由导电的形状记忆材料控制的柔性像素阵列的制作方法

本发明的实施例涉及放射照相。具体而言，它们涉及使用可弯曲装置进行x射线辐射的检测。

背景技术：

放射照相具有医疗和工业应用。例如，使用放射照相来检查医学背景中的骨骼、牙齿和器官。放射照相例如在汽车工业、航空工业和核能工业中也被用作非破坏性测试的方法。

技术实现要素：

根据本发明的各种但并非全部的实施例，提供了一种装置，包括：像素阵列，被配置为检测辐射，像素阵列被设置在柔性基底上；导电的形状记忆材料，被耦合到柔性基底；以及驱动电路，被配置为将电流施加到导电的形状记忆材料，以便改变导电的形状记忆材料和柔性基底的形状。

根据本发明的各种但并非全部的实施例，提供了一种方法，包括：使得电流被施加到导电的形状记忆材料，导电的形状记忆材料被耦合到柔性基底，在柔性基底上具有像素阵列，像素阵列被配置为检测辐射，由此使得导电的形状记忆材料和柔性基底改变形状。

根据本发明的各种但并非全部的实施例，提供了计算机程序指令，当该计算机程序指令由至少一个处理器执行时使得上述方法被执行。

根据本发明的各种但并非全部的实施例，提供了如所附权利要求所要求保护的示例。

附图说明

为了更好地理解对于理解详细描述有用的各种示例，现在将仅通过示例的方式参考附图，在附图中：

图1图示了装置的第一示意图；

图2图示了第一方法的流程图；

图3图示了装置的第二示意图；

图4a图示了装置的第一示例的前视图，包括耦合到基底的导电的形状记忆材料，在该基底上具有辐射检测像素的一维阵列；

图4b图示了装置的第二示例的前视图，包括耦合到基底的导电的形状记忆材料，在该基底上具有辐射检测像素的二维阵列；

图4c图示了装置处于弯曲状态时装置的第一示例或第二示例的透视图；

图5示出了第二方法的流程图；

图6a和图6b图示了装置的第三示例的前视图和后视图，其中导电的形状记忆材料位于基底的与辐射检测像素阵列不同的面上；

图7示出了装置的第四示例的前视图，其中导电的形状记忆材料通过多个手柄(grip)耦合到基底；

图8a图示了装置的第五示例的前视图，其中导电的形状记忆材料穿过基底以将导电的形状记忆材料耦合到基底；

图8b图示了导电的形状记忆材料穿过基底的侧视图；

图9图示了装置的第六示例的前视图，其中导电的形状记忆材料包括一个或多个弹簧；

图10图示了装置的第七示例，其中装置包括一个或多个加强件；以及

图11图示了装置的第八实例，其中导电的形状记忆材料包括一个或多个弹簧并且装置包括一个或多个加强件。

具体实施方式

本发明的实施例涉及使用形状改变检测装置检测辐射。装置包括耦合到柔性基底的导电的形状记忆材料。在柔性基底上设置被配置为检测辐射的像素阵列。

通过装置的驱动电路向导电的形状记忆材料施加电流使得导电的形状记忆材料和柔性基底的形状改变。导电的形状记忆材料可以例如响应于电流的施加而弯曲，并且导电的形状记忆材料与柔性基底之间的耦合使得柔性基底弯曲。

柔性基底的形状改变使得像素阵列能够更靠近正被成像的对象而定位，潜在地改善了图像质量并且减少了对非平面对象成像所需的时间。成像所需的辐射量/辐射剂量也可以较低。

图1图示了装置100的第一示意图。图1中图示的装置100包括驱动电路20、基底22、像素阵列24和导电的形状记忆材料26。

像素阵列24可以是一维、二维或三维阵列。如果阵列24是二维的，则它可以以垂直的列和行布置。阵列24中的像素被配置为检测诸如电磁(波)辐射或粒子辐射的辐射。像素可以由被配置成检测辐射的半导体材料或被配置成检测辐射的一种或多种其他材料形成。

在一些实施例中，阵列24中的像素被配置为检测x射线辐射形式的电磁辐射。检测可以直接或间接发生。在直接检测中，x射线被像素直接转换为电流。这样的像素例如可以由阿尔法硒或任何其他适当的材料制成。

在间接检测中，x射线被转换成光子，然后光子又通过像素转换成电流。x射线通过一个或多个闪烁体转换成光子。一个或多个闪烁体可以是像素阵列24的一部分，或者可以与像素阵列24分开。在间接检测中，阵列24中的像素可以包括任何类型的光电检测器以用于检测已经从x射线导出的光子，光电检测器包括二极管和场效应晶体管。

像素阵列24设置在柔性基底22上。柔性基底22可以是基本平面的形状，具有均远大于其厚度/深度的长度和宽度。基底22的柔性可以与像素阵列24的柔性相同或比像素阵列24的柔性大。基底22例如可以由诸如聚酰亚胺(例如)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的织物或塑料制成。

导电的形状记忆材料26耦合到柔性基底22。导电的形状记忆材料26是导电材料，该导电材料例如可以是在室温下通过手可变形的。

导电的形状记忆材料26具有母体/原始形状。导电的形状记忆材料26“记住”其母体，使得当导电的形状记忆材料26被加热到超过其转变温度时，导电的形状记忆材料26的形状自动地从其当前形状改变到其母体形状(即，在没有任何机械帮助的情况下)。发生的形状改变是肉眼可见的。

导电的形状记忆材料26可以是单向的形状记忆材料或双向的形状记忆材料。

当单向的形状记忆材料被加热到高于其转变温度的温度时，该单向的形状记忆材料从其当前形状改变到其母体形状。当材料随后冷却到低于其转变温度的温度时，材料保持在其母体形状(例如，除非被机械变形)。

双向的形状记忆材料记住两种不同的形状。该双向的形状记忆材料具有高温母体形状，并且也具有低温母体形状。当双向的形状记忆材料被加热到高于第一转变温度的温度时，其自动地(即在没有任何机械帮助的情况下)从其当前形状改变到其高温母体形状。随后当材料冷却到低于第二转变温度的温度时，材料自动地(即在没有任何机械帮助的情况下)恢复到其低温母体形状。第一转变温度和第二转变温度可以相同也可以不相同。

导电的形状记忆材料26例如可以是导电形状记忆合金(诸如镍-钛、铜-铝-镍或铜-锌-铝)或导电形状记忆聚合物。

驱动电路20被配置为向导电的形状记忆材料26施加电流。将电流施加到导电的形状记忆材料26导致电阻加热。由驱动电路20施加的电流量足以使得导电的形状记忆材料26加热到高于其转变温度的温度，导致导电的形状记忆材料26的形状从其当前形状改变成其母体形状。

由于导电的形状记忆材料26与基底22之间的耦合，导电的形状记忆材料26的形状改变使得基底22的形状改变。基底22的形状改变使得阵列24中的至少一些像素相对于彼此的定位改变。

导电的形状记忆材料26的母体形状例如可以是弯曲/弯的形状。如果这样，则当导电的形状记忆材料26被加热到高于其转变温度的温度时，导电的形状记忆材料26弯曲，使得基底22弯曲。

图2图示了第一方法的流程图。在图2的框201中，驱动电路20将电流施加到导电的形状记忆材料26，该导电的形状记忆材料26以上述方式在框202中改变形状。

图3图示了该装置的第二示意图，该装置包括相对于图1的一些附加元件并且被给予附图标记101。图3中具有与图1中相同的附图标记的元件与上文相对于图1描述的那些相同。

图3所图示的装置101包括图1中图示的驱动电路20、基底22、像素阵列24和导电的形状记忆材料26，并且还包括至少一个处理器12、存储器14、一个或多个压力传感器28、一个或多个温度传感器30、读出电路32和至少一个辐射源34。

元件20、22、24、26、28、30、32和34操作地耦合，并且可以存在任何数量的中间元件或中间元件的组合(包括没有中间元件)。

驱动电路20在处理器12的控制下并且被配置为将电流施加到导电的形状记忆材料26、压力传感器28、温度传感器30、读出电路32和辐射源34。被提供给压力传感器28、温度传感器30、读出电路32和辐射源34的电流被提供以为这些元件供电。施加的电流对于每个元件28、30、32、34可以是不同的，并且不同于施加到导电的形状记忆材料26的电流。

压力传感器28被配置为向处理器12提供输入。在该示例中，压力传感器28被设置在基底22上。它们例如可以被定位于基底的与像素阵列24相同的面上。压力传感器28被配置成当导电的形状记忆材料26改变形状/弯曲时感测由装置101施加到对象的压力并且向处理器12提供指示所感测的压力的输入。该对象例如可以是正被成像或将由像素阵列24成像的对象。

温度传感器30被配置为向处理器12提供输入。在该示例中，温度传感器30被设置在基底22上。它们例如可以被定位成与导电的形状记忆材料26的一个或多个部分相邻。温度传感器30被配置为感测导电的形状记忆材料26的温度，并向处理器12提供指示所感测的温度的输入。

辐射源34被配置为生成和传送辐射，该辐射中的一些辐射可以在被像素阵列24检测之前穿过对象。辐射可以是诸如x射线的电磁辐射或粒子辐射。

读出电路32被配置为从像素阵列24中的每个像素读取信息并且将该信息提供给处理器12。处理器12被配置为根据由读出电路32提供的信息形成一维、二维或三维图像。

处理器12被配置为从存储器14读取和向存储器14写入。处理器12还可以包括输出接口和输入接口，处理器12经由该输出接口输出数据和/或命令并且经由该输入接口将数据和/或命令输入到处理器12。

存储器14存储包括计算机程序指令(计算机程序代码)18的计算机程序16，该计算机程序指令18在加载到处理器12中时控制装置101的操作。计算机程序16的计算机程序指令18提供逻辑和例程，使得装置能够执行图5中所图示的方法。处理器12通过读取存储器14能够加载并且执行计算机程序16。

如图3所示，计算机程序16可以经由任何合适的递送机构40到达装置101。递送机构40例如可以是非瞬态计算机可读存储介质、计算机程序产品、存储器设备、诸如光盘只读存储器(cd-rom)或数字多功能光盘(dvd)的记录介质。递送机构40可以是被配置为可靠地传送计算机程序16的信号。装置101可以传播或传送计算机程序16作为计算机数据信号。

尽管存储器14被图示为单个组件/电路，但是其可以被实现为一个或多个分离的组件/电路，该组件/电路中的一些或全部可以被集成/可移除和/或可以提供永久/半永久/动态/高速缓存的存储。

尽管处理器12被图示为单个组件/电路，但是其可以被实现为一个或多个分离的组件/电路，该组件/电路中的一些或全部可以被集成/可移除。处理器12可以是单核或多核处理器。

图4a图示了装置100/101的第一示例的前视图。笛卡尔坐标轴70也在图4a和其他附图中示出，以使得读者能够容易地将一个图形相对于另一个图形定向。在图4a中，图示了正交的x轴、y轴和z轴。每个轴在正交的不同维度上延伸并定义不同的正交维度。z轴延伸到图4a中的页面之外。

图4a中图示的基底22具有与y轴对齐的长度、与x轴对齐的宽度以及与z轴对齐的厚度/深度。基底基本上是平面的，其长度和宽度明显大于其厚度。在图示的示例中，基底22的长度大于宽度，但是这不必一定是这种情况。基底22的长度和宽度可以基本相同。

基底22的第一边缘50与基底22的长度(y)维度对齐。基底22的第二边缘51与基底22的宽度(x)维度对齐。基底22的第三边缘52与基底22的长度(y)维度对齐，并且通过基底22的宽度与第一边缘50分开。基底22的第四边缘53与基底22的宽度维度(x)对齐并且通过基底22的长度与第二边缘51分离。

在图4a图示的示例中，像素阵列24是一维的并且包括用附图标记24a至24d标记的四个像素。在其他示例中可以存在更多或更少的像素。

图4a所示的装置100/101具有导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62。导电的形状记忆材料26提供导电材料的细长部分60、61、62中的一些或全部。例如，在一些实现中，第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62中的每一个由导电的形状记忆材料26制成。在其它实现中，第一细长部分60和第三细长部分62由导电的形状记忆材料26制成，但是第二细长部分61由不是形状记忆材料的不同导电材料(例如，金属或导电聚合物)制成。在这样的实现中，当电流被施加到第二细长部分61时，第二细长部分61维持其形状，该电流的大小将使得第一细长部分60和第三细长部分62的形状改变。

导电材料的第一细长部分60在基底22的长度(y)维度上延伸，并且位于基底22的第一边缘50和像素阵列24之间(至少在x维度上)。导电材料的第二细长部分61在基底22的宽度(x)维度上延伸并且位于基底22的第二边缘51和像素阵列24之间(至少在y维度上)。导电材料的第三细长部分62在基底22的长度(y)维度上延伸，并且位于基底22的第三边缘52和像素阵列24之间(至少在x维度上)。

在图4a图示的示例中，第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62与像素阵列24位于基底22的相同的面上。

当由驱动电路20施加电流时，电子沿着导电材料的第一细长部分60行进到导电材料的第二细长部分61，并且随后到达导电材料的第三细长部分62。电流在相反的方向上流动。

图4b图示了装置100/101的第二示例的前视图。图4b中图示的第二示例类似于图4a图示的第一示例，但不同之处在于，像素阵列24是二维阵列而不是一维阵列。图4b中图示的阵列24包括用附图标记24a至24l标记的九个像素。其他示例中可以存在更多或更少的像素。

图4a和图4b都图示了在任何电流被施加到导电的形状记忆材料26之前的装置100/101以及随后发生的形状改变。

图4c涉及这样的实施例：其中第一细长部分60和第三细长部分62由导电的形状记忆材料26制成，但是第二细长部分61由不是形状记忆材料的不同导电材料制成。在图示的情况下，第一细长部分60和第三细长部分中的每一个的母体形状是弯的形状，并且驱动电路20已经将电流施加到导电的形状记忆材料26，使得导电的形状记忆材料26的第一细长部分60和第三细长部分62达到转变温度并弯曲成其母体形状。

电流也被施加到第二细长部分61(因为它电连接第一细长部分60和第二细长部分62)，但是第二细长部分61响应于电流的施加而维持其形状，因为它不是形状记忆材料。

图4c图示了第一细长部分60和第三细长部分62在y维度和z维度上改变形状但在x维度上不改变形状，这使得基底22在y维度和z维度上而不是在x维度上改变形状。在图示的示例中，当第一细长部分60和第三细长部分62改变形状/弯曲时，基底22的范围在y维度上减小、在z维度上增加并且在x维度上保持相同。

如果导电的形状记忆材料26是双向的形状记忆材料，则当驱动电路20停止向第一细长部分60和第三细长部分62施加电流时，第一细长部分60和第三细长部分62将自动返回到它们在电流的施加之前所具有的形状。

图5图示了在计算机程序代码/指令18的控制下由处理器12执行的第二方法的流程图。在图5中的框501中，处理器12使得驱动电路20将电流施加到装置100/101的导电的形状记忆材料26。驱动电路20将电流施加到第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62，其中的一些或全部由导电的形状记忆材料26制成。

在图5中的方框502处，处理器12从温度传感器30获得输入，以确定导电的形状记忆材料26的温度是否足够高以使导电的形状记忆材料26恢复到其母体形状。如果温度不够高，则方法移到框503，并且处理器12控制驱动电路20以增加施加的电流。处理器12可以经由来自温度传感器30的输入连续监测温度，直到确定导电的形状记忆材料26已经达到其转变温度。

在一些实施例中，处理器12可以学习导电的形状记忆材料26如何响应于所施加的电流，以使得处理器12能够在随后场合使导电的形状记忆材料26更快速地改变形状。

例如，就此而言，处理器12可以将信息(例如当导电的形状记忆材料26达到转变温度时施加到它的电流的大小)存储在存储器14中。附加地或备选地，处理器12可以将关于随着时间的施加电流的增加与相关联的导电的形状记忆材料26随时间的温度增加之间的关系的信息存储在存储器14中。该信息然后可以被处理器12使用以使导电的形状记忆材料26将来更快地达到其转变温度的方式控制驱动电路20。

在框504处，处理器12获得并解译来自压力传感器28的输入。导电的形状记忆材料26的形状改变可使装置100/101将力施加到相邻对象(例如，正在由像素阵列24成像的对象)。如果来自压力传感器28的输入指示由装置100/101施加的压力高于阈值，则处理器12可以在框505处使得将警报提供给用户。附加地或备选地，处理器12可以使得驱动电路20停止向导电的形状记忆材料26施加电流。

如果来自压力检测器20的输入低于特定的阈值(其可以是零或非零)，则像素阵列24可能没有被放置得足够靠近对象以便使最佳成像发生。在这种情况下，处理器12可以在框505处使得将警报提供给用户。

在一些实施例中，处理器12可能不开始获得和解译来自压力传感器20的输入直到达到转变温度，因为如果尚未达到转变温度，则装置100/101尚未在临近对象上施加压力(因为基底22和导电的形状记忆材料26的形状/弯曲的改变尚未发生)。

在一些情况下，处理器12可能不需要获得和解译来自压力传感器20的输入。例如，如果给定形状的对象(或多个对象)将在多个场合由装置100/101成像，则一旦处理器12已经确定向导电的形状记忆材料26施加特定大小的电流不会导致压力传感器28指示由装置100/101施加的压力高于阈值，处理器12就可能并不需要在这些/那些对象正被成像的随后场合经历获得和解译来自压力传感器20的输入的过程。

在图5中的框506处，处理器12控制辐射源34以启动辐射输出。辐射是在像素阵列24的方向上的输出。

在图5中的框507处，处理器12控制读出电路32以读取阵列24中的像素(同时导电的形状记忆材料26处于其母体形状)并将读出信息提供给处理器12。处理器12然后可以基于读出信息构造图像，并且在一些实施例中，控制显示器显示图像。

在图5中的框508处，处理器12控制辐射源34停止输出辐射，并且在图5中的方框509处，处理器12使得停止对导电的形状记忆材料26施加电流。

图6a图示了装置100/101的第三示例的前视图。图6b图示了装置100/101的第三示例的后视图。装置100/101的第三示例类似于图4b中图示的第二示例，但不同之处在于，第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62并不位于基底22的与像素阵列24相同的面上。

在图6a和图6b图示的第三示例中，像素阵列24位于由基底22的长度(y)维度和宽度(x)维度限定的基底22的第一面上，并且导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62位于由基底22的长度(y)维度和宽度(x)维度限定的基底22的第二面上。第一面和第二面在深度(z)维度上通过基底22的厚度分离。

在图4a和图4b图示的装置100/101的第一示例和第二示例中，导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62在宽度(x)维度上与像素阵列24分离。导电材料的第二细长部分61在长度(y)维度上与像素阵列24分离。这防止了导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62被像素阵列24成像。

然而，在第三示例中，由于导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62被定位于像素阵列24的后面，因此它们不存在被成像的风险，并且因此不需要这种分离。

图7图示了装置100/101的第四示例的前视图，其中导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62通过多个手柄71耦合到基底22。

例如，手柄71可以是u形手柄，其将第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62结合到基底22的面，该面可以是或可以不是其上设置有阵列像素24的相同面。

手柄71沿着长度(y)维度在各种结合位置处将导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62结合/耦合到基底22。每个结合位置在长度(y)维度上与一个或两个相邻结合位置分离。导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62在结合位置之间与基底22未耦合/未结合，为它们提供改变形状的自由。

从图7中可以看出，相邻的结合位置之间存在在宽度(x)维度上与像素对齐的一系列区域。例如，图7中用附图标记24a、24e和24i标记的像素与导电材料的第一细长部分60结合到基底22的两个结合位置之间的区域对齐，并且与导电材料的第三细长部分62结合到基底22的两个结合位置之间的区域对齐。

装置100/101的第四示例的其他方面可以与上述其他示例中的相同。

图8a示出了装置100/101的第五示例的前视图。装置100/101的第五示例与装置100/101的第四示例的类似之处在于，导电材料的第一细长部分60和第三细长部分662由导电的形状记忆材料26制成，并且导电材料的第二细长部分61由不是形状记忆材料的不同导电材料制成。

在装置100/101的第五示例中，导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62通过将它们穿过基底22以将它们耦合到基底而被结合/耦合到基底22。

装置100/101的第五示例与第四示例的类似之处在于，导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62在沿着长度(y)维度的各种结合位置处被结合到基底22。每个结合位置在长度(y)维度上与相邻的一个或两个结合位置分离。导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62在结合位置之间与基底22未耦合/未结合，为它们提供改变形状的自由。

如图7中那样，在图8a中可以看出，相邻的结合位置之间存在在宽度(x)维度上与像素对齐的一系列区域。例如，图8a中用附图标记24a、24e和24i标记的像素与导电材料的第一细长部分60结合到基底22的两个结合位置之间的区域对齐，并且与导电材料的第三细长部分62结合到基底22的两个结合位置之间的区域对齐。

图8b图示了接合/耦合位置的侧视图，在该接合/耦合位置中导电材料的第一细长部分60穿过基底22。在沿着基底22的长度的各种结合位置处，在第一边缘50和像素阵列24之间，导电材料的第一细长部分60进入第一孔73，然后进入第二孔74，使得基底22的一部分23位于那些结合位置处的导电材料的第一细长部分60上方。孔73、74例如可以是基底22中的穿孔。

图9图示了装置100/101的第六示例的前视图。在图示的示例中，装置100/101具有一维像素阵列24，但是这不必一定是这种情况。装置100/101的第六示例与图8a和图8b图示的第五示例的类似之处在于，导电材料的第一细长部分60和第三细长部分62通过将它们穿过基底22而被耦合/结合到基底22。

图9中图示的装置100/101的第六示例与图8a和8b中图示的第五示例的不同之处在于，导电材料的第一细长部分60和第二细长部分62包括一些线性区域63a和一些弹簧63b。

在一些实现中，线性区域63a和弹簧63b都由导电的形状记忆材料26制成。在其它实现中，线性区域63a由不是形状记忆材料的不同导电材料制成，而仅弹簧63b由导电的形状记忆材料26制成。

弹簧63b的存在可以使得第一细长部分60和第三细长部分62以及基底22能够比图8a图示的第五示例中的情况更大程度地改变形状。在一些实现中，导电材料的第一细长部分60与导电材料的第三细长部分62围绕与长度(y)维度对齐的对称轴线对称。在诸如图9中所示的其他实现中，不存在这样的对称性。与线性区域63a和弹簧63b的存在有关的第一细长部分60和第三细长部分62的组成将取决于期望的实现和期望的形状改变。

在图9所示的示例中，导电材料的第二细长部分61由不是形状记忆材料的导电材料制成，但不必一定是这种情况。

图10图示了装置100/101的第七示例。装置100/101的第七示例类似于图8a和图8b图示的装置100/101的第五示例，除了它还包括多个加强件64，该加强件在各个区域中加强装置100/101以防止基底22在像素24a至像素24l所在的区域中弯曲/改变形状。就这一点而言，加强件64可以与宽度(x)和长度(y)维度中的像素24a至像素24l的位置对齐。在图示的示例中，基底22位于像素24a至像素24l与加强件64之间，但在其他实施例中，加强件64可位于像素24a至像素24l与基底22之间。

图11图示了装置100/101的第八示例，该第八示例实际上是图9中所示的装置100/101的第七示例和图10中所示的装置100/101的第八示例的组合。在这方面，图11所示的装置100/101的第八示例包括导电材料的第一细长部分60和第三细长部分61，每个细长部分包括线性区域63a和弹簧63b，并且其包括如上面关于图10所描述的多个加强件64。

对“计算机可读存储介质”、“计算机”、“处理器”等的引用应该被理解为不仅涵盖具有诸如单/多处理器架构和顺序(vonneumann)/并行架构的不同架构的计算机，而且还涵盖诸如现场可编程门阵列(fpga)、专用电路(asic)、信号处理设备和其他处理电路的专门电路。对计算机程序、指令、代码等的引用应理解为涵盖用于可编程处理器或固件的软件，诸如例如硬件设备的可编程内容，无论是用于处理器的指令还是用于固定功能器件、门阵列或可编程逻辑器件等的配置设置。

如本申请中所使用的，术语“电路”是指以下全部：

(a)仅硬件电路实现(诸如仅在模拟和/或数字电路中的实现)以及

(b)电路和软件(和/或固件)的组合，诸如(如适用)：(i)一个或多个处理器的组合或(ii)处理器/软件(包括数字信号处理器)、软件和一个或多个存储器中的部分，其一起工作以使诸如移动电话或服务器的装置执行各种功能以及

(c)诸如一个或多个微处理器或一个或多个微处理器的一部分的电路，其需要软件或固件进行操作，即使软件或固件不是物理存在。

“电路”的该定义适用于该术语在本申请中、包括在任何权利要求中的所有使用。作为进一步示例，如在本申请中所使用的，术语“电路”还将涵盖仅仅处理器(或多个处理器)或处理器的一部分及其(或它们的)伴随的软件和/或固件的实现。例如并且如果适用于特定的权利要求要素，术语“电路”还将涵盖用于移动电话的基带集成电路或应用处理器集成电路，或者服务器、蜂窝网络设备或其他网络设备中的相似集成电路。

图2和图5中图示的框可表示计算机程序16中的方法和/或代码区段中的步骤。对框的特定次序的图示不一定意味着存在块的所需或优选次序，而是框的顺序和排列可以变化。此外，有些块可能可以被省略。

在已经描述了结构特征的情况下，其可以被用于执行结构特征的功能中的一个或多个功能的部件来替换，无论该功能或那些功能被明确地还是隐含地描述。

尽管在前面的段落中已经参照各种示例描述了本发明的实施例，但是应当理解的是，可以对所给出的示例进行修改而不偏离所要求保护的本发明的范围。例如，本领域技术人员将会理解，本发明的实施例不限于装置100/101，该装置在以上讨论的并且在图中图示的方向上弯曲。

在以上描述中，导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62被描述为是同一电路的一部分，使得当驱动电路20施加电流时，电子沿着导电材料的第一细长部分60行进到导电材料的第二细长部分61，并且然后接着到导电材料的第三细长部分62。

备选地，在上述装置100/101的示例中的每个示例中，导电材料的第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62中的任一个或全部可以分离地连接到驱动电路20(即，每个细长部分60至62不与其他细长部分60至62中的一个或两个电连接)，从而驱动电路20可以在处理器12的控制下分离地向这些细长部分施加电流。这使得细长部分60至62彼此分离地经受形状改变，使得比在第一细长部分60、第二细长部分61和第三细长部分62被电连接和共同地控制的情况下能够形成更宽泛的形状。

而且，尽管在上述示例中导电的形状记忆材料26被描述为细长形状，但是在每个实现中不必一定是这种情况。

先前描述中描述的特征可以以除了明确描述的组合之外的组合来使用。

尽管已经参考某些特征描述了功能，但是这些功能可以由其他特征来执行，无论该特征是否被描述。

虽然已经参考某些实施例描述了特征，但是这些特征也可以存在于其他实施例中，无论该实施例是否被描述。

尽管在前面的说明书中努力提请注意被认为是特别重要的本发明的那些特征，但是应该理解的是，申请人要求保护上文提到和/或在附图中示出的任何可专利特征或特征的组合，不管是否特别强调。