本发明涉及一种放射线检测器以及放射线图像摄影装置。
背景技术：
一直以来，已知有以医疗诊断为目的而进行放射线拍摄的放射线图像摄影装置。在这种放射线图像摄影装置中使用用于检测透射了被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。
作为放射线检测器，存在如下放射线检测器，其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换为光；以及传感器基板，设置有积蓄根据被转换层转换的光而产生的电荷的多个像素。作为这种放射线检测器，存在为了提高耐久性而用保护膜覆盖转换层的放射线检测器(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2011-247822号公报
上述专利文献1中记载的技术中，转换层的与传感器基板接触的面(下表面)以外的面(转换层的上表面和侧面)被保护膜覆盖。该保护膜的一端环绕在传感器基板的背面(不与转换层接触的面)，并通过在所环绕的背面的保护膜上设置热压部来提高防湿性。
优选在传感器基板中使用挠性基材。通过使用挠性基材，例如能够将放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻量化，或者能够容易进行被摄体的拍摄。
当在传感器基板中使用挠性基材时，会在基材即传感器基板上产生弯曲。由于在传感器基板上产生弯曲，有时会降低例如转换层的耐久性和防湿性。该情况下，即使如专利文献1中记载的技术那样设置保护膜，也不能说耐久性和防湿性充分。
因此，当在传感器基板中使用挠性基材时，有时会导致放射线图像的画质下降。
技术实现要素：
本公开的目的在于提供一种在传感器基板中使用挠性基材时能够抑制放射线图像的画质下降的放射线检测器以及放射线图像摄影装置。
为了实现上述目的，本公开的放射线检测器具备：传感器基板，包含挠性基材、及形成有设置在基材的第1面且积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素的层；转换层，设置在传感器基板的第1面侧，并且将放射线转换为光；保护膜，至少覆盖如下区域，即包含从覆盖转换层的区域到基材的与第1面相反的一侧的第2面的外周部中的规定的区域为止的区域；以及支撑部件，从基材的第2面侧经由保护膜支撑基材的规定的区域。
并且，也可以为本公开的放射线检测器中，规定的区域为基材的第2面中的对应于像素区域的区域的外侧区域，所述像素区域为基材的第1面中的设置有多个像素的区域。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的多个像素包含：多个第1像素；以及多个第2像素，设置在多个第1像素的外周部，且形成放射线图像时的用途与多个第1像素不同，规定的区域为基材的第2面中的与设置有多个第1像素的区域的外侧对应的区域。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的支撑部件在从第2面的外周起朝内侧规定距离的周缘上，沿着周缘设置有多个，并且沿着周缘的多个支撑部件的长度的总计相对于周缘的长度为二分之一以上且小于周缘的长度。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的传感器基板具有相对向的一对边，支撑部件分别设置在至少一对边上。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的保护膜具备：第1保护膜，至少覆盖转换层的与设置有传感器基板的面相反的一侧的面和侧面；以及第2保护膜，覆盖规定的区域和包含整个第1保护膜的区域。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的保护膜具备：第1保护膜，至少覆盖转换层的与设置有传感器基板的面相反的一侧的面和侧面；以及第2保护膜，覆盖规定的区域和包含第1保护膜的端部的区域。
并且，也可以为本公开的放射线检测器还具备设置在基材的第2面的抗静电膜。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的保护膜覆盖整个第2面。
并且，也可以为本公开的放射线检测器用于对基材的第2面照射放射线的拍摄中。
并且，也可以为本公开的放射线检测器的转换层包含csi。
并且，本公开的放射线图像摄影装置具备：本公开的放射线检测器；控制部，输出用于读取积蓄在多个像素中的电荷的控制信号；驱动部，根据控制信号，使电荷从多个像素被读取；以及信号处理部，被输入与从多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成与所输入的电信号对应的图像数据并输出至控制部。
并且，也可以为本公开的放射线图像摄影装置中，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有控制部及放射线检测器。
并且，也可以为本公开的放射线图像摄影装置还具备电源部，所述电源部向控制部、驱动部及信号处理部中的至少一处供电，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有电源部、控制部及放射线检测器。
发明效果
根据本公开，当在传感器基板中使用挠性基材时，能够抑制放射线图像的画质下降。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。是表示放射线检测器中的传感器基板的结构的一例的结构图。
图2是从设置有转换层侧的相反的一侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图3是图2所示的放射线检测器的a-a线剖视图。
图4是表示将本实施方式的放射线图像摄影装置适用于表面读取方式的情况下放射线检测器被设置在壳体内的状态的一例的剖视图。
图5是表示将本实施方式的放射线图像摄影装置适用于表面读取方式的情况下放射线检测器被设置在壳体内的状态的另一例的剖视图。
图6是第2实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图7是第2实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图8是第3实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图9是第4实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图10是第5实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图11是第6实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图12是为了对支撑部件的另一例进行说明而从设置有转换层侧的相反的一侧观察放射线检测器的俯视图。
图13是为了对设置有支撑部件的位置的另一例进行说明而从放射线检测器的设置有转换层侧的相反的一侧观察放射线图像摄影装置的俯视图。
图14是用于对有源区域的另一例进行说明的放射线检测器的另一例的剖视图。
图15是具备多个(两个)放射线检测器的放射线图像摄影装置中的多个放射线检测器的一例的剖视图。
符号说明
1-放射线图像摄影装置，10、10_1、10_2-放射线检测器，12、12_1、12_2-传感器基板，14、14_1、14_2-基材，14a-第1面，14b-第2面，14c-角部，140-外周，14s-周缘，15-有源区域，16-像素，16a-第1像素，16b-第2像素，17-区域，20-tft(开关元件)，22-传感器部，24-信号配线，26-扫描配线，28-共用配线，30、30_1、30_2-转换层，32、32_1、32_3-保护膜，32a-第1保护膜，32b-第2保护膜，34、34_1、34_2-支撑部件，39-抗静电膜，40、42-缓冲层，100-控制部，100a-cpu，100b-存储器，100c-存储部，102-驱动部，104-信号处理部，106-图像存储器，108-电源部，110-控制基板，112-柔性电缆，114-电源线，116-薄片，118-基座，120-壳体，120a-摄影面，l1-厚度，l2-距离。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式并不限定本发明。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线图像摄影装置通过检测透射了摄影对象即被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息，从而具有拍摄摄影对象的放射线图像的功能。
首先，参照图1，对本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的结构的一例的概略进行说明。图1是表示本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
如图1所示，本实施方式的放射线图像摄影装置1具备放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106以及电源部108。
放射线检测器10具备传感器基板12(参照图3)以及将放射线转换为光的转换层(参照图3)。传感器基板12具备挠性基材14以及设置在基材14的第1面14a的多个像素16。另外，以下，对于多个像素16，有时简称为“像素16”。
如图1所示，本实施方式的各像素16具备根据转换层所转换的光而产生并积蓄电荷的传感器部22、以及读取积蓄在传感器部22中的电荷的开关元件20。本实施方式中，作为一例，使用薄膜晶体管(tft：thinfilmtransistor)作为开关元件20。因此，以下，将开关元件20称为“tft20”。本实施方式中形成有传感器部22和tft20，作为经平坦化的层而进一步设置有在基材14的第1面14a形成有像素16的层。以下，对于形成有像素16的层，为了方便说明，有时也称为“像素16”。
在传感器基板12的有源区域15，沿着一个方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下还称为“行方向”)和与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下还称为“列方向”)而二维状地配置有像素16。图1中，简化显示了像素16的排列，例如像素16在行方向和列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中相互交叉设置有针对像素16的每一行而设置且用于控制tft20的开关状态(导通和关断)的多个扫描配线26和针对像素16的每一列而设置且用于读取积蓄在传感器部22中的电荷的多个信号配线24。多个扫描配线26的每一个分别经由焊盘(省略图示)而与驱动部102连接，由此从驱动部102输出且驱动tft20而控制开关状态的驱动信号流入多个扫描配线的每一个中。并且，多个信号配线24的每一个分别经由焊盘(省略图示)而与信号处理部104连接，由此从各像素16读取的电荷作为电信号而输出至信号处理部104。信号处理部104生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据。
信号处理部104中连接有后述的控制部100，从信号处理部104输出的图像数据依次输出至控制部100。控制部100中连接有图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据通过由控制部100进行的控制而依次存储于图像存储器106。图像存储器106具有能够存储规定数量的图像数据的存储容量，每当进行放射线图像的拍摄时，通过拍摄而得到的图像数据依次存储于图像存储器106。
控制部100具备cpu(中央处理单元(centralprocessingunit))100a、包含rom(只读存储器(readonlymemory))和ram(随机存取存储器(randomaccessmemory))等的存储器100b、以及闪存等非易失性存储部100c。作为控制部100的一例，可举出微型计算机等。控制部100控制放射线图像摄影装置1的整体的动作。
并且，为了对各像素16施加偏压，各像素16的传感器部22中，在信号配线24的配线方向上设置有共用配线28。共用配线28经由焊盘(省略图示)而与传感器基板12的外部的偏压电源(省略图示)连接，由此从偏压电源对各像素16施加偏压。
电源部108向控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108等各种元件和各种电路供电。另外，图3中，为了避免复杂，省略了将电源部108与各种元件和各种电路连接的配线的图示。
进一步对本实施方式的放射线检测器10进行详细说明。图2是从与第1面14a相反的一侧的第2面14b侧观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图3是图2中的放射线检测器10的a-a线剖视图。
如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10具备包含基材14和像素16的传感器基板12、转换层30、保护膜32以及支撑部件34，并且依次设置有基材14、像素16以及转换层30。另外，以下，将基材14、像素16以及转换层30所排列的方向(图3中的上下方向)称为层叠方向。
基材14具有挠性，例如为包含聚酰亚胺等塑料的树脂片。作为基材14的具体例，可举出xenomax(注册商标)。另外，基材14只要具有期望的挠性即可，并不限定于树脂片。例如，基材14也可以为厚度比较薄的玻璃基板等。基材14的厚度为能够根据材质的硬度和传感器基板12的大小(第1面14a或第2面14b的面积)等而得到期望的挠性的厚度即可。例如当基材14为树脂片时，厚度为5μm～125μm即可。并且，例如当基材14为玻璃基板时，通常在一个边为43cm以下的尺寸下，如果厚度为0.3mm以下则具有挠性，因此厚度为0.3mm以下即可。
一个边为43cm以上的大型尺寸下，如果厚度为0.3mm以下则具有挠性，因此厚度为0.3mm以下即可。
如图2和图3所示，多个像素16设置在基材14的第1面14a中的内侧的一部分区域。即，本实施方式的传感器基板12中，在基材14的第1面14a的外周部未设置有像素16。本实施方式中，将基材14的第1面14a中的设置有像素16的区域设为有源区域15。并且，将基材14的与有源区域15相反的一侧的第2面14b的区域称为“第2面14b的与有源区域15对应的区域”。本实施方式的有源区域15为本公开的像素区域的一例。另外，本实施方式中，作为一例，在基材14的第1面14a隔着使用了sin等的底涂层(省略图示)而设置有像素16。
并且，如图3所示，转换层30覆盖有源区域15。本实施方式中，作为转换层30的一例，使用包含csi(碘化铯)的闪烁器。作为这种闪烁器，例如优选包含x射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的csi∶tl(添加有铊的碘化铯)或csi∶na(添加有钠的碘化铯)。另外，csi∶tl的可见光区域中的发光峰值波长为565nm。
本实施方式中，通过真空蒸镀法、溅射法及cvd(化学气相沉积(chemicalvapordeposition))法等气相沉积法，在传感器基板12上直接形成有作为柱状晶体的csi的转换层30。该情况下，转换层30中的与像素16接触的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，这样，在传感器基板12上通过气相沉积法而直接形成有csi的转换层时，在与传感器基板12的接触侧的相反的一侧的面上例如也可以设置有具有反射由转换层30转换的光的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置在转换层30上，也可以隔着粘合层等而设置。作为该情况下的反射层的材料，优选使用了有机类材料的材料，例如优选将白色pet(聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate))、tio2、al2o3、发泡白色pet、聚酯类高反射片及镜面反射铝等中的至少一个作为材料而使用的材料。从反射率的观点考虑，尤其优选将白色pet作为材料而使用的材料。
另外，白色pet是指在pet中添加有tio2或硫酸钡等白色颜料而成的材料。并且，聚酯类高反射片是指具有重叠有多个薄聚酯片的多层结构的薄片(薄膜)。并且，发泡白色pet是指表面成为多孔质的白色pet。
并且，当作为转换层30而使用csi的闪烁器时，也能够通过与本实施方式不同的方法而在传感器基板12上形成转换层30。例如可以准备在铝板等上通过气相沉积法蒸镀了csi的材料，并通过粘合性薄片等来贴合csi的不与铝板接触的一侧和传感器基板12的像素16，从而在传感器基板12上形成转换层30。
而且，与本实施方式的放射线检测器10不同地，作为转换层30，也可以使用gos(gd2o2s∶tb)等来代替csi。该情况下，例如准备将使gos分散于树脂等粘合剂的薄片，在通过白色pet等形成的支撑体上通过粘合层等贴合而成的材料，并通过粘合性薄片等来贴合gos的未贴合有支撑体的一侧和传感器基板12的像素16，从而能够在传感器基板12上形成转换层30。
并且，如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10中，保护膜32至少覆盖包含从覆盖转换层30的区域到区域17为止的区域。具体而言，保护膜32覆盖转换层30的表面(不与像素16接触的一侧的面)、转换层30的侧面和像素16的侧面、以及从第1面14a的外周部环绕基材14的侧面而遍及第2面14b的区域17的整个区域。另外，区域17为基材14的第2面14b的与有源区域15对应的区域以外的外周部的区域，本实施方式的区域17对应于本公开的规定的区域的一例。
作为保护膜32，例如可使用派瑞林(parylene)(注册商标)膜、聚对苯二甲酸乙二酯等绝缘性薄片等防湿膜。
并且，如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10中，支撑部件34从基材14的第2面14b侧经由保护膜32支撑基材14的区域17。即，支撑部件34在区域17中经由保护膜32而将基材14进行所谓的内衬。支撑部件34例如通过双面胶带或涂胶等粘接剂而固定在保护膜32上。
本实施方式的支撑部件34具有刚性，并且至少第2面14b的面内方向上的刚性高于基材14。作为支撑部件34，可举出具有能够得到期望的刚性的大小的pet(聚对苯二甲酸乙二酯)等塑料或铝板等。另外，本实施方式的支撑部件34设置在第2面14b的与有源区域15对应的区域的外侧，因此支撑部件34中的放射线的透射率和吸收率不会对放射线图像的拍摄带来较大影响。另外，支撑部件34的厚度l1变得越厚，从被摄体至像素16的距离(参照图4中的距离l2)变得越长，因此在所拍摄的放射线图像上会产生模糊。因此，支撑部件34的厚度l1优选根据期望的刚性和期望的画质而确定。
本实施方式的放射线图像摄影装置1设置在透射放射线并且具有防水性、抗菌性及密闭性的壳体内。
图4中示出将本实施方式的放射线图像摄影装置1适用于表面读取方式(iss：irradiationsidesampling)的情况下放射线检测器10被设置在壳体120内的状态的一例。
如图4所示，在壳体120内，在与层叠方向交叉的方向上并排设置有放射线检测器1()、电源部108及控制基板110。放射线检测器10设置成，基材14的第2面14b与被照射透射了被摄体的放射线的壳体120的摄影面120a侧相对向。
控制基板110为形成有图像存储器106和控制部100等的基板，并且通过包含多个信号配线的柔性电缆112而与传感器基板12的像素16电连接。另外，本实施方式中设为在柔性电缆112上设置有驱动部102和信号处理部104的所谓的cof(覆晶薄膜(chiponfilm))，但也可以使将驱动部102和信号处理部104中的至少一者形成在控制基板110上。
并且，控制基板110与电源部108通过电源线114而连接。
本实施方式的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在透射了放射线检测器10的放射线所出射的一侧还设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片很难通过入射放射线而产生二次放射线，因此具有防止向后方即转换层30侧的散射的功能。另外，薄片116至少覆盖转换层30的放射线所出射的一侧的整个面，并且优选覆盖整个转换层30，进而更优选覆盖整个保护膜32。另外，薄片116的厚度根据放射线图像摄影装置1整体的挠性和重量等来选择即可，例如，当薄片116为铜制薄片时，如果厚度为0.1mm左右以上，则具有挠性，并且还具有屏蔽从外部侵入到放射线图像摄影装置1的内部的二次放射线的功能。并且例如薄片116为铜制薄片时，从挠性和重量的观点考虑，优选为0.3mm以下。
图4所示的放射线图像摄影装置1能够在使放射线检测器10向基材14的第2面14b的面外方向弯曲的状态下拍摄放射线图像。例如，能够根据被摄体的摄影部位等来将放射线检测器10维持在弯曲的状态而拍摄放射线图像。
图4所示的放射线图像摄影装置1中，在刚性相对高的壳体120的周边部设置电源部108和控制基板110，因此能够抑制外力对电源部108和控制基板110带来的影响。
另外，图4中示出将电源部108和控制基板110这两者设置在放射线检测器10的一侧、具体而言设置在矩形形状的放射线检测器10的一个边侧的方式，但设置电源部108和控制基板110的位置并不限定于图4所示的方式。例如，可以将电源部108和控制基板110分散设置在放射线检测器10的相对向的2个边的各边上，也可以分散设置在相邻的2个边的各边上。并且，图4中示出在本实施方式中将电源部108和控制基板110设为1个结构部(基板)的方式，但并不限定于图4所示的方式，也可以是将电源部108和控制基板110中的至少一者设为多个结构部(基板)的方式。例如，也可以将电源部108设为包含第1电源部和第2电源部(均省略图示)的方式，并且将第1电源部和第2电源部分别分散设置在放射线检测器10的相对向的2个边的各边上。
另外，当使放射线图像摄影装置1(放射线检测器10)整体弯曲而拍摄放射线图像时，由于弯曲而对图像产生的影响能够通过进行图像校正来抑制。
并且，图5中示出将本实施方式的放射线图像摄影装置1适用于iss方式的情况下放射线检测器10被设置在壳体120内的状态的另一例。
如图5所示，在壳体120内，在与层叠方向交叉的方向上并排设置有电源部108及控制基板110，并且放射线检测器10、电源部108及控制基板110并排设置于层叠方向上。
并且，图5所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110及电源部108与薄片116之间设置有用于支撑放射线检测器10和控制基板110的基座118。基座118中例如使用碳等。
图5所示的放射线图像摄影装置1能够在使放射线检测器10向基材14的第2面14b的面外方向稍微弯曲的状态下、例如在使中央部弯曲1mm～5mm左右的状态下拍摄放射线图像，但由于控制基板110、电源部108和放射线检测器10设置在层叠方向上，并且设置有基座118，因此不会弯曲成图4所示的放射线图像摄影装置1的程度。
通常，若基材14弯曲，则转换层30容易从传感器基板12剥落。如上所述，为iss方式的情况下，转换层30容易因自身重量而剥落。当尤其是转换层30的端部剥落时，防湿性下降。
但是，本实施方式的放射线检测器10中，保护膜32至少覆盖包含从覆盖转换层30的区域到基材14的第2面14b的外周部中的区域17为止的区域，因此即使在基材14弯曲的情况下，转换层30也会变得不易剥落。并且，本实施方式的放射线检测器10中，支撑部件34从第2面14b支撑基材14的外周的区域即区域17，因此即使传感器基板12中的挠性基材14弯曲，也会通过支撑部件34来抑制区域17中的弯曲。因此，保护膜32变得不易从传感器基板12和转换层30剥落，因此能够进一步提高抑制转换层30的剥离的效果。
通常，在转换层30剥离或因湿气等而劣化的情况下，会导致所生成的放射线的画质下降。相对于此，本实施方式的放射线检测器10中抑制转换层30的剥离并且抑制防湿性下降，因此能够抑制所生成的放射线图像的画质下降。
[第2实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32对应的结构不同，因此对不同的结构进行说明。
图6中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图6所示，本实施方式的放射线检测器10具备第1保护膜32a和第2保护膜32b这两个保护膜，以代替第1实施方式的放射线检测器10的保护膜32。
如图6所示，第1保护膜32a至少覆盖转换层30的与设置有传感器基板12的面相反的一侧的面和转换层30的侧面。具体而言，本实施方式的第1保护膜32a覆盖转换层30的表面(不与像素16接触一侧的面)、转换层30的侧面及像素16的侧面。另外，图6所示的第1保护膜32a还覆盖像素16的侧面，但也可以设为不覆盖像素16的侧面的局部或全部的方式。并且，对于图6所示的第1保护膜32a，示出第1保护膜32a的端部(侧面)与基材14的第1面14a接触的方式，但第1保护膜32a的端部与基材14的第1面14a也可以不接触。并且，例如也可以如图7所示，第1保护膜32a的端部在基材14的第1面14a中的形成有像素16的边界即角部14c被折弯，并且由第1保护膜32a覆盖角部14c附近的第1面14a的表面。
另一方面，如图6所示，第2保护膜32b覆盖区域17和包含整个第1保护膜32a的区域。具体而言，第2保护膜32b覆盖被第1保护膜32a覆盖的转换层30和像素16，并且覆盖与第1实施方式的保护膜32相同的区域。
作为这种第1保护膜32a，例如可举出派瑞林膜等，该情况下，能够通过蒸镀而形成第1保护膜32a。并且，作为第2保护膜32b，例如可举出绝缘性薄片等，该情况下，通过粘接剂等进行贴合，从而能够设置第2保护膜32b。
这样，本实施方式的放射线检测器10可以说是相对于转换层30的表面、转换层30的侧面及像素16的侧面被第1保护膜32a覆盖的传感器基板12，在与第1实施方式的保护膜32相同的区域设置有第2保护膜32b的放射线检测器。
图6和图7所示的本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32相同地设置有第2保护膜32b，因此根据本实施方式的放射线检测器10，与第1实施方式的放射线检测器10相同地能够进一步提高抑制转换层30的剥离的效果。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，抑制转换层30的剥离并且抑制防湿性下降，因此能够抑制所生成的放射线图像的画质下降。
并且，本实施方式的放射线检测器10中，通过第1保护膜32a和第2保护膜32b覆盖转换层30的表面和侧面，进行了双重密封，因此能够进一步提高对转换层30的防湿性能。尤其，csi的耐水性较弱，当水分侵入放射线检测器10的内部时，可能会导致放射线图像的画质下降。因此，在转换层30中使用csi时，如本实施方式的放射线检测器10那样优选进一步提高对转换层30的防湿性能。
[第3实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32对应的结构不同，因此对不同的结构进行说明。
图8中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图8所示，本实施方式的放射线检测器10具备第1保护膜32a和第2保护膜32b这两个保护膜，以代替第1实施方式的放射线检测器10的保护膜32。
如图8所示，本实施方式的第1保护膜32a至少覆盖转换层30的与设置有传感器基板12的面相反的一侧的面和侧面。具体而言，本实施方式的第1保护膜32a设置成与图6所示的第2实施方式的放射线检测器10的第1保护膜32a相同，并且覆盖转换层30的表面(不与像素16接触一侧的面)、转换层30的侧面及像素16的侧面。
另一方面，如图8所示，第2保护膜32b覆盖区域17和包含第1保护膜32a的端部的区域。具体而言，第2保护膜32b覆盖基材14的第2面14b的区域17、基材14的侧面、基材14的第1面14a的区域17及第1保护膜32a的端部的区域。另外，第2保护膜32b所覆盖的第1保护膜32a的端部的区域为从第1保护膜32a的外周起规定的范围内的区域。另外，规定的范围设为，根据为了支撑转换层30的侧面或像素16的侧面上的第1保护膜32a的端部的位置和转换层30而所需的第2保护膜32b与第1保护膜32a的接触面积等，实验性地得到的范围即可。
作为这种第1保护膜32a，例如可举出派瑞林膜或绝缘性薄片等，为派瑞林膜的情况下，能够通过蒸镀而形成第1保护膜32a，为绝缘性薄片的情况下，通过粘接剂等进行贴合，从而能够设置第1保护膜32a。
并且，作为第2保护膜32b，例如可举出绝缘性薄片等，该情况下，通过粘接剂等进行贴合，从而能够设置第2保护膜32b。这样，本实施方式的放射线检测器10中，通过粘接剂等来贴合第1保护膜32a和第2保护膜32b，从而使第1保护膜32a和第2保护膜32b成为一体。
图8所示的本实施方式的放射线检测器10中，第1保护膜32a覆盖转换层30的表面和侧面、像素16的侧面，第2保护膜32b覆盖基材14的外周部中的与区域17对应的第1面14a和第2面14b、基材14的侧面、以及第1保护膜32a的端部的区域。因此，与第1实施方式的放射线检测器10相同地，能够进一步提高抑制转换层30的剥离的效果。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，抑制转换层30的剥离并且抑制防湿性下降，因此能够抑制所生成的放射线图像的画质下降。
[第4实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32对应的结构不同，因此对不同的结构进行说明。
图9中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图9所示，本实施方式的放射线检测器10具备第1保护膜32a和第2保护膜32b这两个保护膜，以代替第1实施方式的放射线检测器10的保护膜32。
如图9所示，本实施方式的放射线检测器10中的第1保护膜32a与第1实施方式的保护膜32相同。
另一方面，如图9所示，本实施方式的第2保护膜32b隔着第1保护膜32a覆盖基材14的第1面14a与像素16的边界即角部14c附近的区域。具体而言，第2保护膜32b隔着第1保护膜32a覆盖从基材14的与区域17对应的区域至像素16的侧面和转换层30的侧面的局部。
根据本实施方式的放射线检测器10，与第1实施方式的保护膜32相同地设置有第1保护膜32a，因此与第1实施方式的放射线检测器10相同地，能够进一步提高抑制转换层30的剥离的效果。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，抑制转换层30的剥离并且抑制防湿性下降，因此能够抑制所生成的放射线图像的画质下降。
[第5实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32对应的结构不同，因此对不同的结构进行说明。
图10中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图10所示，本实施方式的放射线检测器10中，保护膜32所覆盖的区域与第1实施方式的放射线检测器10的保护膜32不同。
如图10所示，本实施方式的保护膜32与第1实施方式的保护膜32不同，还覆盖基材14的整个第2面14b。即，本实施方式的放射线检测器10中，设置有转换层30的状态的整个传感器基板12被保护膜32覆盖。
根据本实施方式的放射线检测器10，保护膜32覆盖设置有转换层30的状态的整个传感器基板12，因此密闭性变高，对转换层30和传感器基板12的防湿性能进一步得到提高。
[第6实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，与第1实施方式的保护膜32对应的结构不同，因此对不同的结构进行说明。
图11中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图11所示，本实施方式的放射线检测器10中，在基材14的第2面14b的与有源区域15对应的区域上设置有抗静电膜39。
作为抗静电膜39，例如能够适用在聚对苯二甲酸乙二酯等绝缘性薄片(薄膜)上通过粘接铝箔等而层叠有铝的alpet(注册商标)薄片、或使用抗静电涂料“colcoat”(商品名：colcoatco.，ltd.制)的膜等。
本实施方式的基材14具有挠性，并且基材14的厚度比通常不具有挠性的放射线检测器薄，因此通过摩擦等，基材14容易带电，并且，在基材14的面内不均匀地带电。这样，当产生不均匀的带电等时，成为在所生成的放射线图像中产生不均的原因。
另一方面，本实施方式的放射线检测器10中，在基材14的第2面14b的与有源区域15的对应的区域设置有抗静电膜39，因此能够抑制基材14的带电。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，还能够抑制基材14的面内的带电变得不均匀的情况。
如上述说明，上述各实施方式的放射线检测器10具备：传感器基板12，包含挠性基材14、及形成有设置在基材14的第1面14a且积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素16的层；转换层30，设置在传感器基板12的第1面14a侧，并且将放射线转换为光；保护膜32，至少覆盖包含从覆盖转换层3()的区域到基材14的与第1面14a相反的一侧的第2面14b的外周部中的区域17为止的区域；以及支撑部件34，从基材14的第2面14b侧经由保护膜32支撑基材14的区域17。
根据上述各实施方式的放射线检测器10，通过设置保护膜32和支撑部件34，即使在基材14弯曲时，转换层30也不易剥落。并且，上述各实施方式的放射线检测器10中，支撑部件34从第2面14b支撑基材14的外周的区域即区域17，因此即使挠性基材14弯曲，也能够通过支撑部件34来抑制区域17中的弯曲。因此，保护膜32不易从传感器基板12和转换层30剥落，因此能够进一步提高抑制转换层30的剥离的效果。
这样，上述实施方式的放射线检测器10中，抑制转换层30的剥离，并且抑制由湿气等引起的劣化，因此能够抑制所生成的放射线图像的画质下降。因此，根据上述各实施方式的放射线检测器10，在传感器基板12中使用挠性基材14时，能够抑制放射线图像的画质下降。
另外，上述各实施方式中，对在基材14的第2面14b中的与有源区域15对应的区域外的区域即整个区域17设置支撑部件34的方式进行了说明，但设置支撑部件34的位置和数量等并不限定于上述各实施方式。如上所述，只要是能够通过支撑部件34来抑制区域17中的弯曲的方式，则具体的支撑部件34的数量、设置多个时的每一个支撑部件34的大小和配置当然没有限定。例如，如图12所示，也可以在从基材14的第2面14b的外周140至规定的距离内侧的周缘14s上，沿着周缘14s而设置多个支撑部件34(图12中为16个)。另外，图12所示的放射线检测器10中，将设置支撑部件34的周缘14s设为有源区域15与区域17的边界，但并没有特别限定。另外，从通过支撑部件34来抑制区域17中的弯曲的观点考虑，优选沿着周缘14s的多个支撑部件34的长度的总计相对于周缘14s的长度为二分之一以上且小于周缘14s的长度。
并且，例如上述各实施方式中，对在矩形形状的传感器基板12的所有边上设置有支撑部件34的方式进行了说明，但也可以仅在传感器基板12的一部分的边上设置支撑部件34。例如，如图13所示，也可以在连接有将传感器基板12和控制基板110进行连接的柔性电缆112的传感器基板12的边上不设置支撑部件34。另外，如上述各实施方式的放射线检测器10，在传感器基板12具有1组以上的相对向的一对边的情况下，支撑部件34在相对向的彼此边上支撑基材14，由此转换层30等变得更加不易剥离，因此这种情况下，支撑部件34优选设置在至少一对边的各边上。并且，如上述各实施方式的放射线检测器10，更优选在传感器基板12的3个边以上的各边上设置支撑部件34。
并且，上述各实施方式的放射线检测器10中，对将设置有像素16的整个区域设为有源区域15的方式进行了说明，但设为有源区域15的区域并不限定于上述各实施方式。例如，也可以由与多个像素16中的一部分像素16对应的区域来指定有源区域15。例如，如图14所示，放射线检测器10有时存在如下情况，即，像素16具备：多个第1像素16a，实质上与放射线图像的像素对应；以及多个第2像素16b，形成放射线图像时的用途不同且设置在第1像素16a的外周部。另外，在此，形成放射线图像时的用途不同是指例如使用于图像的校正的情况等以及不使用于放射线图像的形成而读取并丢弃电荷的情况。图14所示的放射线检测器10中，将设置有第1像素16a的区域设定为有源区域15。
另外，如图14所示的放射线检测器10，有时转换层30大于有源区域15，并且转换层30覆盖整个有源区域15。例如，除了上述图14所示的情况以外，如考虑形成转换层30时相对于传感器基板12的蒸镀位置的偏移和贴合位置的偏移等情况下，将转换层30设置为大于有源区域15。该情况下，如图14所示，优选在有源区域15外侧通过支撑部件34和转换层30而夹持支撑基材14。
并且，上述各实施方式中，对将放射线检测器10(放射线图像摄影装置1)适用于iss方式的情况进行了说明，但也可以将放射线检测器10(放射线图像摄影装置1)适用于在转换层30的与放射线所入射侧的相反的一侧配置传感器基板12的所谓“背面读取方式(pss：penetrationsidesampling)”中。在适用于pss方式的情况下，通过基材14的弯曲，基材14也会被拉向与设置有转换层30侧相反的一侧的面外方向。即使在该情况下，也根据上述各实施方式的放射线检测器10，通过设置保护膜32和支撑部件34，即使在基材14弯曲时也能够抑制转换层30的剥离。
并且，上述各实施方式中，对放射线图像摄影装置1具备1个放射线检测器10的方式进行了说明，但放射线图像摄影装置1也可以为具备多个放射线检测器10的方式。例如，如图15所示，放射线图像摄影装置1也可以为在照射放射线的方向上叠加使用iss方式的放射线检测器10_1和10_2的方式。在图15所示的情况下，在挠性基材14_1上设置有像素16_1的传感器基板12_1上，将通过直接蒸镀而形成有使用csi的转换层30_1的放射线检测器10_1配置在靠近放射线的照射侧的位置。并且，在挠性基材14_2上，将通过在设置有像素16_2的传感器基板12_2上贴合gos薄片而形成有转换层30_2的放射线检测器10_2配置在远离放射线的照射侧的位置。另外，与第1实施方式的放射线检测器10相同地，图15中示出放射线检测器10_1中设置有保护膜32_1和支撑部件34_1，并且放射线检测器10_2中设置有保护膜32_2和支撑部件34_2的状态。
该情况下，优选在基材14_1的第2面14b_1上设置对放射线具有透射性的缓冲层40。并且，转换层30_1的csi的柱状晶体的末端朝向放射线检测器10_2侧，因此为了防止柱状晶体的末端及其周边部的损伤，优选在基材14_2的第2面14b_2、即基材14_2与保护膜32_1之间设置对可见光具有透射性的缓冲层42。
并且，如图1所示，上述各实施方式中，对像素16二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限定于此，例如可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。并且，像素的形状也并没有限定，可以是矩形，也可以是六边形等多边形。进而，有源区域15的形状当然也没有限定。
此外，上述各实施方式中说明的放射线图像摄影装置1以及放射线检测器10等的结构和制造方法等为一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，当然能够根据状况而进行变更。