探测器阳极装置的制作方法

文档序号:11704961阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种探测器阳极装置,其特征在于,所述探测器阳极装置包括:

第一阳极板,所述第一阳极板具有第一信号阵列;

第二阳极板,所述第二阳极板的面积小于第一阳极板,并且位于所述第一阳极板内,所述第二阳极板具有第二信号阵列;

第一专用集成电路ASIC芯片,与所述第一阳极板相连接,当电子打在所述第一阳极板时,检测所述第一阳极板产生的第一信号;

第二ASIC芯片,与所述第二阳极板相连接,当电子打在所述第二阳极板时,检测所述第二阳极板产生的第二信号;

电子学处理器,与所述第一ASIC芯片和第二ASIC芯片相连接,根据所述第一信号和第二信号得到电子打在所述第一阳极板或者第二阳极板的位置;

所述第一信号阵列为N×M阵列,N为第一阵列行数,M为第一阵列列数;

所述第二信号阵列为P×Q阵列,P为第二阵列行数,Q为第二阵列列数。

2.根据权利要求1所述的探测器阳极装置,其特征在于,所述第一ASIC芯片具有N+M路信号输入。

3.根据权利要求1所述的探测器阳极装置,其特征在于,所述第二ASIC芯片具有P+Q路信号输入。

4.根据权利要求1所述的探测器阳极装置,其特征在于,所述电子学处理器具体根据所述第一信号和第二信号得到所述电子的行位置和列位置,从而得到所述电子打在所述第一阳极板或者第二阳极板的位置。

5.根据权利要求1所述的探测器阳极装置,其特征在于,所述电子学处理器包括现场可编程门阵列FPGA,与所述第一ASIC芯片和第二ASIC芯片相连接。

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