位514处，涂敷由导电颗粒和粘接剂混合成浆料的异方导通层551，将过线板530与发射电极基片510层叠在一起，过线板530上制备有发射电极导通端位组532和接收电极导通端位534的表面，与发射电极基片510上制备有栅状发射电极组511的表面相向靠紧压接，过线板530上发射电极导通端位组532的各发射电极导通端位与发射电极基片510上发射电极引出端位组512的各发射电极引出端位--对准，接收电极导通端位534与发射电极基片510上的接收电极引出端位514对准；由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通层551将过线板530与发射电极基片510相粘接，同时将过线板530上各发射电极导通端位与发射电极基片510上各发射电极引出端位--连通，也将接收电极导通端位534也与接收电极引出端位514连通；过线板530上与发射电极基片510的栅状发射电极组511和接收电极513层叠位置处，没有任何导电层，并以非导电胶552与发射电极基片510粘接在一起；这样，就使得发射电极基片510上的发射电极组511中同一相位的发射电极相互连通，并通过过线板530上8路发射引出电极组531中的一条发射引出电极引出，N组每组8路发射电极组511的8个不同相位发射电极分别从过线板530上8路发射引出电极组531的八条发射引出电极连接到侦测电路540中的侦测IC 541，接收电极513从过线板530上接收引出电极533也连接到侦测电路540中的侦测IC 541。
[0062]发射基片510上发射电极组511的电极面，间隔着过线板530朝向耦合电极基片520上耦合电极521的电极面，耦合电极基片520上的栅状耦合电极521由N路栅状电极组成，N条親合电极栅也依直线排列，親合电极组521中各親合电极部分与发射基片510上的发射电极组511重叠、部分与接收电极513重叠，耦合电极521将发射电极组511上的电信号传递到接收电极513上。当具有栅状耦合电极组521的耦合基片520在发射基片510上沿发射电极组511栅状发射电极排列方向移动时，发射基片510上接收电极513接收到的电信号的相位随耦合基片520的移动而变化，并传递到侦测电路540，形成8路驱动鉴相式电容栅线位移传感器500。
[0063]以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种多层电极位移传感器，主要包括栅状发射电极组、栅状耦合电极、接收电极和侦测电路；其特征在于: 所述位移传感器具有发射电极基片，耦合电极基片和过线板；所述栅状发射电极组和接收电极制备在发射电极基片的同一表面上，各栅状发射电极分别具有发射电极引出端位；所述栅状耦合电极制备在耦合电极基片上，耦合电极将发射电极组上的电信号传递到接收电极上；所述过线板是制备有发射引出电极组和发射电极导通端位组的双层或多层印刷线路板，即PCB板，发射引出电极组和发射电极导通端位组制备在过线板的不同层上，发射电极导通端位组制备在过线板的一个表面上，每条发射引出电极与发射电极导通端位组中同相位的发射电极导通端位都通过导通孔相连通，各条发射引出电极依次与发射电极导通端位组中不同相位的发射电极导通端位连通；过线板与发射电极基片层叠在一起，过线板上制备有发射电极导通端位组的表面，与发射电极基片上制备有栅状发射电极组的表面相向靠紧而对，所述过线板上的各发射电极导通端位分别与所述发射电极基片上的各发射电极引出端位的排列位置相同并具有相互重叠的区域，过线板上各发射电极导通端位与发射电极基片上各发射电极引出端位一一对准搭接连通；所述耦合电极基片与所述发射电极基片相互隔离、相对而置，并且可相对移动。
2.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述过线板上制备有发射电极导通端位组区域的表面上未设置阻焊层。
3.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上设置有连接接收电极的接收电极引出端位，所述过线板上设置有相互连接的接收电极导通端位和接收发射引出电极，接收电极导通端位和所述发射电极导通端位组制备在所述过线板的同一表面上，接收引出电极和所述发射引出电极组制备在所述过线板另外的层上，所述过线板上的接收电极导通端位与所述发射电极基片上的接收电极引出端位对准搭接连通。
4.根据权利要求1或3所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述过线板上各发射电极导通端位与发射电极基片上各发射电极引出端位的搭接连通，或所述过线板上接收电极导通端位与发射电极基片上接收电极引出端位的搭接连通，是以由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通层将过线板与发射电极基片相粘接，同时将过线板上各发射电极导通端位与发射电极基片上各发射电极引出端位一一连通，或将过线板上接收电极导通端位与发射电极基片上接收电极引出端位连通。
5.根据权利要求1或3所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上的各发射电极引出端位是导通点，所述过线板上各发射电极导通端位是导通盘；发射电极基片上的各发射电极导通点分别与过线板上的各发射电极导通盘排列位置相同，并一一对准搭接连通。
6.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上栅状发射电极连接各自发射电极引出端位走线的排列，相对于栅状发射电极的排列是呈发散状的，各发射电极引出端位的间距大于对应的各发射电极的间距。
7.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上的栅状发射电极组是直线形栅状发射电极组，直线形栅状发射电极组沿垂直于直线形发射电极的方向直线排列。
8.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上的栅状发射电极组是扇形栅状发射电极组，扇形栅状发射电极组排列成一个圆环形状，各发射电极以栅状发射电极组中最小相邻发射电极角间距的整数倍分布在圆环上。
9.根据权利要求3和8所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上的接收电极为圆环形，处于栅状发射电极组的内圈；接收电极的引出线处于栅状发射电极组和接收电极同一表面，通过所述栅状发射电极组组间的空隙延伸到栅状发射电极组的外圈，并通过所述发射电极基片上的接收电极引出端位与过线板上的接收电极导通端位对准搭接连通；所述栅状发射电极组的内圈是指半径小于圆环形栅状发射电极组内径的区域，所述栅状发射电极组的外圈是指半径大于圆环形栅状发射电极组外径的区域。
10.根据权利要求9所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述栅状发射电极组各发射电极的排列是以圆环中心旋转对称的，栅状发射电极组除具有接收电极引出线延伸到发射电极组外圈的发射电极组组间空隙，还具有与其旋转对称的其他发射电极组组间空隙。
11.根据权利要求3和8所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述发射电极基片上的接收电极为圆环形，处于栅状发射电极组的内圈，栅状发射电极组内圈的区域内还设置有一通孔，接收电极的引出线通过所述通孔引出去，所述栅状发射电极组的内圈是指半径小于圆环形栅状发射电极组内径的区域。
12.根据权利要求1所述的多层电极位移传感器，其特征在于: 所述过线板上设置有与所述栅状发射电极组、接收电极相连接的侦测电路。
【专利摘要】本实用新型公开了一种多层电极位移传感器，在发射电极基片上蚀刻出栅状电极位移传感器的发射电极组，在PCB板上蚀刻出栅状发射引出电极组，并且让发射电极基片上各发射电极引出端位的排列位置与PCB板上引出电极导通端位的排列位置是相同的，将PCB板各条引出电极导通端位分别与发射电极基片上各发射电极引出端位一一对准，用异方导通层将PCB板各引出电极导通端位分别与发射电极基片各发射电极引出端位一一连通，这样，玻璃基片上的各条发射电极通过异方导通层被引出到PCB板上，通过多层的印刷线路板将各条同相位的发射电极相互连通，由此制成栅状电极位移传感器。
【IPC分类】G01B7-30, G01B7-02
【公开号】CN204388771
【申请号】CN201420787926
【发明人】陈其良, 陈赋, 康永忠, 陈梅英
【申请人】深圳市联思精密机器有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月12日