1.一种锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法，其特征在于，包括：
对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；所述多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个所述待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；
对多个所述待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；
选择第一剂量率对设定于不同偏置电压的所述第一子待测晶体管组进行n次60co伽马射线辐照；其中，选择第一剂量率对设定于不同偏置电压的所述第一子待测晶体管组进行第i次60co伽马射线辐照，以达到预设剂量点qi；
选择第二剂量率对设定于不同偏置电压的所述第二子待测晶体管组进行n次60co伽马射线辐照；其中，选择第二剂量率对设定于不同偏置电压的所述第二子待测晶体管组进行第i次60co伽马射线辐照，以达到所述预设剂量点qi；
每次60co伽马射线辐照后分别对所述第一子待测晶体管组中的待测晶体管和所述第二子待测晶体管组中的待测晶体管进行辐照电学特性测试；
根据每个所述待测晶体管的所述初始电学特性测试以及所述辐照电学特性测试获得每个所述待测晶体管的缺陷分布；
其中，1≤i≤n；n≥2；
所述第一剂量率的范围为a1，100rad(si)/s≤a1≤150rad(si)/s；
所述第二剂量率的范围为a2，0.01rad(si)/s≤a2≤0.1rad(si)/s。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述待测晶体管进行初始电学特性测试之前，还包括：
制作辐照电路板；
制作辐照电路板包括：
将每个所述待测晶体管焊接于第一印刷电路板上；
将焊有所述第一印刷电路的所述待测晶体管组成的不同所述待测晶体管组分别置于不同的双列直插老化座上，以使每个所述待测晶体管组外加相同的偏置电压；
将不同的所述双列直插老化座焊接于第二电路板上；
通过所述第二电路板为每个所述待测晶体管组外加相同的所述偏置电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二电路板设置有多个第一电阻、多个第二电阻和多个第三电阻；所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻和所述待测晶体管的数量相同；
连接有所述待测晶体管基极的所述的双列直插老化座的管脚与所述第一电阻的第一端连接，连接有所述待测晶体管发射极的所述双列直插老化座的管脚与所述第二电阻的第一端连接，连接有所述待测晶体管集电极的所述双列直插老化座的管脚与所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端以及所述第三电阻的第二端用于加入所述偏置电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电阻r1，100ω≤r1≤150ω；
所述第二电阻r2，360ω≤r2≤400ω；
所述第三电阻r3，360ω≤r3≤400ω。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同的偏置电压包括：
第一基极-发射极电压v1be＝0.7v，第一基极-集电极电压v1bc＝-2v；
第二基极-发射极电压v2be＝0.7v，第二基极-集电极电压v2bc＝0.5v；
第三基极-发射极电压v3be＝0v，第三基极-集电极电压v3bc＝-2v；
第四基极-发射极电压v4be＝0v，第四基极-集电极电压v4bc＝0.5v；
第五基极-发射极电压v5be＝0v，第五基极-集电极电压v5bc＝0v；
第六基极-发射极电压v6be＝-0.3v，第六基极-集电极电压v6bc＝0.5v；
第七基极-发射极电压v7be＝-0.3v，第七基极-集电极电压v7bc＝-2v。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预设剂量点q分别包括：30krad(si)、100krad(si)、300krad(si)、500krad(si)、1mrad(si)。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述待测晶体管进行初始电学特性测试，包括：
对每个所述待测晶体管进行正向gummel特性与反向gummel特性的测试。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对每个所述待测晶体管进行正向gummel特性与反向gummel特性的测试，包括：
正向gummel特性测试包括：使所述待测晶体管的发射极接0v电压，所述待测晶体管的基极与所述待测晶体管的集电极接0v-1.5v的扫描电压，扫描步长为1mv，其中所述待测晶体管的基极接的电压为主扫描电压，所述待测晶体管的集电极接的电压为跟随扫描电压；
反向gummel特性测试包括：使所述待测晶体管的集电极接0v电压，所述待测晶体管的基极与所述待测晶体管的发射极接0v-1.5v的扫描电压，扫描步长为1mv，其中所述待测晶体管的基极接的电压为主扫描电压，所述待测晶体管的发射极接的电压为跟随扫描电压。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每次60co伽马射线辐照后分别对所述第一子待测晶体管组中的待测晶体管和所述第二子待测晶体管组中的待测晶体管进行辐照电学特性测试，包括：
对辐照后每个所述待测晶体管进行正向gummel特性的测试得到正向gummel数据与反向gummel特性的测试得到反向gummel数据；
根据每个所述待测晶体管的所述初始电学特性测试以及所述辐照电学特性测试获得多个所述待测晶体管的缺陷分布，包括：
根据每个所述待测晶体管在不同剂量点下的所述正向gummel数据求正向归一化过剩基极电流；
根据每个所述待测晶体管在不同剂量点下的所述反向gummel数据求反向归一化过剩基极电流。
10.一种锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析装置，其特征在于，包括：
初始电学特性测试模块，用于对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；所述多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个所述待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；
偏置电压设定模块，用于对多个所述待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；
第一60co伽马射线辐照模块，用于选择第一剂量率对设定于不同偏置电压的所述第一子待测晶体管组进行n次60co伽马射线辐照；其中，当选择第一剂量率对设定于不同偏置电压的所述第一子待测晶体管组进行i次60co伽马射线辐照，以达到预设剂量点qi；
第二60co伽马射线辐照模块，用于选择第二剂量率对设定于不同偏置电压的所述第二子待测晶体管组进行n次60co伽马射线辐照；其中，当选择第二剂量率对设定于不同偏置电压的所述第二子待测晶体管组进行i次60co伽马射线辐照，以达到所述预设剂量点qi；
辐照电学特性测试模块，用于每次60co伽马射线辐照后分别对所述第一子待测晶体管组和所述第二子待测晶体管组进行辐照电学特性测试；
缺陷分布获得模块，用于根据每个所述待测晶体管的所述初始电学特性测试以及所述辐照电学特性测试获得多个所述待测晶体管的缺陷分布；
其中，1≤i≤n；n≥2；
所述第一剂量率的范围为a1，100rad(si)/s≤a1≤150rad(si)/s；
所述第二剂量率的范围为a2，0.01rad(si)/s≤a2≤0.1rad(si)/s。