1.一种集成温度补偿的差压传感器，其特征在于，所述差压传感器包括：
由基板和外壳围成的外部封装；
位于所述封装内且设置在所述基板上的ASIC芯片和差压MEMS；
位于外壳上的第一进气孔用作所述差压MEMS的第一进气端；
位于基板上的第二进气孔用作所述差压MEMS的第二进气端；
所述差压MEMS感测所述第一进气端和第二进气端的压力差输出压力信号至所述ASIC芯片；
所述ASIC芯片根据预定的温度补偿系数对所述压力信号进行温度补偿并输出补偿后的补偿压力信号。
2.如权利要求1所述的差压传感器，其特征在于，所述ASIC芯片包括温度传感单元、信号处理单元和存储单元，其中
所述温度传感单元用于实时采集环境温度并输出温度信号；
所述存储单元，存储用于温度补偿的所述温度补偿系数；
所述信号处理单元，用于根据温度信号和所述温度补偿系数对所述压力信号进行补偿。
3.如权利要求2所述的差压传感器，其特征在于，所述ASIC芯片还包括多路选择器，所述多路选择器根据预定周期分别读取所述压力信号或温度信号并传送至所述信号处理单元。
4.如权利要求1所述的差压传感器，其特征在于，所述第二进气孔与所述差压MEMS对应设置，所述第一进气孔偏离所述差压MEMS设置。
5.如权利要求1所述的差压传感器，其特征在于，所述差压MEMS和ASIC芯片使用贴片胶固定在所述基板上。
6.如权利要求1所述的差压传感器，其特征在于，所述外壳使用金属材料制成。
7.如权利要求6所述的差压传感器，其特征在于，所述外壳与基板通过导电胶相互固定。
8.如权利要求7所述的差压传感器，其特征在于，所述外壳、导电胶和基板的GND共电位。
9.如权利要求1所述的差压传感器，其特征在于，所述差压MEMS和ASIC芯片通过金属线连通。
10.如权利要求9所述的差压传感器，其特征在于，所述金属线为金线、铝线或铜线。