一种通用三端开尔文测试工装的制作方法

本实用新型涉及电力电子测试技术，特别是涉及一种通用三端开尔文测试工装。

背景技术：

开尔文测试方法，也叫开尔文四线测试法，是模拟电路测试常用的方法。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

随着IGBT技术的发展和应用，对IGBT模块的测试需求势必越来越大，因此，设计一种能够简便快捷精确的测试工装势在必行。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种通用三端开尔文测试工装。

本实用新型的技术方案如下：

一种通用三端开尔文测试工装，其特征在于：包括一盒体，盒体一侧设置有G、A、K三个外接端子，盒体另一侧对应设置有三组外接端子，每组包括两个外接端子，分别为G₁、G_S,A₁、A_S,K₁、K_S，且G₁、G_S分别与G相连，A₁、A_S分别与A相连,K₁、K_S分别与K相连，其中G_S与G之间串联有一大一小两个磁环，其中大磁环的匝数是小磁环的22倍。

可选的，所述小磁环为单匝，大磁环为22匝。

可选的，所述外接端子G、A、K分别对应IGBT模块的门极、集电极和发射极。

本实用新型的技术效果在于：

本实用新型的通用三端开尔文测试工装基于内部磁环抗干扰原理采用内部磁环电路，从根本上解决了器件测试领域线测法存在的测试误差大、精确度低、抗干扰性差、操作繁琐等缺陷，可以极大的提高测试效率，并且保证了测试结果的真实性和准确性，能很方便的测试包括IGBT模块、普通插件二极管、三极管、MOS管、晶闸管等各种三端器件，通用性强，实用性突出，具有广大的社会和经济价值。

附图说明

图1所示为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步说明。

如图1所示为本实用新型的通用三端开尔文测试工装的结构示意图。包括工装盒体1，盒体1的一端表面设置有三个外接端子G、A、K，分别对应为门极、集电极和发射极。

盒体的一邻侧表面设置有6个外接端子，分为三组，分别为：G₁、G_S与门极G端子相对应，其中G₁通过连线与G端子相连，G_S通过连线依次将大磁环3和小磁环2串接在G端子；A₁、A_S与集电极A端子相对应，并分别通过连线与A端子相连；K₁、K_S与发射极K端子相对应，并分别通过连线与K端子相连。

其中小磁环为单匝磁环结构，大磁环的匝数为小磁环的22倍。