于基底与显示介质层之间的共用电极层。
[0020] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件的显示介质层用于与像素阵列基板 接触，而共用电极层用于接收所述电气信号之一。
[0021] 在本发明的一实施例中，上述的光电检测元件更包括异方向性导电膜。显示介质 层位于异方向性导电膜与共用电极层之间。异方向性导电膜用于与像素阵列基板接触，而 共用电极层用于接收所述电气信号之一。
[0022] 在本发明的一实施例中，上述的异方向性导电膜在与基底垂直的一方向上具导电 性而在与基底平行的另一方向上不具导电性。
[0023] 在本发明的一实施例中，上述的光电元件更包括由基底向外延伸且与共用电极层 电性连接的导电结构。导电结构用于与像素阵列基板的共用电极端接触。
[0024] 在本发明的一实施例中，上述的信号源输出的电气信号用于输入至像素阵列基板 的像素单元以及共用电极端。所述电气信号之一通过共用电极端而传递至光电检测元件的 共用电极层。
[0025] 在本发明的一实施例中，上述的分析单元用于比较电气信号输入至像素单元与光 电检测元件时光电检测元件的检测区块的光学特性与检测区块的预期光学特性之间的差 异，若光电检测元件的检测区块之一的光学特性与此检测区块的预期光学特性不同，则判 断与此检测区块接触的待测区块的像素单元异常。
[0026] 基于上述，本发明实施例的检测方法及检测装置将光电检测元件与待测的像素阵 列基板接触并输入电气信号至像素阵列基板与光电检测元件，然后根据光电检测元件的光 学特性判断像素阵列基板的像素单元是否正常。本发明实施例的检测装置的构造简单、制 造成本低，并可简便地检测出像素阵列基板的缺陷处。利用本发明实施例的检测方法及检 测装置可简便地检测出像素阵列基板的缺陷处，而避免后续制造工艺材料及时间的浪费， 进而达到降低成本的目的。
[0027] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 图1为本发明一实施例的检测方法的流程示意图。
[0029] 图2为本发明一实施例的检测装置的示意图。
[0030] 图3为图2的像素单元的电路示意图。
[0031] 图4为本发明另一实施例的检测装置的示意图
[0032] 【符号说明】
[0033] 100 :检测装置 110:光电检测元件
[0034] 111 :基底 111a:软性透光基板
[0035] 111b:刚性透光基板 112:显示介质层
[0036] 112a:微胶囊 113:共用电极层
[0037] 114:导电结构 120 :信号源
[0038] 130 :分析单元 140 :光侦测器
[0039] 200 :像素阵列基板 210 :像素单元
[0040] 212:像素电极 220 :基板
[0041] Α、ΑΝ(；、ΑΛ :待测区块 ACF:异方向性导电膜
[0042] C、CN(；、(；k :检测区块 com :共用电极端
[0043] D :漏极 DL :资料线
[0044] D1、D2:方向 E:电气信号
[0045] G1 :栅极开启信号 G :栅极
[0046] g :共栅极端 K :表面
[0047] S :源极 S1 :资料信号
[0048] s :共源极端 SL :扫描线
[0049] S100-S500 :步骤 T :主动元件
[0050] Vcom:共用电极信号
【具体实施方式】
[0051] 为进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段以及其功效，以下结 合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的检测方法及检测装置的【具体实施方式】、结构、特 征及其功效，详细说明如后。
[0052] 图1为本发明一实施例的检测方法的流程示意图。图2为本发明一实施例的检测 装置的示意图。特别是，图2的检测装置100可具体地实施图1的检测方法。以下将搭配 图1及图2说明本实施例的检测方法及检测装置100。
[0053] 请参照图1及图2，本实施例的检测方法及检测装置100是用于检测包括多个像素 单元210的像素阵列基板200。首先，提供包括多个像素单元210的像素阵列基板200 (步 骤S100)。如图2所示，在本实施例中，像素阵列基板200更包括基板220,而像素单元210 配置于基板220上。每一像素单元210包括至少一主动元件T以及与主动元件T电性连接 的像素电极212。图3为图2的像素单元的电路示意图。请参照图3,主动元件T(例如薄 膜晶体管）具有源极S、栅极G与漏极D。像素电极212与主动元件Τ的漏极D电性连接。 每一像素单元210更包括与主动元件Τ的源极S电性连接的资料线DL以及与主动元件Τ 的栅极G电性连接的扫描线SL。
[0054] 请再参照图1及图2,接着，提供光电检测元件110(步骤S200)。如图2所示，在 本实施例中，光电检测元件110包括基底111、位于基底111上的显示介质层112以及位于 基底111与显示介质层112之间的共用电极层113。基底111包括软性透光基板111a以及 刚性透光基板111b。在本实施例中，显示介质层112例如为电子墨水层。电子墨水层包括 多个微胶囊（microcapsule) 112a。
[0055] 每一微胶囊112a内含有白色的带正电粒子以及黑色的带负电粒子。然而，本发明 不限于此，在其他实施例中，显示介质层112亦可为其他适当种类的显示介质层，例如有机 发光二极管（organic light-emitting diode，0LED)层。
[0056] 然后，令光电检测元件110与像素阵列基板200接触（步骤300)。具体而言，本 实施例的检测装置100包括光电检测元件110。检测装置100可将光电检测元件110置于 像素阵列基板200上，以使光电检测元件110与像素阵列基板200接触。在本实施例中，光 电检测元件110可与每一像素单元210的像素电极212接触。然而，本发明不限于此，在其 他实施例中，待测的像素阵列基板200可包括覆盖像素单元210的平坦层（Passivation)。 光电检测元件110亦可与平坦层接触。输入至像素电极212及光电检测元件110的电气信 号E所造成的电场仍可穿过平坦层，而使与像素电极212对应的部分显示介质层112产生 动作，进而使光电检测元件110仍可发挥检测像素阵列基板200的功用。
[0057] 在本实施例中，光电检测元件110更可包括异方向性导电膜ACF，其中显示介质层 112位于异方向性导电膜ACF与共用电极层113之间。上述令光电检测元件110与像素阵 列基板200接触的步骤可为令光电检测元件110的异方向性导电膜ACF与像素阵列基板 200接触。异方向性导电膜ACF在与基底111垂直的方向D1上具导电性而在与基底111平 行的另一方向D2上不具导电性。藉由异方向性导电膜ACF可增加像素阵列基板200与显 示介质层112在方向D1上的导电性。此外，异方向性导电膜ACF面向像素阵列基板200的 表面K可无粘性，故光电检测元件110于测试完一个像素阵列基板200后，可自此像素阵列 基板200上移开，而与下一个待测的像素阵列基板200接触。换言之，光电检测元件110是 活动式的，而可重复地与待测的像素阵列基板200接触。然而，本发明不限于上段所述，图 4为本发明另一实施例的检测装置的示意图，请参照图4,在此实施例中，光电检测元件110 可不包括异方向性导电膜ACF，而像素阵列基板200可与光电检测元件110的显示介质层 112直接接触。
[0058] 在本实施例中，在今光电检测元件110与像素阵列基板200接触之后，施加压力于 固定像素阵列基板200以及光电检测元件110,使像素阵列基板200以及光电检测元件110 接触良好，以使像素阵列基板200与显示介质层112间的导电性更佳。
[0059] 接着，输入多个电气信号E至像素阵列基板200的像素单元210与光电检测元件 110 (步骤400)。具体而言，检测装置100包括信号源120。信号源120可输出多个电气信 号E至像素阵列基板200的像素单元210与光电检测元件110。进一步而言，可输入多个电 气信号E至像素阵列基板200的像素单元210以及光电检测元件110的共用电极层113。 详言之，像素阵列基板200更包括共用电极端com。共用电极端com可与像素阵列基板200 的多条共用电极线电性连接。这些电气信号E的其中一共用电极信号Vcom可通过共用电 极端com而传递至光电检测元件110的共用电极层113。
[0060] 在本实施例中，光电检测元件110更包括由基底111向外延伸且与共用电极层113 电性连接的导电结构114。导电结构114用于与像素阵列基板200的共用电极端com接触。 输入至共用电极端com的共用电极信号Vcom可通过导电结构114而传递至光电检测元件 110的共用电极层113。像素阵列基板200更包括共源极端s，共源极端s电性连接多个像 素单元210的资料线DL。信号源120输出的一个电气信号E(例如资料信号S1)可输入至 共源极端s。像素阵列基板200更包括共栅极端g，共栅极端g电性连接多个像素单元210 的扫描线SL。信号源120输出的一个电气信号E(例如栅极开启信号G1)可输入至共栅极 端g。
[0061] 接着，根据光电检测元件110的光学特性，判断像素阵列基板200的像素单元210 是否正常（步骤S500)。详言之，若像素单元210正常，则输入至像素单元210及光电测试 元件110的电器信号E可驱动像素单元210上方的部份显示介质层112,而使与像素单元 210重叠的部分光电检测元件110的光学特性发生变化。若像素单元210异常，则输入至像 素单元210及光电测试元件110的电气信号E无法正常驱动像素单元210上方的部份显示 介质层112,而与像素单元210重叠的部分光电检测元件110的光学特性会呈现异常。据 此，便可推测出像素阵列基板200的缺陷处。
[0062] 更清楚地说，在本实施例中，光电检测元件110可划分为多个检测区块C。像素阵 列基板200可划分为分别包括多个像素单元210的多个待测区块A。当光电检测元件110 与像素阵列基板200接触时，光电检测元件110的检测区块C分别与像素阵列基板200的 待测区域A接触。
[0063] 根据光电检测元件110的光学特性判断像素阵列基板200的像素单元210是否正 常的步骤可为：比较电气信号E输入至像素阵列基板200的像素单元210与光电检测元件 110时检测区块C的光学特性与检测区块C的预期光学特性之间的差异，若检测区块(^的 光学特性与检测区块C Ne的预期光学特性不同，则判断与检测区块CNe接触的待测区块ANe的 像素单元210异常。若检测区块C A的光学特性与检测区块(；k的预期光学特性相同，则判 断与检测区块(；k的待测区块Α Λ的像素单元210正常。
[0064] 举例而言，在本实施例中，若像素单元210正常，当电气信号Ε输入像素单元210 与光电检测元件110时，像素电极212与共用电极层113间的电场会使带微胶囊120a中带 电的白色粒子移动，而使与包括像素电极212的待测区块Α Λ接触的检测区决(；k呈现预期 的光学特性，依此便可判断待测区块ΑΛ正常。若像素单元210异常，当电气信号E输入至 像素单元210与光电检测元件110时，像素电极212与共用电极层113之间无法形成正常 电位，而微胶囊120a中带电粒子分布异常。此时，与包括像素电极212的待测区块A Ne接触 的检测区块CNe呈现的光学特性（例如灰色）与预期的光学特性（例如白色）不同，依此便 可判断待测区块A Ne异常。
[0065] 具体而言，检测装置100包括分析单元130,而分析单元130可执行上述根据光电 检测元件110的光学特性判断像素单元210是否正常的动作。分析单元130可为检测人员。 然而，本发明不限于此，为了生产流程的自动化及提高检测的正确性。在本实施例中，可采 用机器取代检测人员的功能。举例而言，分析单元130可为电子处理器（例如个人电脑）， 而检测装置100更包括光侦测器140,例如影像撷取器（image sensor)。电子处理器及光 侦测器140可取代检测人员的功能。
[0066] 详言之，光侦测器140可侦测光电检测元件110的光学特性，特别是侦测电气信号 E输入至像素阵列基板200的像素单元210与光电检测元件110时光电检测元件110的光 学特性。光侦测器140所侦测到的光电检测元件110的光学特性会传送至分析单元130。 分析单元130可取得光电检测元件110的预期光学特性，并将光电检测元件110的预期光 学特性与光侦测器140在电气信号E输入至像素阵列基板200的像素单元210与光电检测 元件110时所侦测到的光电检测元件110的光学特性做比较，以判断像素阵列基板110的 像素单元210是否正常。
[0067] 综上所述，本发明实施例的检测方法及检测装置将光电检测元件与待测的像素阵 列基板接触并输入电气信号至像素阵列基板与光电检测元件，然后根据光电检测元件的光 学特性判断像素阵列基板的像素单元是否正常。本发明实施例的检测装置的构造简单、制 造成本低，并可简便地检测出像素阵列基板的缺陷处。利用本发明实施例的检测方法及检 测装置可简便地检测出像素阵列基板的缺陷处，而避免后续制造工艺材料及时间的浪费， 进而达到降低成本的目的。
[0068] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽 然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人 员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更 动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的 技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案 的范围内。
【权利要求】
1. 一种检测方法，其特征在于包括： 提供像素阵列基板，该像素阵列基板包括多个像素单元； 提供光电检测元件； 令该光电检测元件与该像素阵列基板接触； 输入多个电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件；以及 根据该光电检测元件的光学特性，判断该像素阵列基板的上述像素单元是否正常。
2. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中每一该像素单元包括至少一主动元 件以及与该至少一主动元件电性连接的像素电极，而今该光电检测元件与该像素阵列基板 接触的步骤包括： 将该光电检测元件置于该像素阵列基板上，以使该光电检测元件与上述像素单元的上 述像素电极接触。
3. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中该光电检测元件包括基底以及位于 该基底上的显示介质层，而令该光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤为： 将该光电检测元件置于该像素阵列基板上，以使该光电检测元件的该显示介质层与该 像素阵列基板接触。
4. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中该光电检测元件包括基底、位于该 基底上的异方向性导电膜以及位于该异方向性导电膜与该基底之间的显示介质层，而令该 光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤为： 将该光电检测元件置于该像素阵列基板上，以使该光电检测元件的该异方向性导电膜 与该像素阵列基板接触。
5. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于在令该光电检测元件与该像素阵列基板 接触之后，更包括： 施加压力于固定该像素阵列基板以及该光电检测元件。
6. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中该光电检测元件包括基底以及位于 该基底上的显示介质层，而该显示介质层包括电子墨水层或有机发光二极管层。
7. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中该光电检测元件包括基底、配置于 该基底上的显示介质层以及配置于该基底与该显示介质层之间的共用电极层，而输入上述 电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件的步骤为： 输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元以及该光电检测元件的该共用 电极层。
8. 如权利要求7所述的检测方法，其特征在于其中该像素阵列基板更包括共用电极 端，而输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件的步骤为： 输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元以及该共用电极端，其中上述电 气信号之一通过该共用电极端而传递至该光电检测元件的该共用电极层。
9. 如权利要求1所述的检测方法，其特征在于其中该光电检测元件划分为多个检测区 块，该像素阵列基板划分为分别包括上述像素单元的多个待测区块，令该光电检测元件与 该像素阵列基板接触的步骤为令该光电检测元件的上述检测区块分别与该像素阵列基板 的上述待测区域接触，而根据该光电检测元件的光学特性判断该像素阵列基板的上述像素 单元是否正常的步骤为： 比较上述电气信号输入至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件时该光 电检测元件的上述检测区块的光学特性与上述检测区块的预期光学特性之间的差异，若该 光电检测元件的上述检测区块之一的光学特性与上述检测区块的该一的预期光学特性不 同，则判断与上述检测区块的该一接触的该待测区块的该像素单元异常。
10. -种检测装置，用于检测包括多个像素单元的像素阵列基板，其特征在于该检测装 置包括： 光电检测元件，用于与该像素阵列基板接触； 信号源，用于输出多个电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元 件；以及 分析单元，用于根据该光电检测元件的光学特性，判断该像素阵列基板的上述像素单 兀是否正常。
11. 如权利要求10所述的检测装置，其特征在于更包括： 光侦测器，用于侦测该光电检测元件的光学特性，而该光侦测器所侦测到的该光电检 测元件的光学特性传送至该分析单元。
12. 如权利要求10所述的检测装置，其特征在于，用于检测包括上述像素单元的该像 素阵列基板，而每一该像素单元包括至少一主动元件以及与该至少一主动元件电性连接的 像素电极，其中该光电检测元件用于与上述像素单元的上述像素电极接触。
13. 如权利要求10所述的检测装置，其特征在于其中该光电检测元件包括基底、位于 该基底上的显示介质层以及位于该基底与该显示介质层之间的共用电极层。
14. 如权利要求13所述的检测装置，其特征在于其中该光电检测元件的该显示介质层 用于与该像素阵列基板接触，而该共用电极层用于接收上述电气信号之一。
15. 如权利要求13所述的检测装置，其特征在于其中该光电检测元件更包括异方向性 导电膜，该显示介质层位于该异方向性导电膜与该共用电极层之间，该异方向性导电膜用 于与该像素阵列基板接触，而该共用电极层用于接收上述电气信号之一。
16. 如权利要求15所述的检测装置，其特征在于其中该异方向性导电膜在与该基底垂 直的一方向上具导电性而在与该基底平行的另一方向上不具导电性。
17. 如权利要求13所述的检测装置，其特征在于其中该显示介质层包括电子墨水层或 有机发光二极管层。
18. 如权利要求13所述的检测装置，其特征在于，用于检测更包括共用电极端的该像 素阵列基板，而该光电元件更包括由该基底向外延伸且与该共用电极层电性连接的导电结 构，而该导电结构用于与该像素阵列基板的该共用电极端接触。
19. 如权利要求18所述的检测装置，其特征在于其中该信号源输出的上述电气信号用 于输入至该像素阵列基板的上述像素单元以及该共用电极端，而上述电气信号之一通过该 共用电极端而传递至该光电检测元件的该共用电极层。
20. 如权利要求10所述的检测装置，其特征在于，用于检测包括上述个像素单元的该 像素阵列基板，该像素阵列基板划分为分别包括上述像素单元的多个待测区块，其中该光 电检测元件划分为多个检测区块，上述检测区块用于分别与上述待测区块接触，而该分析 单元用于比较上述电气信号输入至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件时 该光电检测元件的上述检测区块的光学特性与上述检测区块的预期光学特性之间的差异， 若该光电检测元件的上述检测区块之一的光学特性与上述检测区块的该一的预期光学特 性不同，则判断与上述检测区块的该一接触的该待测区块的该像素单元异常。
【文档编号】G01M11/02GK104122073SQ201410049504
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年2月12日 优先权日:2013年4月29日
【发明者】刘全丰, 黄振勋, 黄霈霖, 李锡麟, 蔡振法, 张永昇 申请人:元太科技工业股份有限公司