技术总结
本发明公开了锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法。包括：对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；对多个待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；选择第一和第二剂量率分别对设定于不同偏置电压的第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组进行n次60Co伽马射线辐照；每次60Co伽马射线辐照后分别对第一子待测晶体管组中的待测晶体管和第二子待测晶体管组中的待测晶体管进行辐照电学特性测试；根据每个待测晶体管的初始电学特性测试以及辐照电学特性测试获得每个待测晶体管的缺陷分布。以达到准确分析其总剂量效应的损伤机理的效果。
技术研发人员：张晋新;郭红霞;郭旗;付军;王玉东;吴宪祥;王辉;孙静
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2019.12.13
技术公布日：2020.03.27