透明导电薄膜材料所用刻蚀液一般不会刻蚀为金属材料的源极814和漏极824。
[0040]如图4所示，在本发明中，射线检测基板的接地线820与源极814、漏极824使用相同材料同步形成。通过这种设置节约了单独形成接地线的掩膜板工艺。优选在接地线820对应的位置，在钝化层806上形成有至少部分地露出所述接地线的第一过孔811，存储电容85的第二电极809通过第一过孔811与接地线820连接。因此，本发明直接在钝化层806上形成第一过孔811与接地线820连接，简化了加工工序。
[0041]如图4、图5所示，在本发明中，为进一步使射线探测器表面平滑，需要填平形成的钝化层806表面和形成第三电极时留下的第一过孔811。因此，本发明提供的射线检测基板，还包括钝化层806上形成的平坦化层800。优选地，在钝化层806上还设置有采集电荷的第三电极810，第三电极810在平坦化层800上形成；为了尽可能地减少加工工序，在形成第三电极810时，通过在第一电极807对应的位置在平坦化层800、钝化层806上形成有至少部分地露出所述第一电极807的第二过孔822，第三电极810通过第二过孔822与第一电极807连接。在此可以少使用一次掩膜板工艺，进一步简化了加工工序。在本发明中，平坦化层800优选采用树脂制作，平坦化层800优选为树脂层。
[0042]为进一步体现本发明提供的射线检测基板的优越性，本发明还提供一种射线探测器，该射线探测器包括上述的射线检测基板。
[0043]为进一步体现本发明提供的射线检测基板的优越性，本发明还提供一种上述射线检测基板的制造方法，射线检测基板包括衬底基板7、形成于衬底基板7上的薄膜晶体管81和信号存储单元；薄膜晶体管81包括依次形成于衬底基板7上的栅极801、绝缘层802、有源层803、源极814、漏极824和钝化层806 ;信号存储单元包括存储电容85，存储电容85包括第一电极；该方法包括如下步骤:依次在衬底基板7上形成栅极801、绝缘层802、有源层
803、源漏极824和接地线820 ;在绝缘层802上形成第一电极807并与漏极824搭接；在源漏极824、第一电极807、接地线820上形成钝化层806。在本发明中，第一电极807直接在绝缘层802上形成，并且其与漏极824搭接避免了第一电极807设置在两层钝化层之间，并且不需要通过在钝化层806上形成过孔与漏极824连接。将原来的两层钝化层合为一层钝化层806，省去了单独形成过孔的掩膜板工艺。下面对本发明提供的射线检测基板制作方法展开详细的说明。
[0044]在本发明中，在制作射线检测基板时，形成源极814、漏极824的同时也使用相同材料同步形成了接地线820。通过这种设置省去了单独形成接地线820的掩膜板工艺。该射线检测基板的存储电容85还包括第二电极809，对应地，射线检测基板制作方法还包括形成第二电极809的步骤，具体包括:在接地线820对应的位置，在钝化层806上形成有至少部分地露出所述接地线的第一过孔811，在钝化层806上、第一过孔811形成与接地线820接触的第二电极809。本发明直接在钝化层806上形成第一过孔811与接地线820连接，简化了加工工序。
[0045]为进一步使射线探测器表面平滑，需要填平形成的钝化层806表面和形成第三电极810时留下的第一过孔811。因此，本发明提供的射线检测基板，还包括钝化层806上形成的平坦化层800的步骤。还包括依次在钝化层806上形成平坦化层800、第三电极810的步骤。形成第三电极810的步骤具体包括:在第一电极807对应的位置在平坦化层800、钝化层806上形成有至少部分地露出所述第一电极807的第二过孔822，在平坦化层800、第二过孔822形成第三电极810与第一电极807接触。在本发明中，平坦化层800优选采用树脂制作，平坦化层800优选为树脂层。
[0046]综上所述，本发明提供的射线检测基板及其制造方法和射线探测器，通过第一电极与漏极搭接形式、第二电极与接地线通过第一过孔连接、第三电极通过第二过孔连接第一电极等方式，有效减少掩膜使用次数，简化了射线检测基板生产的加工工艺，降低了生产成本。
[0047]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种射线检测基板，其特征在于，包括:衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管和信号存储单元； 所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层； 所述信号存储单元包括存储电容，所述存储电容的第一电极在所述绝缘层上形成，并与所述漏极搭接；所述存储电容的第二电极连接接地线； 所述钝化层在所述源极、所述漏极、所述第一电极、所述接地线上形成。2.如权利要求1所述的射线检测基板，其特征在于，所述第一电极是由透明导电材料制成。3.如权利要求1或2所述的射线检测基板，其特征在于，所述第二电极是透明导电材料制成。4.如权利要求1或2所述的射线检测基板，其特征在于，所述钝化层设置有至少部分地露出所述接地线的第一过孔，所述第二电极通过所述第一过孔与所述接地线连接。5.如权利要求1或2所述的射线检测基板，其特征在于，还包括钝化层上形成所述平坦化层、第三电极，所述第三电极在所述平坦化层上形成； 所述第三电极通过在所述平坦化层、所述钝化层上形成有至少部分地露出所述第一电极的第二过孔与所述第一电极连接。6.如权利要求1或2所述的射线检测基板，其特征在于，所述接地线与所述源极、所述漏极使用相同材料同步形成。7.一种射线探测器，其特征在于，所述射线探测器包括权利要求1-6任意一项所述的射线检测基板。8.一种射线检测基板的制造方法，其特征在于，所述射线检测基板包括衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管和信号存储单元； 所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层； 所述信号存储单元包括存储电容，所述存储电容包括第一电极； 所述方法包括如下步骤: 依次在所述衬底基板上形成所述栅极、所述绝缘层、所述有源层、所述源极、所述漏极和所述接地线； 在所述绝缘层上形成所述第一电极并与所述漏极搭接； 在所述源漏极、所述第一电极、所述接地线上形成所述钝化层。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述接地线使用相同材料同步形成。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述存储电容还包括第二电极，所述方法还包括形成第二电极层的步骤，具体包括: 在所述钝化层上形成有至少部分地露出所述接地线的第一过孔，在所述钝化层上、所述第一过孔域形成所述第二电极与所述接地线接触。11.如权利要求8-10任意一项所述的方法，其特征在于，还包括依次在所述钝化层上形成所述平坦化层、所述第三电极的步骤。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成第三电极的步骤具体包括: 在在所述平坦化层、所述钝化层上形成有至少部分地露出所述第一电极的第二过孔， 在所述平坦化层、所述第二过孔形成与所述第一电极接触的所述第三电极。
【专利摘要】本发明公开了一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器，该射线检测基板包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管和信号存储单元；所述薄膜晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的栅极、绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层；所述信号存储单元包括存储电容，所述存储电容的第一极在所述绝缘层上形成，并与所述漏极搭接；所述存储电容的第二极连接接地线；所述钝化层在所述源极、所述漏极、所述第一电极、所述接地线上形成。本发明通过第一电极与漏极搭接形式、第二电极与接地线通过第一过孔连接、第三电极通过第二过孔连接第一电极等方式，有效减少掩膜使用次数，简化了射线检测基板生产的加工工艺，降低了生产成本。
【IPC分类】G01T1/24, H01L27/146, G01T1/202
【公开号】CN105093256
【申请号】CN201510369712
【发明人】郭炜, 刘兴东
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月29日