1.一种基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：包括硅基芯片基底、样品承载端和铬/金金属电极传输线层，其中，所述样品承载端设置在所述硅基芯片基底的末端中间外侧，所述铬/金金属电极传输线层设置在所述硅基芯片基底的上表面，其间的若干均匀间隔排列的铬/金金属电极传输线末端与所述样品承载端连接。
2.根据权利要求1所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述样品承载端为插指状电极，设计长度为10-20微米，宽度设定为2微米，设计数目为3或4根，均匀间隔设置在所述硅基芯片基底的末端中间外侧位置；所述铬/金金属电极传输线层的后端延伸至所述插指状电极；所述样品承载端设有微米尺寸的样品收集悬臂梁结构，通过悬浊液沉积的方法收集二维纳米材料。
3.根据权利要求2所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述插指状电极采用金/钛淀积生长方式制成。
4.根据权利要求1所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述硅基芯片基底的末端位于所述样品承载端的两侧中线对称设置有延伸结构作为保护装置。
5.根据权利要求1所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述硅基芯片基底为硅/氮化硅，通过干法腐蚀获得。
6.根据权利要求1所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述样品承载端顶端设置有钨金属探针。
7.根据权利要求1所述的基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片，其特征在于：所述样品承载端通过引线键合方法与多电极堵片连结并通过金属引线与外部信号线连接。
8.一种基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：清洗硅片，采取以丙酮、异丙醇、蒸馏水各超声水浴20分钟的方法；
步骤2：淀积正面和背面氮化硅；
步骤3：在背面旋涂光刻胶，根据版图曝光相应位置、显影，去除不需要的氮化硅；
步骤4：在正面旋涂光刻胶，根据版图曝光相应位置、显影，去除不需要的氮化硅；
步骤5：干法腐蚀去除氮化硅；
步骤6：去除光刻胶；
步骤7：刻蚀硅片，形成通孔；
步骤8：蒸镀钛金层导线；
步骤9：原子级沉积氧化铝；
步骤10：干法刻蚀去除不需要的氮化硅层。
9.一种基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)利用微纳米机械加工技术得到所需的芯片结构，并进行干燥、清洁；
2)通过引线键合和固定作用，将基于硅基微纳米机械加工技术的可嵌入式测试芯片连接在电镜操作杆上；
3)通过液滴法将纳米级的样品沉积在样品承载端的样品收集悬臂梁结构；
4)利用原位扫描/透射电子显微镜内的操控探针，对样品进行转移和调整位置。