1.一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：包括壳体（1）、金属光纤（2）及安装于壳体（1）底部的陶瓷薄膜基板（3），所述陶瓷薄膜基板（3）上设有金属载体（4）及与金属载体（4）电连接的电阻桥模块（5）、裸芯片元件（6）和无源器件（7），所述金属载体（4）上设有光电二极管（8），所述壳体（1）上设有开孔，所述金属光纤（2）通过开孔插入壳体（1）内且其端部与光电二极管（8）呈相对设置。
2.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述陶瓷薄膜基板（3）上设有薄膜电阻（31）和导带（32），所述金属载体（4）、电阻桥模块（5）、裸芯片元件（6）和无源器件（7）安装于导带（32）上通过导带（32）相互导通。
3.根据权利要求2所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述薄膜电阻（31）和导带（32）通过薄膜溅射和光刻方法制作。
4.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述电阻桥模块（5）包括前级载体（51）及与前级载体（51）电连接的后级载体（52），所述前级载体（51）的上表面焊接有前级电容（53）及与前级电容（53）并联的前级电阻（54），所述后级载体（52）的上表面焊接有后级电阻（55），该后级电阻（55）与前级电阻（54）相串联。
5.根据权利要求4所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述前级载体（51）通过金丝（56）与后级载体（52）电连接。
6.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述壳体（1）为双列直插式管壳。