专利名称：真空微电子气体传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及气体传感器技术。
已有的半导体气体传感器，以其灵敏度高，响应和恢复快，制作工艺简单，价格便宜等优点，被广泛应用在军事、工业、农业以及环境等领域。但已有的半导体气体传感器还存在一些缺点，如气体选择性差，在被测气氛中受环境气氛的温度、成份，湿度和气压等因素的影响，使得其稳定性和可靠性都不理想。
本实用新型的目的，就是提供一种既有好的稳定性，又有好的可靠性和选择性的，真空微电子气体传感器。
真空微电子器件具有快速响应，开关速度和工作频率高，抗辐射能力强，对高、低温不敏感的特性。
本实用新型就是将真空微电子技术应用于气体检测。
以下结合附图，对本实用新型说明之。
附
图1是本实用新型的结构剖视图。
图中1、光敏探测器；2、受激辐射光；3、电极(正极)；4、氧化硅(SiO2)；5、电极(负极)；6、离子化气室；7、硅衬底；8、玻璃薄片；9、阴极发射尖端；10、单晶硅体。
本实用新型的结构如附图1所示，是在硅衬底(7)上有一层负电极(5)，在其上是一层氧化硅(SiO2)(4)；在氧化硅(4)上是一层单晶硅体(10)，在其中间有一低真空离子化气室(6)；在离子化气室(6)中有阴极发射尖端(9)；在离子化气室(6)的上面是玻璃薄片(8)，在玻璃薄片(8)的底面有一层梳状正电极(3)。光敏探测器(1)放置在玻璃薄片(8)的上方。
在离子化气室(6)中充上微量待测气体，如H2、CO2、CO等，在正负电极(3)、(5)两端加电场，这样阴极发射尖端(9)产生高压离子放电。因离子化气室(6)中有待测气体，受激后辐射离子光(2)，这一光信号被光敏探测器(1)接收。
在检测气体时，环境中待测气体吸收受激辐射光(2)，引起光强度的变化，使光敏探测器有信号变化，便可推知所测环境中有无待测气体。
本实用新型的优点是，体积小(100×100μm)，功耗小，节约能源，制作简单，选择性好，可靠性高，抗干扰能力强，抗辐射能力强，受环境温度影响小，检测精度高，性能稳定。
权利要求1.一种真空微电子气体传感器，其特征在于，硅衬底上有一层负电极，其上是一层氧化硅；在氧化硅层上是一层单晶硅体，在其中间有离子化气室；在离子化气室中有阴极发射尖端；在离子化气室的上面是玻璃薄片，玻璃薄片的底面有一层梳状正电极；光敏探测器放置在玻璃薄片的上方。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述离子化气室里充有氢气，二氧化碳气体或一氧化碳气体。
专利摘要本实用新型公开了一种真空微电子气体传感器。其结构是在硅衬底上是电极,其上是氧化硅,在氧化硅上是单晶硅体;在单晶硅体中间有一离子化气室,在其中间有阴极发射尖端;在离子化气室的上面是底面有正电极的玻璃薄片。本实用新型体积小、功耗小,制作简单,选择性好,可靠性高,抗干扰能力强,抗辐射能力强,检测精度高,性能稳定。
文档编号G01D5/42GK2282680SQ97235628
公开日1998年5月27日 申请日期1997年4月1日 优先权日1997年4月1日
发明者刘锦淮, 张耀华, 李明强, 张正勇, 焦正, 张蓉 申请人:中国科学院合肥智能机械研究所