用于质谱分析的设备以及用于分析半导体晶圆的方法与流程

本发明构思的示例性实施例涉及一种用于质谱分析的设备和方法，更具体地，涉及一种用于分析半导体晶圆的方法。

背景技术：

为了提高半导体装置的性能和产率，可以分析可能存在的在制造半导体装置的工艺期间产生的污染物。随着半导体装置变得越来越高度集成，分析在制造半导体装置的工艺期间残留在半导体晶圆的区域上的污染物会变得更加困难。

为了分析残留在半导体装置的一部分上的污染物，例如，可以利用基质辅助激光解吸/电离质谱(maldi-ms)。maldi-ms是用于使最少的分析物的碎片蒸发或电离的技术，并且通常被认为是可以应用于具有相对大的分子量并且对热相对不稳定的生物聚合物或合成聚合物的技术。然而，由于基质干扰，会难以利用maldi-ms分析具有低于1,000da的分子量的分析物。

技术实现要素：

本发明构思的示例性实施例提供一种用于质谱分析的设备以及用于分析半导体晶圆的方法，该设备和方法可以分析残留在半导体晶圆的区域上的具有相对低的分子量的污染物。

本发明构思的示例性实施例提供一种可以分析具有低分子量的区域分析物的用于质谱分析的设备和方法。

本发明构思的示例性实施例提供一种用于制造半导体封装件的方法，通过该方法可以提高可靠性。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的设备包括其上设置有包括有机物的半导体晶圆的板。混合进料器将zno-石墨烯杂化物提供到半导体晶圆上的预定区域。质量分析器利用激光解吸/电离质谱(ldi-ms)检测预定区域中的有机物。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的设备包括其上设置有包括分析物的基底的板。混合进料器提供将要吸附在分析物上的zno-石墨烯杂化物，以在基底上制备混合样品。光照射单元照射光以使分析物电离，以生成电离的分析物。离子检测单元检测电离的分析物以生成分析物的质量数据。

根据本发明构思的示例性实施例，用于质谱分析的方法包括准备包括有机物的半导体晶圆。该方法包括将zno-石墨烯杂化物提供到半导体晶圆上的预定区域。该方法包括利用激光解吸/电离质谱(ldi-ms)检测预定区域中的有机物。

附图说明

通过参照附图对本发明构思的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的上述和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的框图；

图2a和图2b是图1的混合进料器的图；

图3是zno、石墨烯和zno-石墨烯杂化物的示例性的tem图像的图；

图4是图1的质量分析器的图；

图5和图6分别是用于示例和对比示例的示例性波长和吸光度值的曲线图；

图7是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的图；

图8示出了对比示例1至对比示例3以及示例1至示例3的激光解吸/电离质谱的示例性光谱；

图9示出了示例2以及示例4至示例6的激光解吸/电离质谱的示例性光谱；

图10示出了示例2的对于不同浓度的分析物的激光解吸/电离质谱的示例性光谱；

图11是图10的信噪比的图；

图12是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的方法的流程图；以及

图13是根据本发明构思的示例性实施例的用于分析半导体晶圆的方法的流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明构思的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为局限于这里描述的本发明构思的示例性实施例。在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。

图1是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的框图。图2a和图2b是图1的混合进料器的图。图3是zno、石墨烯和zno-石墨烯杂化物的tem图像的图。图4是图1的质量分析器的图。图5和图6分别是示例和对比示例的示例性波长和吸光度值的曲线图。

参照图1、图2a、图2b以及图3至图6，根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备10可以包括混合进料器20和质量分析器30。

用于质谱分析的设备10的元件(例如，混合进料器20和质量分析器30)中的每个和元件的子元件可以是完全硬件，或者部分硬件和部分软件。例如，用于质谱分析的设备10的元件中的每个可以包括用于执行预期功能的器件以及用于执行和/或处理由这些器件获得的数据的软件。另外，用于质谱分析的设备10的每个元件和元件的子元件不必限于单个物理器件，而是可以指组件或一起使用以实现预期的功能的多个元件的组合。

混合进料器20可以在基底120上提供zno-石墨烯杂化物130。例如，混合进料器20可以利用微量移液管140来提供zno-石墨烯杂化物130。

在本发明构思的示例性实施例中，zno-石墨烯杂化物130可以以悬浮液(suspension)的形式提供。例如，混合进料器20可以提供zno-石墨烯杂化物130分散在分散介质136中的悬浮液。例如，分散介质136可以是悬浮有zno-石墨烯杂化物130的液体。分散介质136可以包括但不限于去离子水。

基底120可以包括半导体晶圆120。基底120可以互换地称作半导体晶圆120。基底120可以包括例如体硅基底或soi(绝缘体上硅)基底。基底120可以是硅基底，或者可以是包括诸如硅锗(sige)、锑化铟(insb)、碲-铅(pbte)化合物、砷化铟(inas)、磷化铟(inp)、砷化镓(gaas)或锑化镓(gasb)的其它材料的基底。可选择地，基底120可以通过在基体基底上生长外延层来形成。然而，将理解的是，本发明构思的示例性实施例不限于此。基底120可以包括用于质谱分析的各种基底。

基底120可以设置在板110上。板110可以是固定的，但如果需要可以是可移动的。例如，板110可以(例如，通过固定臂)被固定在一定位置中。基底120可以被固定到板110。作为示例，板110可以在上、下、左和右方向上移动，以任何期望的角度移动或者旋转。因此，板110上的基底120可以是可移动的。

基底120可以包括分析物122。分析物122是将通过用于质谱分析的设备10分析的目标。分析物122可以存在于基底120的一些区域上，而不存在于基底120的其它区域上。例如，基底120可以包括存在分析物122的第一区域r1和不存在分析物的第二区域r2。可选择地，分析物122可以基本覆盖基底120的整个表面(例如，上表面)。

在本发明构思的示例性实施例中，分析物122可以包括有机物。例如，分析物122可以包括芳香烃化合物或脂肪烃化合物。在本发明构思的示例性实施例中，分析物122可以包括具有相对低的分子量的材料。例如，分析物122可以包括具有1,000da或更低的相对低的分子量的有机物。在本发明构思的示例性实施例中，分析物122可以包括固体材料。例如，分析物122可以包括固体有机物。

zno-石墨烯杂化物130可以包括zno132和石墨烯134。例如，混合进料器20可以提供混合有zno132和石墨烯134的zno-石墨烯杂化物130。zno132和石墨烯134可以基本上均匀混合。可选择地，zno132和石墨烯134可以非均匀混合。

在本发明构思的示例性实施例中，zno-石墨烯杂化物130可以包括zno纳米颗粒和还原氧化石墨烯(rgo)。例如，zno132可以是zno纳米颗粒，石墨烯134可以是还原氧化石墨烯。zno纳米颗粒可以包括但不限于zno纳米棒。

参照图2a，zno132可以附着到石墨烯134。例如，zno132可以通过诸如氢键和/或配位键的分子间键合来附着到石墨烯134。

下面将参照下面的示例和对比示例更详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的zno-石墨烯杂化物。然而，将理解的是，下面的示例仅是说明性的，并且本发明构思的示例性实施例不限于此。

<示例1>

zno纳米颗粒

可以将7.38g的zn(oac)2·2h2o在60℃下溶解在甲醇中以制备溶液。随后，可以将溶解在16.25ml的甲醇中的3.7g的koh与该溶液混合，并且可以在60℃下磁力搅拌，使它们彼此反应5天。随后，可以通过以3,000rpm离心15分钟来分离所得颗粒，用甲醇和去离子水洗涤，并且在50℃下真空干燥。结果，可以制备zno纳米颗粒。

氧化石墨烯

在磁力搅拌期间，可以将37.5ml的h2so4缓慢加入到包括0.38g的nano3和0.5g的石墨粉末的烧瓶。30分钟后，可以相对缓慢地加入2.25g的kmno4，并且可以在室温下连续搅拌5天。随后，可以在室温下加入70ml的稀释的5质量％h2so4，在90℃下搅拌2小时，然后可以加入3ml的h2o2并在室温下搅拌2小时。可以将所得溶液以6,000rpm离心10分钟，并用3wt％h2so4、0.5wt％h2o2和3wt％hcl的混合物来洗涤。然后可以用去离子水重复洗涤所得产物直到ph变为中性，并且可以在40℃下真空干燥过夜。结果，可以制备氧化石墨烯。

zno-石墨烯杂化物

可以将0.5g的zno纳米颗粒添加到其中将氧化石墨烯添加到65ml的去离子水和32.5ml的乙醇的混合物的悬浮液，以制备zno-氧化石墨烯混合物。在这样做时，对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物可以使用2wt％的氧化石墨烯。随后，可以将zno-氧化石墨烯混合物置于聚四氟乙烯衬里的高压釜中，同时在室温下搅拌2小时。然后可以将温度升到180℃并保持12小时。结果，可以将氧化石墨烯转化为还原氧化石墨烯(rgo)。然后可以通过过滤分离所得沉淀物，以3,000rpm离心20分钟，并再次分散在去离子水中。随后，可以在50℃下真空干燥所得产物，以制备zno-石墨烯杂化物粉末。

<示例2>

在示例2中，除了氧化石墨烯的含量可以相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物改变为4wt％之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备zno-石墨烯杂化物。

<示例3>

在示例3中，除了氧化石墨烯的含量可以相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物改变为8wt％之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备zno-石墨烯杂化物。

<对比示例1>

可以制备zno纳米颗粒。将注意的是，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备zno纳米颗粒。

<对比示例2>

可以制备还原氧化石墨烯。除了不添加zno纳米颗粒之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备还原氧化石墨烯。

图3是zno、石墨烯和zno-石墨烯杂化物的示例性tem图像的图。

图3包括图像a、图像b和图像c。参照图3，在制备的zno-石墨烯杂化物130中，zno132可以成功地附着到石墨烯134，并且被杂化而没有由于这种杂化导致的任何形变。例如，zno132可以附着到石墨烯134而不使纳米棒的形状形变。此外，根据杂化，白色zno132可以变为黑色zno-石墨烯杂化物130。

混合进料器20可以将zno-石墨烯杂化物130提供到基底120的预定区域。例如，混合进料器20可以将zno-石墨烯杂化物130提供到基底120的第一区域r1(见，例如，图2a)中。

参照图2b，第一区域r1中的分析物122可以吸附在zno-石墨烯杂化物130上，以制备混合样品150。例如，混合进料器20可以对分析物122以悬浮液的形式提供zno-石墨烯杂化物130。随后，将分析物122和zno-石墨烯杂化物130进行干燥，以制备混合样品150。

如果分析物122包括有机物，则分析物122可以与zno-石墨烯杂化物130的石墨烯部分形成π-π键和/或疏水键。结果，分析物122可以相对容易地吸附在zno-石墨烯杂化物130上。

质量分析器30可以利用激光解吸/电离质谱(ldi-ms)来检测分析物122。例如，质量分析器30可以对基底120的预定区域执行质谱分析。

参照图4，质量分析器30可以包括例如光照射单元210、进口205、光学系统220、离子检测单元230和成像单元240。然而，将理解的是，本发明构思的示例性实施例不限于此。质量分析器30可以包括用于执行激光解吸/电离质谱分析的各种元件。

光照射单元210可以用光l照射基底120的预定区域。例如，光照射单元210可以用光l照射基底120的第一区域r1中的混合样品150。光照射单元210可以包括用于将光l聚焦在基底120上的一个或更多个光学构件。例如，光照射单元210可以包括但不限于固体钇铝石榴石(yag)激光光源。

光照射单元210可以使分析物122电离。混合样品150可以从照射的光l吸收能量。吸收的能量可以通过能量转移过程传递到分析物122。在本发明构思的示例性实施例中，光l可以包括具有约300nm至约400nm的波长的脉冲激光。例如，zno-石墨烯杂化物130可以从照射的光吸收能量。

参照图5，包括zno纳米颗粒的对比示例1以及示例1至示例3在约300nm至400nm的波长处表现出相对强的吸收。将注意的是，图5示出了对比示例1、对比示例2以及示例1至示例3的紫外-可见(紫外-可见光谱)吸收光谱。相反，不包括zno纳米颗粒的对比示例2在约300nm至400nm的波长处不表现出强的吸收。以上，可以看出zno纳米颗粒可以相对强地吸收具有约300nm至约400nm的波长的光。

另外，与对比示例1相比，示例1至示例3表现出更高的光吸收。对于具有约355nm或更大的波长的光，示例1至示例3表现出红移现象。因此，包括zno-石墨烯杂化物的示例1至示例3比仅包括zno纳米颗粒的对比示例1表现出更高的光吸收。可以看出，这种现象随着还原氧化石墨烯的含量增加而增大。以上，可以看出，zno-石墨烯杂化物130比未与石墨烯杂化的zno表现出更高的光吸收率。

另外，zno-石墨烯杂化物130可以转移吸收的能量。例如，zno-石墨烯杂化物130的石墨烯部分可以将吸收的能量转移到分析物122。因此，分析物122可以从zno-石墨烯杂化物130解吸并电离，以产生电离的分析物160。

图6是示出对比示例1以及示例1至示例3的光致发光(pl)光谱的曲线图。在图6中，包括zno-石墨烯杂化物的示例1至示例3表现出比仅包括zno纳米颗粒的对比示例1的光致发光弱的光致发光。另外，可以看出，光致发光的强度可以随着氧化石墨烯的含量的增加而降低。可以看出，zno-石墨烯杂化物可以以这种方式转移从照射的光吸收的能量。

在本发明构思的示例性实施例中，zno-石墨烯杂化物130可以相对于100wt％的zno-石墨烯杂化物130包括约1wt％至7wt％的石墨烯134。如果石墨烯134的含量小于约1wt％，则zno-石墨烯杂化物130会无法将足够的能量转移到分析物122。如果石墨烯134的含量大于约7wt％(即，如果zno132的含量相对低)，则zno-石墨烯杂化物130会无法吸收用于充分电离分析物122所需的能量。

作为示例，zno-石墨烯杂化物130可以相对于100wt％的zno-石墨烯杂化物130包括约1.5wt％至6wt％的石墨烯134。

进口205可以接收电离的分析物160。例如，通过光照射单元210产生的电离的分析物160可以穿过进口205。

光学系统220可以使电离的分析物160加速。此外，光学系统220可以选择待检测的离子。光学系统220可以包括一个或更多个静电透镜。例如，光学系统220可以包括施加电场的电极，并且具有用于使电离的分析物160经由其穿过的孔。

在本发明构思的示例性实施例中，光学系统220还可以设置为邻近于离子检测单元230以使电离的分析物160减速。

离子检测单元230可以检测在离子漂移区dr中飞行的电离的分析物160以生成分析物122的质量数据。例如，通过光学系统加速的电离的分析物160可以在具有预定长度的离子漂移区dr中飞行。在离子漂移区dr内，电离的分析物160中的每个离子可以基于其质荷比(m/z)分离。因此，可以利用离子到达离子检测单元230所花费的时间来明确离子的质荷比，使得可以生成分析物122的质量数据。

在本发明构思的示例性实施例中，离子检测单元230可以以反射模式设置。例如，质量分析器30还可以包括在离子的传播方向上设置的偏转器。偏转器可以朝向设置有离子检测单元230的一侧反射在离子漂移区dr中飞行的电离的分析物160。

成像单元240可以连接到离子检测单元230。成像单元240可以通过利用从离子检测单元230生成的质量数据来提供质量图像。例如，成像单元240可以以质谱的形式提供基于质荷比分离的离子的强度。

在本发明构思的示例性实施例中，成像单元240可以仅选择预定质量范围内的离子以提供质量图像。

成像单元240可以包括但不限于个人计算机(pc)。

图7是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备的图。下面可以省略与上面描述的组件相同或基本相同的组件的描述，因此，下面可以集中在与上面描述的本发明构思的示例性实施例的不同之处。本发明构思的示例性实施例的技术特征或方面的描述应该通常被认为可用并且适用于本发明构思的另一示例性实施例中的其它相似特征或方面。因此，这里根据本发明构思的一个示例性实施例描述的技术特征可以适用于本发明构思的其它示例性实施例，因此这里可以省略重复的描述。

参照图7，根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备可以包括板110、基底120、微量移液管140、光照射单元210、进口205、光学系统220、离子检测单元230、成像单元240和室300。

室300可以具有中空圆柱形形状。可选择地，室300可以具有圆形桶形状、正方形桶形状或矩形桶形状。

室300可以提供用于提供zno-石墨烯杂化物130并执行质谱分析的空间。例如，板110、基底120、进口205、光学系统220和离子检测单元230可以设置在室300中。然而，将理解的是，本发明构思的示例性实施例不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，板110、基底120、进口205、光学系统220和离子检测单元230中的一些可以设置在室300外部。

在本发明构思的示例性实施例中，板110可以在室300中是可移动的。板110在室300中是可移动的，并且可以使基底120移动。基底120可以被固定到板110。例如，可以通过移动板110将zno-石墨烯杂化物130提供到基底120上的预定区域中。可选择地，可以通过移动板110对基底120上的预定区域进行质谱分析。

在本发明构思的示例性实施例中，室300可以包括门310。通过门310，基底120可以插入到室300中或从室300取出。然而，将理解的是，本发明构思的示例性实施例不限于此。室300可以包括用于将基底120装入到室300中或将基底120从室300移出的另一开/关机制。

在本发明构思的示例性实施例中，室300可以是真空室。例如，室300可以包括压力控制器320。压力控制器320可以在室300内产生并保持真空。另外，压力控制器320可以排放室300内的杂质。压力控制器320可以包括但不限于真空泵。

在本发明构思的示例性实施例中，室300可以包括温度控制器330。温度控制器330可以控制室300内的温度。例如，温度控制器330可以加热或冷却产生真空状态的室300的内部。例如，温度控制器330可以加热或冷却板110。

下面将参照示例和对比示例更详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的混合样品。然而，将理解的是，下面的示例仅是说明性的，并且本发明构思不限于此。

<示例1>

可以通过将zno-石墨烯杂化物提供到分析物来制备混合样品。如上所述，在本发明构思的示例性实施例中，可以利用相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物的2wt％的氧化石墨烯来制备zno-石墨烯杂化物。

分析物

可以用丙酮和ipa(异丙醇)对硅(si)晶圆进行超声清洗，并且将硅(si)晶圆浸入0.5wt％hf溶液中至少10分钟以去除氧化硅膜。随后，可以用去离子水洗涤硅晶圆并在真空中干燥30分钟。可以通过用丙酮/去离子水混合物(60:40，体积/体积)稀释丙酮中的1mg/ml的b[a]p(苯并[a]芘)储备溶液来制备b[a]p溶液。利用微量移液管，可以将2μl制备的b[a]p溶液置于硅晶圆上并在真空下干燥。以这种方式，可以制备具有1.7×10¹⁶c原子/cm²的表面浓度的分析物。可以对硅晶圆计算每单位面积(例如，0.0225cm²)的分析物的表面浓度(c原子/cm²)。

混合样品

利用微量移液管，可以将2μl的悬浮液(在悬浮液中zno-石墨烯杂化物以10ng/μl的浓度分散在去离子水中)添加到硅晶圆的其上干燥有分析物的预定区域。因此，可以添加20ng的zno-石墨烯杂化物。随后，可以通过在真空下干燥混合样品30分钟来制备混合样品。

<示例2>

在示例2中，除了氧化石墨烯的含量可以相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物改变为4wt％之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备混合样品。

<示例3>

在示例3中，除了氧化石墨烯的含量可以相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物改变为8wt％之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备混合样品。

<示例4>

在示例4中，除了可以将zno-石墨烯杂化物的浓度改变为1ng/μl之外，可以以与示例2中的方式基本相同的方式来制备混合样品。因此，可以使用2ng的zno-石墨烯杂化物。

<示例5>

在示例5中，除了可以将zno-石墨烯杂化物的浓度改变为100ng/μl之外，可以以与示例2中的方式基本相同的方式来制备混合样品。因此，可以使用200ng的zno-石墨烯杂化物。

<示例6>

在示例6中，除了可以将zno-石墨烯杂化物的浓度改变为1,000ng/μl之外，可以以与示例2中的方式基本相同的方式来制备混合样品。因此，可以使用2,000ng的zno-石墨烯杂化物。

<对比示例1>

在对比示例1中，除了可以用zno纳米颗粒代替zno-石墨烯杂化物之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备混合样品。

<对比示例2>

在对比示例2中，除了可以用还原氧化石墨烯代替zno-石墨烯杂化物之外，可以以与示例1中的方式基本相同的方式来制备混合样品。

<对比示例3>

可以仅用分析物来制备混合样品。

下面将参照图8至图11更详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的质量分析器的性能。

图8示出了对比示例1至对比示例3以及示例1至示例3的激光解吸/电离质谱的示例性光谱。

参照图8，使用zno-石墨烯杂化物的示例1至示例3可以在质谱分析的光谱中表现出相对强的信号。仅使用zno纳米颗粒的对比示例1、仅使用还原氧化石墨烯的对比示例2以及仅使用分析物的对比示例3会在质谱分析的光谱中表现出相对弱的信号。如这里描述的，可以使用zno-石墨烯杂化物来分析具有相对低的分子量的分析物。

另外，与示例1和示例3相比，示例2在质谱分析的光谱中表现出相对更强的信号。在根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备中，使用相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物的约2wt％至8wt％的氧化石墨烯制备的zno-石墨烯杂化物可以在检测分析物方面表现相对较好。

图9示出了示例2以及示例4至示例6的激光解吸/电离质谱的示例性光谱。

在示例2以及示例4至示例6中，信号示出在质谱分析的光谱中。因此，在根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备中，可以使用每单位面积(0.0225cm²)约2ng至2,000ng的zno-石墨烯杂化物。

参照图9，与示例4、示例5和示例6相比，示例2在质谱分析光谱中表现出相对更强的信号。如这里描述的，在根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备中，每单位面积(0.0225cm²)约20ng的zno-石墨烯杂化物(例如，在检测分析物中)表现出相对强的性能。例如，每单位面积(0.0225cm²)约10ng至100ng的zno-石墨烯杂化物可以(例如，在检测分析物中)表现出相对强的性能。

图10示出了示例2的对于不同浓度的分析物的激光解吸/电离质谱的示例性光谱。图11是图10的信噪比的图。将注意的是，图10和图11中的表面浓度(s)指分析物的表面浓度。

参照图10和图11，即使对于具有0.025×s至1×s(其中，s是1.7×10¹⁶c原子/cm²)的表面浓度的分析物，根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备也可以表现出信号。

因此，根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的设备可以检测具有非常低的表面浓度的分析物。例如，用于质谱分析的设备可以分析半导体晶圆的污染物。在这种情况下，用于质谱分析的设备可以能够分析表面浓度为5×10¹⁴c原子/cm²至10×10¹⁴c原子/cm²的污染物。

将参照图2a、图2b、图3和图12描述根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的方法。

图12是根据本发明构思的示例性实施例的用于质谱分析的方法的流程图。下面可以省略与上面描述的组件相同或基本相同的组件的描述，因此，下面可以集中在与上面描述的本发明构思的示例性实施例的不同之处。

参照图2a和图12，准备包括分析物122的基底120(步骤s10)。

在本发明构思的示例性实施例中，分析物122可以包括具有1,000da或更低的相对低的分子量的有机物。另外，在本发明构思的示例性实施例中，分析物122可以包括固体有机物。例如，分析物122可以包括固体芳香族化合物和/或固体脂肪族化合物。

参照图2a、图2b和图12，提供将要吸附在分析物122上的zno-石墨烯杂化物130(步骤s12)。以这种方式，可以制备混合样品150。

在本发明构思的示例性实施例中，可以通过利用例如微量移液管140来提供zno-石墨烯杂化物130。在本发明构思的示例性实施例中，可以以悬浮液的形式制备zno-石墨烯杂化物130。

在本发明构思的示例性实施例中，该方法还可以包括在提供将要吸附在分析物122上的zno-石墨烯杂化物130之后干燥混合样品150。例如，可以在真空下干燥通过将zno-石墨烯杂化物130提供到分析物122而制备的混合样品150。

参照图3和图12，可以利用激光解吸/电离质谱(ldi-ms)来分析分析物122(步骤s14)。

可以通过利用例如图4的质量分析器30来进行分析物122的利用激光解吸/电离质谱的分析。因此，可以提供能够分析可以位于基底的一部分上的具有相对低的分子量的分析物的质谱分析的方法。

下面将参照图2a、图2b、图3和图13更详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的质谱分析的方法。

图13是根据本发明构思的示例性实施例的用于分析半导体晶圆的方法的流程图。下面可以省略与上面描述的组件相同或基本相同的组件的描述，因此，下面可以集中在与上面描述的本发明构思的示例性实施例的不同之处。

参照图13，提供半导体晶圆(步骤s20)。

例如，图2a的基底120可以包括半导体晶圆。在本发明构思的示例性实施例中，基底120上的分析物122可以包括固体有机物。例如，分析物122可以是残留在半导体晶圆的区域上的具有相对低的分子量的有机污染物。

随后，在半导体晶圆上提供zno-石墨烯杂化物(步骤s22)。

在本发明构思的示例性实施例中，提供zno-石墨烯杂化物的步骤可以包括将zno纳米颗粒与氧化石墨烯混合以制备zno-氧化石墨烯混合物以及还原zno-氧化石墨烯混合物。

在本发明构思的示例性实施例中，zno-氧化石墨烯混合物可以相对于100wt％的zno-氧化石墨烯混合物包括约2wt％至8wt％的氧化石墨烯。因此，可以制备相对于100wt％的zno-石墨烯杂化物130具有约1wt％至7wt％的石墨烯134的zno-石墨烯杂化物130。

在本发明构思的示例性实施例中，提供zno-石墨烯杂化物130的步骤可以包括每单位面积(0.0225cm²)提供约2ng至2,000ng的zno-石墨烯杂化物130。

随后，利用激光解吸/电离质谱(ldi-ms)分析分析物122。因此，利用ldi-ms对半导体晶圆检测有机物(步骤s24)。

以这种方式，可以分析例如残留在半导体晶圆的区域上的具有相对低的分子量的有机污染物。

尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。