1.一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管，所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件，采用顶栅底接触型结构，所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件，采用底栅底接触型结构，该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层，组成互补反相器，所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接。
2.根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述的第一有机薄膜晶体管由下而上依次为第一有机薄膜晶体管源极/第二有机薄膜晶体管漏极、第一有机薄膜晶体管有机半导体、栅绝缘层和第一有机薄膜晶体管栅极；所述第二有机薄膜晶体管由下而上依次为第二有机薄膜晶体管栅极、栅绝缘层、第二有机薄膜晶体管源极/第二有机薄膜晶体管漏极和第二有机薄膜晶体管有机半导体；所述第一有机薄膜晶体管的源极与所述电接触端子连接。
3.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述第二有机薄膜晶体管有机半导体经过修饰作为敏感膜，暴露在外面，以实现不同的传感应用。
4.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述第一有机薄膜晶体管源极、第一有机薄膜晶体管漏极和第二有机薄膜晶体管栅极处于结构的同一层，所述第一有机薄膜晶体管栅极、第二有机薄膜晶体管源极和第二有机薄膜晶体管漏极处于结构的同一层。
5.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述第一有机薄膜晶体管漏极与第二有机薄膜晶体管漏极相连，所述第一有机薄膜晶体管栅极与第二有机薄膜晶体管栅极相连，构成互补反相器结构。
6.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述第一有机薄膜晶体管有机半导体采用p型有机半导体，所述第二薄膜晶体管有机半导体采用n型有机半导体，所述电接触端子作为电源端，所述第二有机薄膜晶体管源极作为接地端，所述第一有机薄膜晶体管栅极作为输入端，所述第二有机薄膜晶体管漏极作为输出端。
7.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，其特征在于，所述第一有机薄膜晶体管有机半导体采用n型有机半导体，所述第二薄膜晶体管有机半导体采用p型有机半导体，所述电接触端子作为接地端，所述第二有机薄膜晶体管源极作为电源端，所述第一有机薄膜晶体管栅极作为输入端，所述第二有机薄膜晶体管漏极作为输出端。