1.一种单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，包括以嵌入方式集成于共享衬底上的湿度传感器和温度传感器；
所述湿度传感器自下而上包括：设于衬底中的第一CMOS前道器件，设于衬底上第一绝缘层中的第一CMOS后道电路，设于第一绝缘层上的叉状电容极板，以及填充于叉状电容极板之间的湿敏材料层；
所述温度传感器嵌设于湿度传感器中，自下而上包括：共享设于衬底中的第二CMOS前道器件，共享设于第一绝缘层中的第二CMOS后道电路，绝缘嵌设于叉状电容极板与第一绝缘层之间的温敏电阻；
其中，所述温度传感器将湿度传感器的叉状电容极板作为其温敏电阻与外部环境之间的导热通道层进行共享。
2.根据权利要求1所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述温敏电阻与叉状电容极板之间通过导热的第二绝缘层进行隔离。
3.根据权利要求1所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述湿敏材料层为氧化石墨烯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲脂、多孔金属氧化物或多孔陶瓷材料。
4.根据权利要求1所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述温敏电阻为负温度系数的掺杂非晶硅或氧化钒。
5.根据权利要求1所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，至少在所述叉状电容极板侧部以及第一绝缘层表面设有钝化隔离层。
6.一种单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，包括以并列方式集成于共享衬底上的湿度传感器和温度传感器；
所述湿度传感器自下而上包括：设于衬底中的第一CMOS前道器件，设于衬底上第一绝缘层中的第一CMOS后道电路，设于第一绝缘层上的叉状电容极板，以及填充于叉状电容极板之间的湿敏材料层；
所述温度传感器设于湿度传感器一侧，自下而上包括：设于衬底中的第二CMOS前道器件，设于第一绝缘层中的第二CMOS后道电路，设于第一绝缘层上的温敏电阻，以及绝缘设于温敏电阻上的导热通道层。
7.根据权利要求6所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述温敏电阻与导热通道层之间通过导热的第二绝缘层进行隔离。
8.根据权利要求6所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述湿敏材料层为氧化石墨烯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲脂、多孔金属氧化物或多孔陶瓷材料。
9.根据权利要求6所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，所述温敏电阻为负温度系数的掺杂非晶硅或氧化钒。
10.根据权利要求6所述的单芯片高精度温湿度传感器，其特征在于，至少在所述叉状电容极板侧部、导热通道层侧部以及第一绝缘层表面设有钝化隔离层。