技术总结
本发明提供了一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置，所述方法包括：获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B；获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，计算退化量ΔPout＝Pout′‑Pout；以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程：利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。本发明能够实现在对元器件无损坏的前提下，进行对GaN发光二极管元器件准确、高效的筛选。
技术研发人员：石强;李兆成
受保护的技术使用者：深圳市量为科技有限公司
文档号码：201710063101
技术研发日：2017.01.19
技术公布日：2017.06.13