基片310层叠在一起，过线板330上制备有发射电极导通端位组332的表面，与发射电极基片310上制备有栅状发射电极组311的表面相向靠紧压接，过线板330上发射电极导通端位组332的各发射电极导通端位与发射电极基片310上发射电极引出端位组312的各发射电极引出端位一一对准；由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通层350将过线板330与发射电极基片310相粘接，同时将过线板330上各发射电极导通端位与发射电极基片310上各发射电极引出端位一一连通；这样，就使得发射电极基片310上的发射电极组311中同一相位的发射电极相互连通，并通过过线板330上8路发射引出电极组331中的一条发射引出电极引出，N组每组8路发射电极组311的8个不同相位发射电极分别从过线板330上8路发射引出电极组331的八条发射引出电极连接到侦测电路340中的侦测IC 341，接收电极313的引出线通过所述通孔315引出并连接到侦测电路340中的侦测IC 341。
[0052]发射基片310上发射电极组311的电极面朝向耦合电极基片320上耦合电极组321的电极面，耦合电极基片320上的栅状耦合电极组321由N路栅状电极组成，N条耦合电极栅也排成一个整圆环，栅状耦合电极组321的圆心与栅状发射电极组311的圆心相重合，親合电极组321中各親合电极部分与发射基片310上的发射电极组311重叠、部分与接收电极313重叠，耦合电极组321将发射电极组311上的电信号传递到接收电极313上。当具有栅状耦合电极组321的耦合基片320在发射基片310上绕环状发射电极组311的圆心转动时，发射基片310上接收电极313接收到的电信号的相位随耦合基片320的转动而变化，并传递到侦测电路340，形成8路驱动鉴相式电容栅角位移传感器300。
[0053]【具体实施方式】四
[0054]如图4a和图4b所示的电容栅线位移传感器400，包括发射电极基片410、耦合电极基片420、过线板430和侦测电路440。发射电极基片410是硅材质基片，栅状发射电极组411和接收电极413制备在发射电极基片410的同一表面上，栅状发射电极组411的各发射电极分别具有发射电极引出端位，各发射电极引出端位组成发射电极引出端位组412，接收电极413具有接收电极引出端位414 ;耦合电极基片420是玻璃材质基片，栅状耦合电极421制备在耦合电极基片420上，耦合电极421将发射电极组411上的电信号传递到接收电极413上；过线板430是双层或多层印刷线路板(PCB板)，其上制备有发射引出电极组431、接收引出电极433、发射电极导通端位组432和接收电极导通端位434，发射电极导通端位组432和接收电极导通端位434制备在过线板430的同一表面上，发射引出电极组431和接收引出电极433制备在过线板430另外的层上。
[0055]其中图4a是发射电极基片410、耦合电极基片420、过线板430处于分离时的状态，图4b是发射电极基片410、过线板430、耦合电极基片420和侦测电路440组合成线位移传感器400时的状态。发射电极基片410上的栅状发射电极组411由N组每组8路栅状电极组成，8N条发射电极栅依直线排列，各发射电极以等间距分布在一条直线上，各组中同相位的发射电极排列在各组中的相同位置；依直线排列的栅状发射电极组411的各发射电极向一侧延伸到各自的引出端位，8N个发射电极引出端位组成发射电极引出端位组412 ;栅状发射电极组411同一表面上引出端位的另一侧是矩形接收电极413，接收电极413也向发射电极引出端位组412的同一侧延伸到接收电极引出端位414。过线板430上的发射引出电极组431是一组8路电极组，发射电极导通端位组432由N组每组8路导通端位组成，各发射电极导通端位分别与发射电极基片410上的各发射电极引出端位的排列位置相同，每条发射引出电极与发射电极导通端位组432中同相位的N个发射电极导通端位通过导通孔相连通，各条发射引出电极依次与发射电极导通端位组432中不同相位的发射电极导通端位连通。
[0056]在发射电极基片410上发射电极引出端位组412处和接收电极引出端位414处，涂敷由导电颗粒和粘接剂混合成浆料的异方导通层450，将过线板430与发射电极基片410层叠在一起，过线板430上制备有发射电极导通端位组432和接收电极导通端位434的表面，与发射电极基片410上制备有栅状发射电极组411的表面相向靠紧压接，过线板430上发射电极导通端位组432的各发射电极导通端位与发射电极基片410上发射电极引出端位组412的各发射电极引出端位--对准，接收电极导通端位434与发射电极基片410上的接收电极引出端位414对准；由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通层450将过线板430与发射电极基片410相粘接，同时将过线板430上各发射电极导通端位与发射电极基片
410上各发射电极引出端位--连通，也将接收电极导通端位434与接收电极引出端位414
连通；这样，就使得发射电极基片410上的发射电极组411中同一相位的发射电极相互连通，并通过过线板430上8路发射引出电极组431中的一条发射引出电极引出，N组每组8路发射电极组411的8个不同相位发射电极分别从过线板430上8路发射引出电极组431的八条发射引出电极连接到侦测电路440中的侦测IC 441，接收电极413通过过线板430上接收引出电极433也连接到侦测电路440中的侦测IC 441。
[0057]发射基片410上发射电极组411的电极面朝向耦合电极基片420上耦合电极组421的电极面，耦合电极基片420上的栅状耦合电极421由N路栅状电极组成，N条耦合电极栅也依直线排列，耦合电极组421中各耦合电极部分与发射基片410上的发射电极组411重叠、部分与接收电极413重叠，耦合电极421将发射电极组411上的电信号传递到接收电极413上。当具有栅状耦合电极组421的耦合基片420在发射基片410上沿发射电极组411栅状发射电极排列方向移动时，发射基片410上接收电极413接收到的电信号的相位随耦合基片420的移动而变化，并传递到侦测电路440，形成8路驱动鉴相式电容栅线位移传感器400。
[0058]【具体实施方式】五
[0059]如图5a和图5b所示的电容栅线位移传感器500，包括发射电极基片510、耦合电极基片520、过线板530和侦测电路540。发射电极基片510是硅材质基片，栅状发射电极组511和接收电极513制备在发射电极基片510的同一表面上，栅状发射电极组511的各发射电极分别具有发射电极引出端位，各发射电极引出端位组成发射电极引出端位组512，接收电极513具有接收电极引出端位514 ;耦合电极基片520是玻璃材质基片，栅状耦合电极521制备在耦合电极基片520上，耦合电极521将发射电极组511上的电信号传递到接收电极513上；过线板530是双层或多层印刷线路板(PCB板)，其上制备有发射引出电极组531、接收引出电极533、发射电极导通端位组532和接收电极导通端位534，发射电极导通端位组532和接收电极导通端位534制备在过线板530的同一表面上，发射引出电极组531和接收引出电极533制备在过线板530另外的层上。
[0060]其中图5a是发射电极基片510、耦合电极基片520、过线板530处于分离时的状态，图5b是发射电极基片510、过线板530、耦合电极基片520和侦测电路540组合成线位移传感器500时的状态。发射电极基片510上的栅状发射电极组511由N组每组8路栅状电极组成，8N条发射电极栅依直线排列，各发射电极以等间距分布在一条直线上，各组中同相位的发射电极排列在各组中的相同位置；依直线排列的栅状发射电极组511的各发射电极向一侧延伸到各自的引出端位，8N个发射电极引出端位组成发射电极引出端位组512 ;栅状发射电极组531同一表面上引出端位的另一侧是矩形接收电极513，接收电极513向另一侧延伸到接收电极引出端位514。过线板530上的发射引出电极组531是一组8路电极组，发射电极导通端位组532由N组每组8路导通端位组成，各发射电极导通端位分别与发射电极基片510上的各发射电极引出端位的排列位置相同，每条发射引出电极与发射电极导通端位组532中同相位的N个发射电极导通端位通过导通孔相连通，各条发射引出电极依次与发射电极导通端位组532中不同相位的发射电极导通端位连通。
[0061]在发射电极基片510上发射电极引出端位组512处和接收电极引出端