具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片的制作方法

技术特征：

1.一种具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于包括：隔离层、第一绝缘膜、第二绝缘膜、上芯片、下芯片以及支撑层；

所述上芯片具有朝向所述下芯片凸起的凸台，所述凸台中具有第一通孔，所述第一绝缘膜覆盖所述凸台的表面及所述第一通孔在所述凸台的表面上的开口；

所述下芯片具有第二通孔，所述第二绝缘膜覆盖所述第二通孔在所述下芯片表面上的开口；

所述支撑层固定设置于所述下芯片的表面，并夹设在所述上芯片、下芯片之间，使上芯片的凸台卡设至支撑层形成的凹槽中，使所述上芯片、下芯片及支撑层密封连接，并且所述第一通孔与所述第二通孔垂直相交设置，所述隔离层夹设在所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间。

2.根据权利要求1所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述上芯片具有第一表面和第二表面，所述第二表面为所述凸台的表面，所述第一绝缘膜覆盖在所述第二表面上，所述第一表面上设置有第三绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述下芯片具有第三表面和第四表面，所述第二绝缘膜覆盖在所述第三表面上，所述第四表面上设置有第四绝缘膜。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述第一通孔的尺寸沿着远离所述第二通孔的方向逐渐增大。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述第二通孔的尺寸沿着远离所述第一通孔的方向逐渐增大。

6.根据权利要求3所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、第三绝缘膜或所述第四绝缘膜的厚度为20～30nm。

7.根据权利要求3所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜和所述第四绝缘膜中的任意一种或两种以上的组合均由低应力氮化硅形成。

8.根据权利要求3所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述上芯片包括设置于所述凸台两侧的凹下部，所述支撑层的上表面与所述凹下部的表面紧密贴合，所述支撑层的下表面与所述第二绝缘膜固定连接，在所述支撑层与第二绝缘膜之间形成储液槽结构。

9.根据权利要求1或8所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述支撑层的厚度为80～120μm，所述支撑层包括绝缘膜和/或光刻胶。

10.根据权利要求1所述的具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片，其特征在于：所述隔离层的厚度为50～200nm。