1.一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法,其特征在于,包括:
获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B;
获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′;
基于所述Pout和所述Pout′,计算退化量ΔPout=Pout′-Pout;
以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数,以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数,采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量其中,X为信息参数B构成的矩阵,是残差,系数向量的展开式为
建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程:其中,ΔPoutk=β0+β1Bk为测量值对应的输出光功率退化量的预测值,t(1-α/2,(n-2))是置信度为1-α的t分布,为残差,为的转置,XT为X的转置,为的转置;
利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。
2.根据权利要求1所述的一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法,其特征在于,所述获取随机子样器件的1/f噪声幅值B包括:设置GaN发光二极管的输入电流;
在GaN发光二极管的输出端引出噪声信号,并进行低噪声的前置放大;
将放大后的噪声信号传输给数据采集卡;
通过计算机软件计算并提取数据采集卡采集的数据,得到噪声幅值。
3.根据权利要求1所述的一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法,其特征在于,所述利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能,包括:
获取待筛选器件在工作区某一电流值处的1/f噪声幅值B;
将所测的1/f噪声幅值B带入回归预测方程得到此GaN发光二极管的输出光功率退化预测值;
确定所述器件的输出光功率退化容限;
将所述预测值和所述输出光功率退化容限进行比较,如果此预测值在此类器件的输出光功率退化容限之内,则认为此器件为合格产品;反之,如果得到的预测值落在此类器件的输出光功率退化容限之外,则认为此器件为不合格产品。
4.一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选装置,其特征在于,包括:
第一获取单元,用于获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B;
第二获取单元,用于获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′;
计算单元,用于基于所述Pout和所述Pout′,计算退化量ΔPout=Pout′-Pout;线性回归方程建立单元,用于以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数,以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数,采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量其中,X为信息参数B构成的矩阵,是残差,系数向量的展开式为
建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程:其中,ΔPoutk=β0+β1Bk为测量值对应的输出光功率退化量的预测值,t(1-α/2,(n-2))是置信度为1-α的t分布,为残差,为的转置,Xl为X的转置,为的转置;
预测单元,利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。