一种雪崩二极管低频参数测试装置的制作方法

本发明涉及毫米波半导体固态功率器件检测技术领域，具体是一种雪崩二极管低频参数测试装置。

背景技术：

雪崩二极管是一种负阻器件，在特定腔体中能把直流功率转换成微波毫米波信号功率输出，器件主要的低频参数有零偏电容C₀、击穿电容C_np、击穿电压、正向导通电压及工作时的电流等，雪崩二极管的这些低频参数对器件的工作频率、输出功率及可靠性等有较大影响。

在测试时，通常需要用测试装置上的夹持卡槽来固定被测物，以及通过测试装置来建立被测物与测量仪表之间的电学测试联系，针对不同的被测物、测试指标及测试仪表，测试装置也会不同，一般均为专用定制。以往的器件参数测试，常采用夹具进行，结构和功能单一，输入输出接口也不标准，对器件不同电学参数的测试，往往需要使用多个测试夹具，给器件测试带来诸多困难，影响测试结果的一致性，且测试效率也较低。

雪崩二极管器件是一种特殊的气密封装二端口分立结构，具有特定的管芯密封尺寸和散热结构体，器件低频参数中的零偏电容C₀和击穿电容C_np实际值只有几Pf量级，属于低值电容测量范围，在测试装置的夹持结构、连接端口的设计时，应采用开尔文接线方式尽可能地消除由连接线引入的杂散电容和电磁场耦合对器件电容测量值的影响，同时又要满足雪崩二极管其它电学参数的测试要求，目前，尚未有满足此要求的测试装置。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种雪崩二极管低频参数测试装置，该测试装置不仅具有测试雪崩二极管低容值电容参数所需的开尔文接法测试接口，而且还能够测量雪崩二极管的其它低频电学参数，易于和主流测试仪器标准接口连接。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽，下测试探针底端设有第一测试线缆与第二测试线缆，第一测试线缆与第二测试线缆的另一端分别与两个BNC接头相连；所述测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑架设于底座上，支撑臂的一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针头部朝下设置，用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部设有第三测试线缆与第四测试线缆，第三测试线缆与第四测试线缆的另一端分别与另外两个BNC接头相连；所述底座上还设有调节支撑架，调节支撑架位于支撑臂中部的下方，调节支撑架上设有手轮，手轮通过连接轴连接有偏心轮，偏心轮的轮外周与支撑臂形成配合。

进一步的，所述测试装置还包括弹簧，弹簧的一端与支撑架相连，另一端与支撑臂相连。

本发明的有益效果是，将雪崩二极管固定与卡槽内，通过上、下测试探针分别与雪崩二极管的两极形成配合，四根测试线缆构成测试雪崩二极管低容值电容所需的开尔文接法，每根测试线缆均连接有BNC接头，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明的结构示意图；

图2是图1中固定台的放大示意图；

图3是图1中上测试探针的放大装配示意图；

图4是图1中调节支撑架、手轮与偏心轮的装配侧视图。

具体实施方式

如图1所示，本发明提供一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座1，底座1侧部设有四个BNC接头，即第一BNC接头2、第二BNC接头3、第三BNC接头4、第四BNC接头5。

结合图2所示，底座1上设有固定台6，固定台6为空心结构，顶部设有绝缘块6a, 绝缘块6a通过紧固螺母6b固定在固定台6顶部，绝缘块6a内嵌设有下测试探针7，下测试探针7顶端高于绝缘块6a、底端延伸入固定台6的内腔，从而和固定台6相互绝缘；下测试探针7顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽7a；下测试探针7底端设有第一测试线缆8与第二测试线缆9，第一测试线缆8与第二测试线缆9的另一端分别与第一BNC接头2及第二BNC接头3相连；第一测试线缆8与第二测试线缆9为同型号规格的50欧姆带屏蔽层的线缆，第一测试线缆8与第二测试线缆9的中心导体分别连接到下测试探针7底端，第一测试线缆8及第二测试线缆9的金属屏蔽层分别与固定在固定台6上的第一螺钉10及第二螺钉11相连。

所述测试装置还包括支撑架12与支撑臂13，支撑架12设于底座1上，支撑臂13的一端与支撑架12铰接、另一端设有上测试探针14，结合图3所示，上测试探针14由探针安装套筒15固定，探针安装套筒15由螺母16固定于支撑臂13的安装孔13a上，上测试探针14头部朝下设置，用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针14尾部设有第三测试线缆17与第四测试线缆18，第三测试线缆17与第四测试线缆18沿支撑臂13与支撑架12的方向排布，并分别与底座1上的第三BNC接头4及第四BNC接头5相连，第三测试线缆17与第四测试线缆18也是同型号规格的50欧姆带屏蔽层的线缆，第三测试线缆17与第四测试线缆18的中心导体分别连接到上测试探针14尾部，第三测试线缆17与第四测试线缆18的金属屏蔽层分别与探针安装套筒15的外壳相连；结合图4所示，底座1上还设有调节支撑架19，调节支撑架19位于支撑臂13中部的下方，调节支撑架19上设有手轮20，手轮20通过连接轴21连接有偏心轮22，偏心轮22的轮外周与支撑臂13形成配合。所述测试装置还包括弹簧23，弹簧23的一端与支撑架12相连，另一端与支撑臂13相连，弹簧23与支撑臂13的连接端位于偏心轮22与支撑架12之间，用来调整上测试探针14接触雪崩二极管时的压力大小。

使用时，将待测雪崩二极管放置于卡槽7a内，此时待测雪崩二极管的底部与下测试探针7相接触，通过下测试探针7分别与第一BNC接头2及第二BNC接头3形成电气连接；旋转手轮20，由于偏心轮22的作用，使得支撑臂13能够以铰接端为旋转点作弧形升降，从而带动探针安装套筒15升降，调节手轮20使上测试探针14头部与待测雪崩二极管顶部相接触，通过上测试探针14待测雪崩二极管顶部分别与第三BNC接头4及第四BNC接头5形成电气连接，从而构成测试雪崩二极管所需的开尔文接法 ，通过四个BNC接头与测试仪表相连即可测试雪崩二极管的低值电容参数；通过其中相对应的两个BNC接头，即第一BNC接头2与第三BNC接头4或者第二BNC接头3与第四BNC接头5还可以测量雪崩二极管的其它电学参数。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。