1.一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：包含正向参数测量和反向参数测量；
2.根据权利要求1所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：包含测试系统，所述测试系统包含恒流源、二极管、切换电路、放大电路、ad转换、处理器、显示器、处理器；所述二极管的输出端分别连接切换电路的输入端、放大电路的输入端，切换电路的输出端连接放大电路的输入端，放大电路的输出端连接ad转换的输入端，ad转换的输出端连接处理器的输入端，处理器的输出端分别连接显示器的输入端和恒流源的输入端，键盘的输出端连接处理器的输入端。
3.根据权利要求2所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：还包含开关电源，所述开关电源与处理器连接用于提供所需电能。
4.根据权利要求2所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：所述处理器的芯片型号为stm32f103zet6。
5.根据权利要求3所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：所述开关电源包含电压控制器和电压转换电路一和电压转换电路二；
6.根据权利要求3所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，，其特征在于：所述电压控制器包含电解电容ec1、电解电容ec2、电解电容ec3、电解电容ec4、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻rs1、电阻rs2、电阻rs3、电阻rs4、电阻r23、电阻r24、电阻r25、电阻r26、电阻r32、电阻r34、电阻r35、二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d12、mos管q1、mos管q2、电感l1、芯片u1；
7.根据权利要求6所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：所述芯片u1的型号为lm5116。
8.根据权利要求5所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：电压转换电路一包含芯片u2、电阻r9、电阻r11、电阻r12、电感l2、二极管d5、电解电容ec5、电解电容ec6；
9.根据权利要求5所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：所述电压转换电路二包含芯片u3、电容c13、电容c14、电容c15、电容c16、电容c16，+10v电压端分别连接电容c13的一端、电容c14的一端和芯片u3的引脚1，电容c13的另一端分别连接电容c14的另一端、芯片u3的引脚2、电容c15的一端、电容c16的一端并接地，电容c16的另一端分别连接电容c15的另一端、芯片u3的引脚3和+5v电压端。
10.根据权利要求5所述的一种针对陶瓷封装二极管高低温测试方法，其特征在于：所述芯片u2的型号为xl7015。