检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种检测装置，特别是一种检测待测光源特性的检测装置。
【背景技术】
[0002] 在制造发光电子元件之后，通常需要对发光电子元件进行检测。若是有不符合标 准的发光电子元件，则可通过此检测行为加W淘汰，W确保诸多发光电子元件中没有故障 的元件，也可确保此些发光电子元件的发光表现能够达到预期的标准。
[0003] 目前有业者利用积分球检测发光电子元件的光学特性。然而，在同时大量检测发 光电子元件时，必须微型化积分球才能达成。而微型化的积分球容易造成检测时光学特性 的误差。
【发明内容】
[0004] 有鉴于W上的问题，本发明提出一种检测装置，用于在大量检测待测光源时，能够 取得较小误差的光学特性。
[0005] 本发明公开一种检测装置，用W测量一待测光源。检测装置包括一均光元件、 多个检测电极及一感光兀件。均光兀件具有一腔室。腔室具有一入光口及一出光口， 入光口小于出光口。形成腔室的一内表面定义有一反射区及一散射区。内表面具有一 中也轴。内表面于入光口的一入光端缘具有一第一端点。内表面于出光口的一出光端 缘具有一第二端点。内表面从第一端点延伸至第二端点具有一最短曲线。最短曲线W 中也轴为旋转轴旋转360度而形成内表面。最短曲线具有一基线及位于基线一端的一 基准点。最短曲线上的各点位置至基准点的距离为r。最短曲线上的各点位置至基准 点的连线与基线的夹角为9。第一端点至基准点的连线与基线的夹角为(pin。第二端 点至基准点的连线与基线的夹角为最短曲线与基线及基准点之间的关系符合 r= 2f,/(l-coS(p)、4>〇ut《《（Mn、{pout=arctaii((Rout-y〇)/(L+zO))-()r 及（pin=arctan((Riii-yO)./zO)-0r的条件。其中最短曲线上的各点位置远离基准点 及基线的程度为f。基线所在的一直线与中也轴的夹角为0r。基准点至中也轴的垂直距离 为yO。基准点至入光口所在平面的垂直距离为zO。第一端点至中也轴的垂直距离为化n。 第二端点至中也轴的垂直距离为Rout。入光口至出光口的最短距离为L。arctan为反正切 函数。检测电极设置于入光口，且用W供电至待测光源。感光元件设置于出光口。
[0006] 根据本发明的检测装置，能够通过反射区的配置及内表面的形状，在检测装置的 尺寸不致过大便能令待测光源的光线从入光口顺利引导至出光口，且通过散射区的配置令 被引导致出光口的光线能够均匀分布。因此，即使利用多个检测装置同时检测大量的待测 光源，感光元件也能够检测到均匀且强度充足的待测光源的光线，而能够取得较小误差的 待测光源的光学特性。
[0007] W上的关于本
【发明内容】
的说明及W下的实施方式的说明用W示范与解释本发明 的精神与原理，并且提供本发明的权利要求保护范围更进一步的解释。
【附图说明】
[0008] 图1为依照本发明的实施例的检测装置检测由工作台承载的待测光源的立体示 意图。
[0009] 图2为图1的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。
[0010] 图3为图2中沿线剖面的俯视剖面图。
[0011] 图4为图2的内表面的侧视示意图。
[0012] 图5为依照本发明的另一实施例的均光元件的侧视剖面图。
[0013] 图6为依照本发明的另一实施例的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。
[0014] 图7为图6中沿VII-VII线剖面的俯视剖面图。
[0015] 图8为图6的局部放大的侧视剖面图。
[0016] 图9为依照本发明的另一实施例的检测装置、待测光源及工作台的侧视剖面图。
[0017] 图10、图11、图12、图13及图14为依照本发明的另一实施例的均光元件的内表面 的侧视剖面示意图。
【具体实施方式】
[0018] W下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征W及优点，其内容足W使任何本领 域中具通常知识者了解本发明的技术内容并据W实施，且根据本说明书所公开的内容、权 利要求保护范围及附图，任何本领域中具通常知识者可轻易地理解本发明相关的目的及优 点。W下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非W任何观点限制本发明的范畴。
[0019] 请参照图1，其依照本发明实施例的检测装置10检测由工作台3承载的待测光源 2的立体示意图。检测装置10用W测量待测光源2。多个检测装置10能够排列成阵列而 形成一检测系统1，W利同时检测由工作台3承载的多个待测光源2。待测光源2能够为发 光二极管（LED)等发光电子元件。
[0020] 请参照图2及图3,图2是图3的检测装置10、待测光源2及工作台3的侧视剖面 图，图3是图2中沿线剖面的俯视剖面图。检测装置10包括一均光元件11、一第 一检测电极121、一第二检测电极122及一感光元件13。均光元件11具有一腔室110。腔 室110具有一入光口 110a及一出光口 110b。入光口 110a小于出光口 110b。形成腔室110 的一内表面1100定义有一反射区1100a及一散射区1100b。第一检测电极121及第二检 巧IJ电极122皆设置于入光口 110a，且用W供电至由工作台3承载的待测光源2的二个电极 2a、化。第一检测电极121及第二检测电极122可通过金属拉线的方式制成。感光元件13 设置于出光口 110b。
[002。 于本实施例中，反射区1100a相邻于入光口 110a，散射区110化相邻于出光口 110b。散射区110化的面积占内表面1100的面积的比例为60%W上且小于100%。或者， 散射区110化投影至中也轴C的长度占内表面1100投影至中也轴C的长度的比例为60% W上且小于100%。此时，从出光口 11化离开的光线的均匀度达60%W上。反射区1100a 能够将足够的光线反射至散射区110化及出光口 110b，散射区110化能将光线散射得较为 均匀。因此，设置于出光口 11化的感光元件13能够获得充足且均匀的光线，而使感光元件 13所取样的数据较能准确反应待测光源2的情况。
[0022] 请参照图2及图4,图4是图2的内表面1100的侧视示意图。内表面1100具有一中 也轴C。内表面1100于入光口 110a的位置具有一入光端缘1100c,入光端缘1100c具有一第 一端点P1。内表面1100于出光口 11化的位置具有一出光端缘llOOd，出光端缘llOOd具有 一第二端点P2。内表面1100从第一端点P1延伸至第二端点P2具有一最短曲线B。最短曲线 BW中也轴C为旋转轴旋转360度而形成内表面1100。最短曲线B具有一基线化及位于基线 化一端的一基准点Pb。最短曲线B上的各点位置化至基准点Pb的距离为r。最短曲线B上 的各点位置化至基准点化的连线与基线化的夹角为9。第一端点P1至基准点化的连线 与基线化的夹角为(pi11。第二端点P2至基准点Pb的连线与基线化的夹角为(pout。最短 曲线B与基线化及基准点化之间的关系符合r= 2f/(l-coscp)、《（Mn、 (pout^arctan((Roiit-y〇)/(L+zO))-0r及(pin-arclan((R.i.n-y0 )//0 )-0i?的 条件。
[0023] 其中，最短曲线B上的各点位置化远离基准点Pb及基线化的程度为f，程度f愈 大表示愈远。基线化所在的一直线化'与中也轴C的夹角为0r。基准点化至中也轴C 的垂直距离为yO。基准点化至入光端缘1100c所在平面Sin的垂直距离为zO。第一端点 P1至中也轴C的垂直距离为化n。第二端点P2至中也轴C的垂直距离为Rout。入光端缘 1100c至出光端缘llOOd的最短距离为L。
[0024] 基准点化位于中也轴C时，距离yO为零。基准点化位于中也轴C及最短曲线B 之间时，距离yO为正。中也轴C位于基准点化及最短曲线B之间时，距离yO为负。基准 点化位于入光端缘1100c所在平面Sin时，距离zO为零。入光端缘1100c所在的平面Sin 位于基准点化及出光端缘llOOd所在的平面Sout之间时，距离zO为正。基准点化位于 入光端缘1100c所在的平面Sin及出光端缘llOOd所在的平面Sout之间时，距离zO为负。
[0025] 基线化平行于中也轴C时，夹角0r为零。从入光端缘1100c朝向出光端缘llOOd 具有一方向D。基线化所在的直线化'与中也轴C具有一相交点化时，自相交点化沿方 向D延伸的范围中，基线化所在的直线化'位于中也轴C及最短曲线B之间时夹角0r为 正，中也轴C位于基线化所在的直线化'及最短曲线B之间时夹角0r为负。
[0026] 当待测光源2的尺寸愈大时，第一端点P1与中也轴C的垂直距离Rin会选择愈大 的尺寸。相反地，若是待测光源2的尺寸愈小时，第一端点P1与中也轴C的垂直距离化n 可W选择愈小的尺寸。
[0027] 此外，第一端点P1与中也轴C的垂直距离Rin还能取决于所要收集光线的多寡， 即进入均光元件11的光通量。如下方关系式，待测光源2的尺寸为Wy，待测光源2的光强 度分布为I( 0 )，待测光源2的表面至入光口 110a之间的距离为H，于待测光源2从入光口 110a进入均光元件11的光通量为〇。
[0028]
[0029] 当使用者欲收集指定光通量〇的光线时，由于待测光源2的尺寸Wy、待测光源2 的光强度分布I( 0 )及待测光源2至入光口 110a之间的距离H为已知，故可回推出第二端 点P2与中也轴C的垂直距离化n。
[0030] W下说明一示范例。
[0031] 于本示范