技术总结
本发明涉及一种用于形成柔性多稳态元件(5)的方法，包括：蚀刻硅部件(S)，在该硅部件中，梁(P)连接刚性质量块(MU)的两端(E1；E2)，该刚性质量块的横截面是所述梁(P)的横截面的至少十倍以上；在1100℃生长SiO2一段时间，对该段时间进行调整，以便对于所述梁(P)实现：由SiO2形成的第一外周层(CP1)的横截面与由硅形成的第一芯部(A1)的横截面之间的第一比率(RA)大于1，并且对于质量块(MU)实现：由SiO2形成的第二外周层(CP2)的横截面与由硅形成的第二芯部(A2)的横截面之间的第二比率(RB)小于所述第一比率(RA)的百分之一；冷却到环境温度，以便在所述质量块(MU)的冷却期间使梁(P)屈曲，所述质量块的收缩大于梁(P)的收缩。
技术研发人员：M·斯特兰策尔;T·黑塞勒
受保护的技术使用者：尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
文档号码：201380058479
技术研发日：2013.11.06
技术公布日：2017.03.29