传感器装置以及传感方法与流程

本发明涉及能够对检测样品进行测定的传感器装置以及传感方法。

背景技术：

作为传感器装置，例如，已知使用声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)元件对检测样品进行测定的装置。

在传感器装置中，公开有通过利用各种方法进行补正或者校正来提高测定的精度的技术(例如，专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2009-238226号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

但是，在专利文献1记载的技术中，无法由传感器装置本身简单地得到基准相位差以及与其对应的基准电压。

因此，需要能够由传感器装置本身简单地得到基准相位差以及与其对应的基准电压的传感器装置以及传感方法。

用于解决课题的手段

本发明的实施方式涉及的传感器装置具备：第1信号产生器，产生第1频率的信号以及第2频率的信号之中的至少一个；第2信号产生器，产生所述第1频率的信号以及所述第2频率的信号之中的至少一个；以及计算部，能够与所述第1信号产生器以及所述第2信号产生器的每一个连接，所述计算部根据在将所述第1信号产生器和所述计算部连接的状态下从所述第1信号产生器产生所述第1频率的信号而得到的第1基准信号和在将所述第2信号产生器和所述计算部连接的状态下从所述第2信号产生器产生所述第2频率的信号而得到的第2基准信号来得到基准相位差，并且算出与所述基准相位差对应的基准电压。

此外，本发明的实施方式涉及的传感器装置是产生第1频率的信号以及与所述第1频率不同的第2频率的信号的信号产生器，其具备：信号产生器，包括输出所述第1频率的信号以及所述第2频率的信号之中的至少一个的第1输出部、和输出所述第1频率的信号以及所述第2频率的信号之中的至少一个的第2输出部；以及计算部，能够与所述第1输出部以及所述第2输出部的每一个连接，所述计算部根据在将所述第1输出部和所述计算部连接的状态下从所述第1输出部输出所述第1频率的信号而得到的第1基准信号、和在将所述第2输出部和所述计算部连接的状态下从所述第2输出部输出所述第2频率的信号而得到的第2基准信号来得到基准相位差，并且算出与所述基准相位差对应的基准电压。

此外，本发明的实施方式涉及的传感方法包括：信号输出步骤，信号产生器产生第1频率的信号以及与所述第1频率不同的第2频率的信号并输出；算出步骤，计算部根据从所述信号产生器输出的第1频率的信号得到的第1基准信号和从所述信号产生器与所述第1频率的信号同时输出的第2频率的信号得到的第2基准信号来得到基准相位差，并且根据所述第1基准信号和所述第2基准信号算出与所述基准相位差对应的基准电压。

发明的效果

根据本发明的实施方式涉及的传感器装置，通过从2个信号产生器产生不同频率的信号，从而能够由传感器装置本身简单地得到基准相位差，能够算出与所述基准相位差对应的基准电压。

此外，根据本发明的实施方式涉及的传感器装置，通过从信号产生器产生不同频率的信号，从而能够由传感器装置本身简单地得到基准相位差，能够算出与所述基准相位差对应的基准电压。

此外，根据本发明的实施方式涉及的传感方法，通过从信号产生器同时产生不同频率的信号，从而能够简单地得到基准相位差，能够算出与所述基准相位差对应的基准电压。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式涉及的传感器装置的结构图。

图2是本发明的第2实施方式涉及的传感器装置的结构图。

图3是本发明的第3实施方式涉及的传感器装置的结构图。

图4是本发明的第4实施方式涉及的传感器装置的结构图。

图5是针对外差方式的信号处理进行说明的示意图。

图6(a)是表示第1检测电压和第2检测电压的示意性轨迹的线图，图6(b)是表示选择出的检测电压的轨迹的线图。

图7(a)是表示本发明的第1实施方式涉及的传感器装置的一部分的立体图，图7(b)是使(a)所示的传感器装置的一部分断裂开的状态的立体图。

图8(a)是图7(a)的VIa-VIa线的剖面图，图8(b)是图7(a)的VIb-VIb线的剖面图。

图9是将图7(a)所示的传感器装置的一部分去掉的俯视图。

图10是本发明的实施方式的变形例涉及的传感器装置的结构图。

图11是表示图1所示的本发明的第1实施方式涉及的传感器装置的变形例的结构图，是不具有检测元件以及参考元件的构成。

图12是表示图1所示的本发明的第1实施方式涉及的传感器装置的变形例的结构图，是具有能够对计算部与连接布线以及元件之间的连接状态进行选择的开关的构成。

图13是表示图2所示的本发明的第2实施方式涉及的传感器装置的变形例的结构图，是具有能够对分支部与连接布线以及元件之间的连接状态进行选择的开关的构成。

图14是表示图3所示的本发明的第3实施方式涉及的传感器装置的变形例的结构图，是具有能够对分支部与连接布线以及元件之间的连接状态进行选择的开关的构成。

图15是本发明的第5实施方式涉及的传感器装置的结构图。

具体实施方式

以下，针对本发明的实施方式涉及的传感器装置，参照附图详细说明。另外，在以下说明的各附图中对相同的构成构件附加相同的符号。此外，各构件的大小以及构件彼此之间的距离等是示意性图示，有时与实物不同。

此外，传感器装置虽然可以将任一个方向设为上方或者下方，但是以下为方便起见，定义正交坐标系xyz并将z方向的正侧设为上方，使用上表面、下表面等用语。

(第1实施方式)

图1是用于说明本发明的第1实施方式涉及的传感器装置100A的原理的简要图。

如图1所示，本发明的第1实施方式涉及的传感器装置100A具有：第1信号产生器SG1、第2信号产生器SG2、检测元件110、参考元件120、第1连接布线115、第2连接布线125、计算部140以及测量部150。

(第1信号产生器SG1)

第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1以及与第1频率不同的第2频率的信号f2之中的至少一个。其中，第1信号产生器SG1不限定于第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2，也可以是能够产生第3频率的信号等上述以外的频率的信号的产生器。

在本实施方式中，第1信号产生器SG1能够有选择地与第1连接布线115以及检测元件110中的任一个连接。并且，如图1(a)所示，在与第1连接布线115连接的状态下产生第1频率的信号f1，如图1(b)所示，在与检测元件110连接的状态下产生第1频率的信号f1。

(第2信号产生器SG2)

第2信号产生器SG2产生第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2之中的至少一个。其中，与第1信号产生器SG1同样，第2信号产生器SG2不限定于第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2，也可以是能够产生第3频率的信号等上述以外的频率的信号的产生器。

在本实施方式中，第2信号产生器SG2能够有选择地与第2连接布线125以及参考元件120中的任一个连接。并且，如图1(a)所示，在与第2连接布线125连接的状态下产生第2频率的信号f2，如图1(b)所示，在与参考元件120连接的状态下产生第1频率的信号f1。

在此，至少第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2之中的任一个信号产生器能够产生第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2这两者。另一个信号产生器只要仅产生第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2中的任一个信号即可。在本实施方式中，如图1(a)以及图1(b)所示，第1信号产生器SG1仅产生第1频率的信号f1，第2信号产生器SG2采用产生第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2这两者的构成。

(检测元件110)

虽然检测元件110在本实施方式中不是必需的(在后述的各传感器装置中也是同样)，其具有存在于检测样品中的目标物所吸附的、或者该目标物不吸附但是却根据与目标物的反应而质量发生变化的检测部111。

该检测部111例如能够通过将具有使目标物特别地被吸附这样的反应性的反应基固定化于不受检测样品的导电率等电气性质影响的金(Au)的膜来实现。例如，可以将与目标物特别结合的DNA、RNA或者抗体等固定化于Au膜上。通过这样的构成，检测部111的质量就会根据目标物的量而发生变化。另外，即使不使目标物本身被吸附，只要是与目标物特别地发生反应，且检测部111的质量因该反应而发生变化的构成即可。例如，也可以将具有与目标物反应且不与检测样品中存在的目标物以外的物质反应这样的特性的反应基固定化于Au的膜。另外，优选该Au膜电接地。通过这样的构成，则检测部111的质量就根据目标物的量而发生变化。

在本实施方式中，检测元件110能够与第1信号产生器SG1连接，在图1(a)中未连接，在图1(b)中连接着。

并且，如图1(b)所示，在将检测元件110与第1信号产生器SG1连接的状态下，从第1信号产生器SG1对检测元件110给出输入信号。这样给出到检测元件110的输入信号在通过检测部111时，受到与检测部111的质量变化等相应的变化，作为检测信号被输出。

(参考元件120)

参考元件120在本实施方式中不是必需的(在后述的各传感器装置中也同样)，其具有不吸附检测样品中存在的目标物、或者不与目标物反应的参考部121。来自参考元件120的输出被用作相对于来自检测元件110的输出的基准值。

该参考部121例如不具有对检测样品中存在的目标物特别吸附、或发生构造变化而与检测样品中的物质引发置换反应这样的反应性。具体来说，能够使用具有不将上述的反应基固定化的Au的膜或者与上述的反应基相同程度的物质量，且将具有随机的核苷酸序列的DNA、RNA等固定化于Au膜上的构成。通过这样的构成，能够抑制参考部121依赖于目标物的量而发生质量变化。

在本实施方式中，参考元件120能够与第2信号产生器SG2连接，在图1(a)中未连接，在图1(b)中连接着。

并且，如图1(b)所示，在参考元件120与第2信号产生器SG2连接的状态下，从第2信号产生器SG2向参考元件120给出输入信号。这样给出到参考元件120的输入信号在通过参考部121时，受到与参考部121相应的变化，作为参考信号被输出。

如以上这样得到的检测信号以及参考信号是交流信号，参考信号起到作为相对于检测信号的基准的作用。

(第1连接布线115)

第1连接布线115具有将计算部140与第1信号产生器SG1连接的作用。

在本实施方式中，第1连接布线115如图1(a)所示与计算部140连接，并且如图1(a)以及图1(b)所示与第1信号产生器SG1有选择地连接。

并且，如图1(a)所示，在经由第1连接布线115将计算部140与第1信号产生器SG1连接的状态下，通过从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1，从而计算部140得到第1基准信号。

(第2连接布线125)

第2连接布线125具有将计算部140与第2信号产生器SG2连接的作用。

在本实施方式中，第2连接布线125如图1(a)所示与计算部140连接，并且如图1(a)以及图1(b)所示有选择地与第2信号产生器SG2连接。

并且，如图1(a)所示，在经由第2连接布线125将计算部140与第2信号产生器SG2连接的状态下，通过从第2信号产生器SG2产生第2频率的信号f2，从而计算部140得到第2基准信号。

(计算部140)

计算部140能够基于从第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2产生的信号，算出基准电压。计算部140例如能够由混频器和低通滤波器构成。

具体来说，在本实施方式中，计算部140如图1(a)所示在经由第1连接布线115与第1信号产生器SG1连接的状态下接受从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1而得到的第1基准信号，并且在经由第2连接布线125与第2信号产生器SG2连接的状态下接受从第2信号产生器SG2产生第2频率的信号f2而得到的第2基准信号。然后，能够从这些第1基准信号以及第2基准信号生成基准相位差，并且根据第1基准信号以及第2基准信号通过外差方式来算出与上述的基准相位差对应的基准电压。

这样，根据本实施方式涉及的传感器装置100A，能够由传感器装置本身简单地得到基准电压。因此，例如，在算出基准电压后将信号产生器与元件等连接来进行检测电压的测定的情况下，能够减少因装置本身的温度等环境特性引起的测定偏差以及因元件特性引起的信号的大小以及频率的偏差的产生。

例如，能够在出厂时等将算出基准相位差以及相对于该基准相位差的基准电压的数据预先保存在传感器装置100A的计算部140等中。据此，通过对该数据和在刚刚测定之前重新算出基准相位差以及相对于该基准相位差的基准电压后得到的值进行比较，能够对传感器装置100A的状态(正常还是有故障)进行诊断。针对这样的构成、功能以及效果，在后述的各传感器装置中也同样能够具备。

此外，在使用如上述这样的检测元件110以及参考元件120来进行测定的情况下，根据这些检测元件110以及参考元件120的特性数据，对从第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2产生的信号的频率以及信号的大小进行设定即可。通过在这样的条件下，算出基准相位差以及与该基准相位差相对应的基准电压，从而能够减少因元件特性引起的信号的大小以及频率的偏差的产生。针对这样的构成、功能以及效果，在后述的各传感器装置中也同样能够具备。

此外，计算部140还能够通过与检测元件110以及参考元件120连接，从而算出检测电压。

具体来说，计算部140如图1(b)所示在与第1信号产生器SG1以及检测元件110连接的状态下，接受从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1而得到的第1检测信号，并且在与第2信号产生器SG2以及参考元件120连接的状态下，接受从第2信号产生器SG2产生第1频率的信号f1而得到的第2检测信号(第1参考信号)。然后，能够从这些第1检测信号以及第1参考信号通过外差方式算出检测电压。

另外，在图1(a)的状态下，计算部140也可以不与检测元件110以及参考元件120连接。据此，通过利用检测元件110以及参考元件120使寄生电容产生等，从而能够有效抑制对于准确测定的妨碍。作为示出这样的连接状态的例子，例如，列举图11(a)、图12(a)、图13(a)以及图14(a)。此外，在图1(b)的状态下，计算部140也可以不与第1连接布线115以及第2连接布线125连接。据此，通过利用第1连接布线115以及第2连接布线125使寄生电感等产生，从而能够有效抑制对于准确测定的妨碍。作为表示这样的连接状态的例子，例如，列举图11(b)、图12(b)、图13(b)以及图14(b)。

(测量部150)

测量部150在本实施方式中不是必需的(在后述的各传感器装置中也同样)，其参照上述的基准电压，来算出与上述的检测电压对应的多个相位候补值，并且选择多个相位候补值之中的1个即检测相位差(还具有后述的选择部160的作用)。

具体来说，在计算部140中，由于通过外差方式来对检测电压进行处理，所以如图5所示，检测电压成为正弦曲线，作为与电压的强度(输出值)y1相当的相位候补值而存在2个值x1、x2。所谓该相位候补值是表示检测信号与参考信号的检测相位差的值。

并且，在本实施方式中，作为检测相位差的选择方法，首先根据检测电压通过外差方式来算出相位候补值。在此，由于通过外差方式对检测电压进行处理，所以信号成为夹着0°而正负对称的正弦曲线，在相位候补值存在正负2个值。接着，确认检测电压随时间的变化。检测元件110由于具有质量单调变化这样的特性，所以相对于检测电压的相位随时间经过而单调变化。利用该特性可知，例如，若检测电压的强度增加则是负的相位差，若检测电压的强度减少则是正的相位差。即，通过确认检测电压随时间的变化，从而能够判定相位差的正负。这样，根据本实施方式涉及的传感器装置100A，能够根据2个相位候补值来决定1个检测相位差。

另外，如后述的第2实施方式涉及的传感器装置100B这样，也可以设为具有检测量算出部170的构成，在该情况下，能够基于如上述这样选择出的检测相位差来算出检测样品的检测量。通过如这样来构成，从而能够提供一种能算出检测样品所具备的目标物的检测量的传感器装置。

此外，本实施方式涉及的传感器装置100A在基准电压的算出以及检测电压的算出中，通过外差方式来对信号进行处理，但并不限于此，也可以对于基准电压的算出以及检测电压的算出通过正交调制方式等其他方式对信号进行处理。若是通过外差方式对信号进行处理的构成，则仅追加取检测信号与参考信号的差分的计算部即混频器以及低通滤波器就能够算出检测样品检测量。由此，与利用SAW传感器等在相位差的测定中使用的正交调制方式相比，信号处理能简化，能够减少必要部件件数，能小型化，并且能够抑制消耗电流。

(第2实施方式)

本发明的第2实施方式涉及的传感器装置100B如图2所示具有：第1信号产生器SG1、第2信号产生器SG2、检测元件110、参考元件120、第1连接布线115、第2连接布线125、分支部130、计算部140、测量部150、选择部160以及检测量算出部170。

本实施方式涉及的传感器装置100B与第1实施方式涉及的传感器装置100A相比，还具有分支部130、选择部160以及检测量算出部170，并且计算部140具有第1计算部141以及第2计算部142。

在以下的说明中，针对与第1实施方式涉及的传感器装置100A相同的构成，有时省略说明。

(第1连接布线115)

第1连接布线115具有将第1分支部131与第1信号产生器SG1连接的作用。即，在本实施方式中，第1连接布线115经由第1分支部131而将第1计算部141与第1信号产生器SG1连接。

在本实施方式中，第1连接布线115如图2(a)所示与第1分支部131连接，并且如图2(a)以及图2(b)所示有选择地与第1信号产生器SG1连接。

(第2连接布线125)

第2连接布线125具有将第2分支部132与第2信号产生器SG2连接的作用。即，在本实施方式中，第2连接布线125经由第2分支部132将第2计算部142与第2信号产生器SG2连接。

在本实施方式中，第2连接布线125如图2(a)所示与第2分支部132连接，并且如图2(a)以及图2(b)所示有选择地与第2信号产生器SG2连接。

(分支部130)

在本实施方式中，分支部130具有第1分支部131以及第2分支部132。第1分支部131以及第2分支部132能够例如由分离器构成，能够使由其中一个分离器分支的2个信号的相位彼此偏离。

首先，在图2(a)所示这样的连接状态下，利用第1分支部131以及第2分支部132来得到第1基准信号以及第2基准信号。具体来说，如下这样。

第1分支部131如图2(a)所示在利用第1连接布线115将第1分支部131与第1信号产生器SG1连接的状态下，通过从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1，从而得到第1基准信号。然后，将该第1基准信号分支成第1分支信号和第2分支信号。在此，第1分支信号和第2分支信号是相位相同的信号。即，将第1基准信号分支成2个相同的信号A。

第2分支部132如图2(a)所示在利用第2连接布线125将第2分支部132与第2信号产生器SG2连接的状态下，通过从第2信号产生器SG2产生第2频率的信号f2，从而得到第2基准信号。然后，将该第2基准信号分支成第3分支信号和第4分支信号。在此，第3分支信号是与第1分支信号相同的相位。第4分支信号的相位从第3分支信号偏离。其中，作为使相位偏离的值，将180°除外。在该例子中，偏离90°相位。在图2中，以B表示第3分支信号，以B’表示第4分支信号。据此，通过使第4分支信号的相位相对于第1～第3分支信号偏离90°，从而由于在第1检测电压成为灵敏度最低时，第2检测电压成为灵敏度最高的区域，所以能够设为高灵敏度。

另外，在本实施方式涉及的传感器装置100B中，虽然示出使相位偏离而将参考信号分支成第3分支信号和第4分支信号的例子，但是除此以外，也可以输出使相位从检测信号偏离而分支的信号。此外，虽然说明了使第4分支信号的相位相对于第1分支信号偏离90°的例子，但是只要是除180°以外的值，也可以是90°以外。

另外，例如，也可以由第1分支部131使信号分支成2个而得到同一相位的分支信号，并且由第2分支部132使信号分支成2个后，通过使一者的线路长与另一者的线路长不同，从而在分支信号间使相位偏离。

在此，在分支部130(第1分支部131以及第2分支部132)中，将各分支信号的相位的偏离设定成：使在后述的第1计算部141中作为从第1分支信号A中减去第3分支信号B后的值而算出的第1基准相位差与在后述的第2计算部142中作为从第2分支信号A中减去第4分支信号B’后的值而算出的第2基准相位差成为不同的值。针对这样的相位的偏离的设定，在其他分支部130以及其他实施方式的传感器装置100中也是同样的。

接着，在图2(b)所示这样的连接状态下，利用第1分支部131以及第2分支部132与上述的基准信号同样地得到检测信号以及参考信号。具体如下这样。

如图2(b)所示，第1分支部131在不使用第1连接布线115地将第1信号产生器SG1、检测元件110以及第1分支部131连接的状态下，通过从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1，从而得到检测信号。然后，将该检测信号分支成第1分支信号和第2分支信号。在此，第1分支信号和第2分支信号是相位相同的信号。即，将检测信号分支成2个相同的信号。在图2中，第1分支信号以及第2分支信号均以符号A表示。

如图2(b)所示，第2分支部132在不使用第2连接布线125地将第2信号产生器SG2、参考元件120以及第2分支部132连接的状态下，通过从第2信号产生器SG2产生第1频率的信号f1，从而得到参考信号。然后，将该参考信号分支成第3分支信号和第4分支信号。在此，第3分支信号是与第1分支信号相同的相位。第4分支信号使相位从第1分支信号偏离除180°以外的值。在本例中，偏离90°相位。在图2中，第3分支信号以符号B表示，第4分支信号以符号B’表示。

(计算部140)

在本实施方式中，计算部140具有第1计算部141和第2计算部142。

计算部140根据将上述的第1基准信号或者检测信号分支后得到的第1分支信号A以及第2分支信号A和将第2基准信号或者参考信号分支后得到的第3分支信号B以及第4分支信号B’，例如通过外差方式得到基准电压或者检测电压。得到基准电压以及检测电压的哪一个根据信号产生器与元件的连接的有无来确定。第1计算部141以及第2计算部142能够由例如混频器和低通滤波器构成。

具体来说，如上所述，在如图2(a)所示将各构成要素连接的状态下，第1计算部141得到从第1分支信号A中减去第3分支信号B后得到的值即第1基准相位差，通过外差方式得到与该第1基准相位差对应的第1基准电压，并且第2计算部142得到从第2分支信号A中减去第4分支信号B’后得到的值即第2基准相位差，通过外差方式算出与该第2基准相位差对应的第2基准电压。

此外，在如图2(b)所示将各构成要素连接的状态下，第1计算部141得到从第1分支信号A中减去第3分支信号B后得到的值即第1检测相位差，通过外差方式得到与该第1检测相位差对应的第1检测电压，并且第2计算部142得到从第2分支信号A中减去第4分支信号B’后得到的值即第2检测相位差，通过外差方式算出与该第2检测相位差对应的第2检测电压。

这样，根据本实施方式涉及的传感器装置100B，通过在变更2个信号产生器与2个计算部的连接构成的同时，从2个信号产生器产生规定的频率的信号，从而能够由传感器装置本身简单地算出图6(a)所示这样的基准电压。此外，能够起到与上述的第1实施方式涉及的传感器装置100A相同的效果。

(测量部150)

测量部150从第1检测电压算出2个第1相位候补值，将其中的一个判断为第1检测相位差。同样地，从第2检测电压算出2个第2相位候补值，将其中一个判断为第2检测相位差。

在此，在本实施方式中，由于也通过外差方式对第1检测电压以及第2检测电压进行处理，所以第1检测电压以及第2检测电压分别成为图5(a)所示这样的正弦曲线，作为与电压的强度(输出值)y1相当的相位候补值而存在2个值x1、x2。所谓相位候补值，表示检测信号与参考信号的检测相位差。

具体来说，若对第1检测电压以及第2检测电压进行研究，则相对于第1检测电压存在2个第1相位候补值x11、x21。同样地，相对于第2检测电压存在2个第2相位候补值x12、x22。在此，在x11与x12的组合、x11与x22的组合、x21与x12的组合、以及x21与x22的组合这总计4个组合之中，将以值(相位差的值)最接近的候补值来构成组合的相位候补值分别作为与第1检测电压对应的第1检测相位差以及与第2检测电压对应的第2检测相位差。即，对4个组合分别求取差，选择该值最小的组合。然后，将形成选择出的组合的相位候补值分别作为与第1检测电压对应的第1检测相位差以及与第2检测电压对应的第2检测相位差。这成为以下的机制。

即，在理论上，第1基准电压的2个第1相位候补值之中的1个和第2基准电压的2个第2相位候补值之中的1个成为相同。该相同的值是正的相位差(第1基准相位差、第2基准相位差)。但是，在实际测定的第1检测电压以及第2检测电压中，存在因误差而无法完全取同一值的可能性。由此，将差最少的组合(即取最近的值的组合)作为是正的相位差，判别为第1检测相位差以及第2检测相位差。

(选择部160)

选择部160从由测量部150得到的第1检测相位差以及第2检测相位差中选择1个检测相位差。

具体来说，将如上述那样得到的第1检测相位差以及第2检测相位差之中信号的输出值(例如，V1、V2)接近于规定的基准值的一方选择为检测相位差。据此，能够以规定的基准值为基准来确定应选择的检测相位差。在此，作为基准值，例如，能够设定0(零)或者2个交点强度的中点等。在使用图6所示那样的理论性的轨迹的情况下，作为基准值的2个交点强度的中点为零。另外，作为基准值，不限于2个交点强度的中点，而考虑第1检测电压以及第2检测电压，设定成能够得到高灵敏度的检测电压这样的适当的值即可。

这样，根据本实施方式，由于如上所述通过外差方式使用2个检测信号(第1以及第2检测信号)来进行信号处理，所以能够根据相位候补值来判断相位差。因此，与使用1个检测信号的情况相比，能够在较广的相位范围内进行测定。

(检测量算出部170)

检测量算出部170与选择部160连接。

在检测量算出部170中，使用由选择部160选择的检测相位差，算出检测样品的检测量。例如，检测量算出部170预先具有与标准检测样品的检测量相关的数据，通过将该数据与实际测定中得到的值进行对比，从而能够算出检测样品的检测量。

通过具有以上这样的构成，从而能够提供一种能算出检测样品所具备的目标物的检测量的传感器装置。

根据以上这样的本实施方式涉及的传感器装置100B，能够起到与上述的第1实施方式涉及的传感器装置100A相同的效果。

除此以外，具有以下这样的效果。

首先，由于在通常的外差方式中不伴随相位差的正负的判断，所以能测定的相位范围仅是0°至180°的范围。相对于此，根据本实施方式涉及的传感器装置100B，通过将第1检测电压以及第2检测电压与第1相位候补值以及第2相位候补值进行比较，从而能够判断与相位候补值的相位的正负，并推定检测相位差。由此，能够将能测定的相位范围扩大成-180°至180°。进一步地，通过连续地测定第1检测电压以及第2检测电压的电压强度的变化，从而在超过180°的相位范围内也能够进行测定。

此外，在通常的外差方式中，由于检测电压描绘正弦曲线，所以相位差为0°以及±180°且倾斜度变小，存在灵敏度变低或误差变大的可能性。相对于此，根据本实施方式涉及的传感器装置100B，省去倾斜度变小的区域，在整个相位范围内使用倾斜度大的检测电压。由此，能够作为相对于相位变化而电压变化率高的装置，能够成为高灵敏度。特别是，在传感器装置中，相位差0°附近大多相当于因目标物检测导致的信号变化的上升部分，期望以高灵敏度来测定，所以本实施方式涉及的传感器装置100B能够发挥优异的效果。

进一步地，由于使用上述这样的2个检测电压(第1检测电压、第2检测电压)，所以能够进行噪声判定。这是基于以下这样的机制。虽然有时会在检测信号以及参考信号中混入噪声，但是通常很难将这样的噪声判别为噪声。相对于此，根据本实施方式涉及的传感器装置100B，在不混入噪声就能够正确地测定的情况下，第1检测电压以及第2检测电压中的一方的电压强度取进入交点强度Vmax以及Vmin之间的范围的值，另一方取脱离该范围的值。换言之，在第1检测电压以及第2检测电压的任一个或取该范围内的值或取该范围外的值的情况下，能够判断为是噪声。这样，由于能够判别噪声，所以例如在判断为噪声混入了的情况下，不采用该测定结果，而通过再次进行测定等，就能够不受噪声影响地进行更准确的测定。

(第2实施方式的变形例)

在此，以下说明在上述的第2实施方式涉及的传感器装置100B中测量部150以及选择部160的内容所不同的变形例。针对这以外的构成，与第2实施方式涉及的传感器装置100B相同。以下，详细说明本变形例的测量部150’以及选择部160’。

(测量部150’)

测量部150’根据第1检测电压算出2个第1相位候补值，将其中的一个判断为第1检测相位差。同样地，根据第2检测电压算出2个第2相位候补值，将其中一个判断为第2检测相位差。

具体来说，预先求取相对于第1检测电压与第2检测电压的相位差的轨迹，并求取第1检测电压与第2检测电压的交点处的正负2个强度。然后，将第1检测电压和第2检测电压之中处于交点处的正负2个强度之间的电压选择为检测电压。具体来说，如以下这样。

图6(a)是表示第1检测电压以及第2检测电压的理论值的轨迹的图。在本实施方式中，将图6(a)中的第1检测电压的理论值视作第1基准电压，将第2检测电压的理论值视作第2基准电压，以此为基准进行实际测定对检测样品进行传感即可。方便起见，将第1检测电压的强度作为V1，将第2检测电压的强度作为V2，从较大的值开始按顺序将第1检测电压的轨迹与第2检测电压的轨迹的交点的强度设为Vmax以及Vmin。此外，以断续线表示第1检测电压的轨迹，以实线表示第2检测电压的轨迹。理论上，交点的强度Vmax以及Vmin成为V1以及V2的最大强度的0.5倍以及-0.5倍。

在此，按第1检测电压以及第2检测电压取任一个交点的强度的每个相位值对相位值的区间进行划分。在图6(a)中示出区间1～区间5。另外，将区间1～区间4反复，区间1和区间5成为相同。并且，在区间1中将第2检测电压选择为检测电压，在区间2中将第1检测电压选择为检测电压，在区间3中将第2检测电压选择为检测电压，在区间4中将第1检测电压选择为检测电压，在区间5中将第2检测电压选择为检测电压。换言之如以下这样。

V1＞V2，并且V1＞Vmax…采用V2作为检测电压

V1＜V2，并且V2＞Vmax…采用V1作为检测电压

V1＜V2，并且V1＜Vmin…采用V2作为检测电压

V1＞V2，并且V2＜Vmin…采用V1作为检测电压

在假设V1＝V2的情况下，哪一个都可以采用为检测电压。

图6(b)示出如以上这样选择的检测电压的轨迹。

(选择部160’)

选择部160’从由测量部150’得到的第1检测相位差以及第2检测相位差中选择1个检测相位差。

具体来说，当将第1检测电压设为检测电压时，将第1检测相位差作为检测相位差，当将第2检测电压设为检测电压时，将第2检测相位差作为检测相位差。

如以上这样，能够使用由选择部160’选择的检测相位差，与第2实施方式涉及的传感器装置100B的检测量算出部170同样地，算出检测样品的检测量。

(第3实施方式)

本发明的第3实施方式涉及的传感器装置100C如图3所示具有：第1信号产生器SG1、第2信号产生器SG2、检测元件110、参考元件120、元件分支部105、第1连接布线115、第2连接布线125、分支部130、计算部140、测量部150、选择部160以及检测量算出部170。以下，有时针对与上述的第1以及第2实施方式涉及的传感器装置100A、100B相同的构成省略说明。

在上述的实施方式涉及的传感器装置100A、100B中，如图1以及图2所示，具有第1信号产生器SG1能与检测元件110连接且第2信号产生器SG2能与参考元件120连接的构成。

相对于此，如图3所示，本实施方式涉及的传感器装置100C具有与检测元件110以及参考元件120连接的元件分支部105。并且，第1信号产生器SG1不与元件分支部105连接，第2信号产生器SG2能够与元件分支部105连接。

并且，如图3(b)所示，从第2信号产生器SG2产生的信号经由元件分支部105输入到检测元件110以及参考元件120。被输入的信号在之后遵循与上述的第2实施方式涉及的传感器装置100B相同的路径被检测/处理。在此，元件分支部105例如能够由分离器构成。另外，作为变形例，可以采用以下构成：不采用元件分支部105地将从第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2中的一方产生的信号分支为2个，并输入到检测元件110以及参考元件120等多个元件。在该情况下，在元件存在3个以上的情况下，设置能够有选择地连接到如上述那样分支为2个信号所被输入的2个元件的开关即可。

在本实施方式涉及的传感器装置100C中，从第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2输出的信号如以下这样。设为以下形式即可：在图3(a)的连接状态下，从第1信号产生器SG1输出第1频率的信号f1，从第2信号产生器SG2输出第2频率的信号f2，在图3(b)的连接状态下，从第2信号产生器SG2输出第1频率的信号f1。

如以上这样，在本实施方式涉及的传感器装置100C中，也与上述的实施方式相同地，在将计算部140与第1信号产生器SG1连接的状态下，从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1，在将计算部140与第2信号产生器SG2连接的状态下，从第2信号产生器SG2产生第2频率的信号f2，由此能够由传感器装置本身简单地得到基准相位差，能够算出与该基准相位差对应的基准电压。

除此以外，在本实施方式涉及的传感器装置100C中，也能起到与上述的第2实施方式涉及的传感器装置100B相同的效果。

(第4实施方式)

如图4所示，本发明的第4实施方式涉及的传感器装置100D具有：第1信号产生器SG1、第2信号产生器SG2、检测元件110a、检测元件110b、参考元件120a、参考元件120b、元件分支部105、第1连接布线115、第2连接布线125、分支部130、计算部140、测量部150、选择部160以及检测量算出部170。以下，有时针对与第1～第3实施方式涉及的传感器装置100A～100C相同的构成省略说明。

在上述的实施方式涉及的传感器装置100A～100C中，如图1～图3所示，检测元件110以及参考元件120各1个，具有将第1分支部131与1个检测元件110连接，并且将第2分支部132与1个参考元件120连接的构成。

相对于此，本实施方式涉及的传感器装置100D，如图4所示，将检测元件110以及参考元件120分别设为2个，能够将第1分支部131有选择地与2个检测元件110a、110b连接，并且能够将第2分支部132有选择地与2个参考元件120a、120b连接。

这些2个检测元件110a、110b可以相同，也可以不同，在不同的情况下，将不同的DNA、RNA或者抗体等固定于Au膜，以使得各自所特别吸附的目标物的种类不同即可。

具体来说，使第1分支部131能够利用开关136a有选择地与2个检测元件110a、110b之中的任一个连接，且使第2分支部132能够利用开关136b有选择地与2个参考元件120a、120b之中的任一个连接即可。

据此，能够在不变更继分支部130之后的构成(即计算部140、测量部150、选择部160以及检测量算出部170的构成)的情况下，一次对(通过使用1个检测样品)检测样品中包含的2个以上的检测对象进行检测。

如以上这样，在本实施方式涉及的传感器装置100D中，与上述的实施方式同样地，通过在将计算部140与第1信号产生器SG1连接的状态下，从第1信号产生器SG1产生第1频率的信号f1，在将计算部140与第2信号产生器SG2连接的状态下，从第2信号产生器SG2产生第2频率的信号f2，从而能够由传感器装置本身简单地得到基准相位差，能够算出与该基准相位差对应的基准电压。

除此以外，在本实施方式涉及的传感器装置100D中，也能够起到与上述的第2实施方式涉及的传感器装置100B相同的效果。

另外，除了上述的连接构成以外，如图4的各开关135、136的构成所示，例如，也可以使得能够将第1分支部131以及第2分支部132各自任意地对2个检测元件以及2个参考元件中的任一个连接。

此外，除了上述的元件构成以外，例如，也可以将检测元件设为3个，将参考元件设为1个。在该情况下，只要是第1分支部以及第2分支部中的任一个与参考元件连接的构成即可，对另一个并不特别限定于与3个检测元件的哪一个连接，而是能够根据检测对象的种类·数目来适当地设定。

(第5实施方式)

本发明的第5实施方式涉及的传感器装置101如图15所示具有：信号产生器SG、检测元件110、参考元件120、第1连接布线115、第2连接布线125、计算部140以及测量部150。

本实施方式涉及的传感器装置101与第1实施方式涉及的传感器装置100A相比，在取代具备第1信号产生器SG1以及第2信号产生器SG2这2个信号产生器而具备1个信号产生器SG这点上不同。

在以下的说明中，有时针对与第1实施方式涉及的传感器装置100A相同的构成省略说明。

(信号产生器SG)

信号产生器SG产生与第1频率的信号f1以及第1频率不同的第2频率的信号f2。其中，信号产生器SG不限定于第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2，也可以能够产生第3频率的信号等上述以外的频率的信号

在本实施方式中，信号产生器SG具有：输出第1频率的信号f1以及所述第2频率的信号f2之中的至少一个的第1输出部；以及输出第1频率的信号f1以及第2频率的信号f2之中的至少一个的第2输出部。第1输出部能够有选择地与第1连接布线115以及检测元件110中的任一个连接，第2输出部能够有选择地与第2连接布线125以及检测元件120中的任一个连接。并且，如图15(a)所示，第1输出部在与第1连接布线115连接的状态下产生第1频率的信号f1，第2输出部在与第2连接布线125连接的状态下产生第2频率的信号f2，如图15(b)所示，第1输出部在与检测元件110连接的状态下产生第1频率的信号f1，第2输出部在与检测元件120连接的状态下产生第1频率的信号f1。

信号产生器SG只要能够从第1输出部以及第2输出部同时输出信号即可。例如，在图15(a)这样的连接状态下，从第1输出部输出信号f1，与此同时从第2输出部输出频率与信号f1不同的信号f2。在图15(b)这样的连接状态下，从第1输出部输出信号f1，与此同时也从第2输出部输出信号f1。

(传感器装置100A的元件构成)

接着，说明将本发明的实施方式涉及的传感器装置的原理具体化的构成。以下，作为实施方式的一例，使用图7～图9，说明将本发明的第1实施方式涉及的传感器装置100A的元件(检测元件110以及参考元件120)具体化的构成。

元件(检测元件110以及参考元件120)如图7(a)的立体图所示，在外观上主要由压电基板1和盖子3构成。在盖子3设置作为检测样品溶液的流入口的第1贯通孔18和作为空气孔或者检测样品溶液的流出口的第2贯通孔19。

在图7(b)中示出将盖子3的单侧一半去掉时的传感器装置100A的立体图。如图7(b)所示，在盖子3的内部形成成为检测样品(溶液)的检测样品用流路的空间20。第1贯通孔18与该空间20相连。即，从第1贯通孔18进入的检测样品会流入空间20。

流入到空间20的检测样品液中包含目标物，该目标物与由形成在压电基板1上的金属膜7等构成的检测部反应。

图8示出传感器装置100A的元件(检测元件110以及参考元件120)的剖面图。图8(a)是图7(a)的VIa-VIa线的剖面图，图8(b)是图7(a)的VIb-VIb线的剖面图。图9示出压电基板1的俯视图。

如图8、图9所示，在压电基板1的上表面形成检测第1IDT电极5a、检测第2IDT电极6a、参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b。检测第1IDT电极5a以及参考第1IDT电极5b用于产生规定的SAW，检测第2IDT电极6a以及参考第2IDT电极6b用于接收分别由检测第1IDT电极5a以及参考第1IDT电极5b产生的SAW。检测第2IDT电极6a配置在由检测第1IDT电极5a产生的SAW的传播路径上，以便使检测第2IDT电极6a能够接收由检测第1IDT电极5a产生的SAW。参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b也同样配置。

检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a分别经由布线8而与焊盘9连接。经由这些焊盘9以及布线8从外部向检测第1IDT电极5a输入信号，从检测第2IDT电极6a向外部输出信号。由于参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b与检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a同样，所以以下适当省略说明。

检测第1IDT电极5a、检测第2IDT电极6a、参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b由保护膜4覆盖。保护膜4有助于防止各电极以及布线的氧化等。

如图8(b)所示，检测第1IDT电极5a容纳在第1振动空间11a中，检测第2IDT电极6a容纳在第2振动空间12a中。由此，检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a与外部空气以及检测样品液隔离，能够保护检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a不受水分等腐蚀物质影响。此外，通过确保第1振动空间11a以及第2振动空间12a，从而能够在检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a中设为SAW的激振没有受到很大妨碍的状态。

在板状体2的用于形成第1振动空间11a以及第2振动空间12a的凹部之间，形成在厚度方向上贯通板状体2的部分即贯通部。该贯通部为了在SAW的传播路径上形成金属膜7a而设置。即，当将板状体2与压电基板1接合时，在俯视下，从检测第1IDT电极5a向检测第2IDT电极6a传播的SAW的传播路径的至少一部分从贯通部露出，在该露出部形成金属膜7a。

同样地，在板状体2的用于形成第1振动空间11b以及第2振动空间12b的凹部之间，形成在厚度方向上贯通板状体2的部分即另一贯通部。该贯通部为了在SAW的传播路径上形成金属膜7b而设置。

这样的形状的板状体2例如能够使用感光性的抗蚀剂来形成。

从板状体2的贯通部露出的金属膜7a构成检测样品液的检测部。金属膜7a例如成为铬(Cr)层以及在铬层上成膜的金(Au)层这2层构造。在金属膜7a的表面，例如，固定化由核酸或者缩氨酸构成的适体。若如这样检测样品液与固定化了适体的金属膜7a接触，则检测样品液中的特定的目标物物质与对应于该目标物物质的适体相结合。通过设为这样的构成，从而随着检测样品中的目标物物质与适体结合、吸附，金属膜7a的质量会单调增加。即，质量与检测样品中的目标物物质的量相应地单调增加。另外，在此，金属膜7a的质量单调增加仅是检测样品被连续地供给到金属膜7a上的期间。

此外，从板状体2的另一贯通部露出的金属膜7b构成参考部。金属膜7b例如成为铬层以及在铬层上成膜的金层这2层构造。在金属膜7a的表面，不附加固定化于金属膜7a这样的适体，以使得对检测样品不表示出反应性。进一步地，也可以进行相对于检测样品溶液使反应性降低而稳定化这样的表面处理。

要利用SAW来测定检测样品溶液的性质等，首先，对检测第1IDT电极5a经由焊盘9以及布线8从外部的测定器施加规定的电压(信号)。这样，在检测第1IDT电极5a的形成区域，压电基板1的表面被激振，产生具有规定的频率的SAW。产生的SAW的一部分通过检测第1IDT电极5a与检测第2IDT电极6a之间的区域，到达检测第2IDT电极6a。此时，在金属膜7a中，固定化于金属膜7a的适体与检测样品中的特定的目标物物质相结合，金属膜7a的重量(质量)会变化所结合的量，所以通过金属膜7a之下的SAW的相位特性等发生变化。若如这样特性变化了的SAW到达检测第2IDT电极6a，则在检测第2IDT电极6a产生与其相应的电压。该电压作为交流信号的检测信号经由布线8以及焊盘9输出到外部，通过经由图1所示的分支部130以及计算部140对其进行处理，从而能够调查检测样品液的性质或者成分。

即，由压电基板1、形成在压电基板1上的作为检测部的金属膜7a、检测第1IDT电极5a以及检测第2IDT电极6a构成检测元件110A。

同样地，在同一空间20设置未固定有适体的另一金属膜7b，输入来自参考第1IDT电极5b的信号，将从参考第2IDT电极6b输出的交流信号作为在因温度特性等或者湿度等环境变化导致的信号变动的校正中使用的参考信号。

即，由压电基板1、形成在压电基板1上的作为参考部的金属膜7b、参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b构成参考元件120A。

另外，如图9所示，构成检测第1IDT电极5a、检测第2IDT电极6a、参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b中的每一个的一对梳齿状电极中的一个与基准电位线31连接。该基准电位线31与焊盘9G连接而成为基准电位。并且，在构成检测第1IDT电极5a、检测第2IDT电极6a、参考第1IDT电极5b以及参考第2IDT电极6b中的每一个的一对梳齿状电极之中，将与基准电位连接的一侧的电极配置在配置有基准电位线31的一侧。换言之，将一对梳齿状电极之中位于内侧的一侧的电极与基准电位连接。通过这样来构成，从而能够在检测元件110A与参考元件120A之间抑制彼此的信号发生串扰。

本发明不限定于以上的实施方式，能够以各种方式来实施。

例如，可以采用如图10(a)所示这样的相对于上述的实施方式涉及的传感器装置的变形例。

在上述的实施方式涉及的传感器装置100A、100B中，说明了直接使用来自检测元件110以及参考元件120的信号的例子。相对于此，也可以如图10(a)所示的传感器装置100E1这样在检测元件110与第1分支部131之间以及参考元件120与第2分支部132之间分别配置低噪声放大器133(第1低噪声放大器133a、第2低噪声放大器133b)。据此，即使是下表面这样的情况，也能够得到高检测精度。

一般，在SAW传感器中，若灵敏度高则振幅特性的变化也大。由此，若设为通过调整保护膜4的厚度等来使灵敏度变高这样的设计，则存在损耗也变大而无法进行准确的测定的可能性。但是，通过这样使低噪声放大器133介于之间，从而能够使信号放大而得到高检测精度。另一方面，虽然若向计算部140输入的信号小，则存在噪声变多从而检测精度变低的可能性，但是通过使低噪声放大器133存在于向计算部140输入的输入路径上，从而能够使信号放大而得到高检测精度。低噪声放大器133优选设置在向计算部140输入的输入路径之中接近于各元件110、120的一侧。

此外，若增大输入到检测元件110以及参考元件120的信号，则存在彼此的输入信号相互之间或者这些输入信号与其他信号因串扰等而彼此带来坏影响的可能性。对此，通过如传感器装置100E1这样使低噪声放大器133存在于从检测元件110以及参考元件120输出的输出路径上，从而不增大要输入的信号就能够抑制上述这样的串扰而得到高检测精度。进一步地，若增大输入到检测元件110以及参考元件120的信号，则存在彼此的输入信号相互之间或者这些输入信号与其他信号作为电磁波而泄露到外部的可能性。对此，也是通过如传感器装置100E1这样使低噪声放大器133存在于从检测元件110以及参考元件120输出的输出路径上，从而不增大要输入的信号就能够抑制上述这样的电磁波向外部的泄露而得到高检测精度。

此外，也可以采用如图10(b)所示这样的相对于上述的实施方式涉及的传感器装置的变形例。

在上述的实施方式涉及的传感器装置100B～100D中，如图2～图4所示，在第2分支部132中，将第3分支信号设为与第1分支信号相同的相位，使第4分支信号从第1分支信号将相位偏离90°。第1～第4分支信号的相位的设定不限于此，只要设定为第1检测电压和第2检测电压具有除±180°以外的相位差即可。也可以如图10(b)所示的传感器装置100E2这样，例如，将第1分支信号和第2分支信号设为相同的相位，使第3分支信号相对于第1分支信号偏离-45°相位，并且使第4分支信号相对于第1分支信号偏离+45°相位。在该情况下，也能够起到与上述的实施方式涉及的传感器装置100B～100D相同的效果。

此外，也可以采用如图10(c)所示这样的相对于上述的实施方式涉及的传感器装置的变形例。

在上述的实施方式涉及的传感器装置100B～100D中，如图2～图4所示，第1分支部131以及第2分支部132分别分支成2个信号。也可以取代此，而设定为第1分支部131以及第2分支部132分别分支成3个或者这以上的信号。通过如图10(c)所示的传感器装置100E3这样，例如，在将第1分支部131以及第2分支部132分别分支成3个信号A、B、B’、B”的情况下，使用所得到的信号之中各2个通过外差方式得到具有彼此不同的相位差的3个检测电压，从而能够起到与上述传感器装置相同的效果。并且，在该情况下，即使是在3个检测电压的每一个中倾斜度小的区域较广的情况，换言之即使是能够灵敏度良好地测量各个检测电压的区域较狭小的情况，也能够设定为从3个检测电压中选择具有灵敏度更高的区域的检测电压，所以能够更有效地抑制灵敏度的降低。

此外，上述的实施方式涉及的传感器装置100在本发明的技术思想的范围内当然能够通过适当组合彼此的构成而设为不同方式的传感器装置。例如，可以将第1实施方式的传感器装置100A的一个构成与第2实施方式的传感器装置100B的另一个构成相组合。

符号的说明

1…压电基板

2…板状体

3…盖子

4…保护膜

5a…检测第1IDT电极

5b…参考第1IDT电极

6a…检测第2IDT电极

6b…参考第2IDT电极

7a，7b…金属膜

8…布线

9…焊盘

11a，11b…第1振动空间

12a，12b…第2振动空间

20…空间

31…基准电位线

100，100A，100B，100C，100D，100E1，100E2，100E3…传感器装置

105…元件分支部

110…检测元件

111…检测部

115…第1连接布线

120…参考元件

121…参考部

125…第2连接布线

130…分支部

131…第1分支部

132…第2分支部

133…低噪声放大器

135a，135b，135c，135d…元件侧开关

136a，136b…分支部侧开关

140…计算部

141…第1计算部

142…第2计算部

150…测量部

160…选择部

170…检测量算出部

SG…信号产生器

SG1…第1信号产生器

SG2…第2信号产生器

f1…第1频率的信号

f2…第2频率的信号

A，B，B’，B”…第1～第6分支信号