动态控制量测中的工件的方法及系统的制作方法

专利名称：动态控制量测中的工件的方法及系统的制作方法
技术领域：
本发明大致系关于工业过程，更详言之，系关于动态控制量测中之工件(metrology work in progress)之各种方法及系统。
背景技术：
在完整地参阅了本申请案之后，熟悉相关技术者将可了解本发明可广泛应用于涉及各种不同类型的装置或工件的制造之各种工业。举例而言，将在制造集成电路装置时所遭遇的各种问题之环境下讨论本申请案的背景。然而，并不将本发明视为只限于使用于半导体制造工业内。
半导体工业中一直有驱策力来提高诸如微处理器、内存装置等的集成电路装置之品质、可靠性、及产出率。客户对于可更迅速且更可靠地工作的较高品质之计算机及电子装置的需求更强化了此种驱策力。这些需求已使得诸如晶体管等的半导体装置之制造以及设有此种晶体管的集成电路装置之制造有了持续的改良。此外，若能减少典型晶体管的各组成部分制造时之缺陷，则亦可降低每一晶体管的整体成本、及设有此种晶体管的集成电路装置之成本。
一般而言，系利用其中包括光学微影步进机(photolithographystepper)、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、热退火过程工具、植入工具等的各种过程工具，而对一组晶圆执行一组过程步骤。在过去数年中，构成半导体过程工具的基础之技术已获致更多的注意，而造成了此种过程工具的精进。然而，尽管该领域中已有这些进展，但是目前在市场上可购得的许多所述过程工具仍然有某些缺点。更具体而言，此种工具经常缺乏诸如以使用者易于使用的格式提供历史性参数资料的能力等的先进过程资料监视能力，也缺乏事件记录(event logging)、目前过程参数及整批次的过程参数之实时图形显示、以及远程(亦即本地及世界各地)监视。这些缺点可能对诸如产出率、正确性、稳定性及可重复性、过程温度、以及机械工具参数等的关键性过程参数造成了非最佳的控制。由于批次内的差异性(within-run disparities)、各批次间之差异性(run-to-run disparities)、及各工具间之差异性(tool-to-tooldisparities)可能造成产品品质及效能的偏差，所以显露了前文所述的变化性；反之，用于此类工具的理想之监视及诊断系统将提供一种监视该变化性之装置，并提供一种对关键性参数的控制之最佳化装置。
改善半导体生产线的作业之一种技术包括使用遍及全工厂的(factory wide)控制系统来自动地控制各种过程工具的作业。所述制造工具与由若干过程模块构成的制造架构或网络通讯。每一个制造工具通常连接到设备接口。该设备接口连接到用来协助该制造工具与该制造架构间之通讯的机器接口。该机器接口通常可能是先进过程控制(Advanced Process Control；简称APC)系统中的一部分。该APC系统根据制造模型而激活控制描述语言程序(control script)，该控制描述语言程序可以是用来自动撷取过程执行所需的资料之软件程序。半导体装置经常是逐步经过多个制造工具，以便进行多个过程，而产生了与经过处理的半导体装置的品质有关之资料。
在该过程期间，可能发生会影响到所制造装置的性能之各种事件。亦即，过程步骤中的变化可能造成构成该装置的各特征部位之变化、以及装置性能的变化。诸如特征关键尺寸、掺杂浓度(doping levels)、接触电阻、及微粒污染等的因素皆有可能影响到该装置的最终性能。根据各性能模型来控制生产线中的各种工具，以便减少过程的变化。一般被控制的工具包括微影步进机、研磨工具、蚀刻工具、及沉积工具。将处理前及(或)处理后的量测资料供应到所述工具的过程控制器。所述过程控制器根据该性能模型及该量测信息来计算诸如过程时间等的操作方式参数，以便尝试使处理后的结果尽量接近目标值。以此种方式减少变化时，将可获致更高的产出率、更低的成本、及更高的装置性能等成效，所有这些成效都等同于更高的获利率。
通常根据所制造装置的设计值而执行各种过程的目标值。例如，特定的过程层可具有目标厚度。可自动控制各沉积工具及(或)研磨工具的操作方式，以便减少与该目标厚度有关的变化。在另一例子中，晶体管闸电极的关键尺寸可具有相关联的目标值。可自动控制各微影工具及(或)蚀刻工具的操作方式，以便得到目标关键尺寸。
通常将控制模型用来产生控制动作，以便根据所收集的与所控制的过程工具所进行的处理有关之反馈(feedback)或前馈(feedforward)量测资料，而改变该过程工具的操作方式设定值。为了有效地运作，在将量测资料提供给控制模型时，必须适时地且以在资料量上足以维持该控制模型预测其所控制的过程工具的未来作业的能力之方式，将量测资料提供给该控制模型。
在许多制造工业中，投入了相当大的努力以确保精确地执行了过程作业，以便使所产生的装置符合目标规格。此种情形尤其适用于半导体制造工业，而在半导体制造工业中，将许多量测工具及传感器用来取得大量的量测资料，以便决定在过程工具中执行的过程作业的有效性及正确性，且(或)决定所产生的工件是否符合产品规格。为达到该目的，一般半导体制造工厂可能投注大量的资源以取得此种量测资料。现代的半导体制造工厂通常将设有用来执行各种量测作业的许多量测工具或量测工作站。例示的量测资料可包括过程层的厚度、在基材之上形成的的特征部位之关键尺寸、以及表面的平坦度等的量测资料。某些量测工具专门用来执行一种量测操作(例如，关键尺寸的量测)，而其它的量测工具可执行多种量测操作。此外，一般的半导体制造工厂可设有可执行相同量测操作的多种工具。
在半导体制造环境中，系针对各种过程作业而建立量测抽样率。可根据诸如闸极蚀刻过程等特定过程的关键性及/或过程操作在可控制性的稳定程度之各种因素而改变抽样率。在半导体制造环境中，通常将量测抽样率设定在低于被选择进行抽样的所有产品总和将完全使用所有可用量测处理量(metrology capacity)之水准。通常可将该抽样水准称为基线抽样率。将基线抽样率设定在小于最大抽样水准，以便在一个或多个量测工具因诸如例行维护及其中一个量测工具发生计划外的问题等的各种理由而无法工作之后，可让量测工具“赶上(catch-up)”累积的在制品(Work-In-Progress；简称WIP)。例如，如果四个可用量测工具中之一个量测工具无法工作，则在该无法工作的量测工具恢复工作之前，在制品(WIP)将缓缓累积在量测队列。此时，所有四个可用量测工具都将在高于正常使用率之使用率下运作，直到在制品(WIP)队列减少到正常值为止。
尽管努力地控制量测操作，但是量测操作仍会累积在制品(WIP)。亦即，由于许多原因，用于各种量测操作的在制品队列会超过量测工具之可用的处理量。可采取各种行动来减少量测中之工件或量测队列。例如，可将量测抽样率降低直到量测队列减少到可以接受的程度的时候为止。然而，此方法导致取得关于执行于制造设备中各种过程操作的有效性之较少的量测资料。结果，于制造设备中之诸问题可能无法如所期望般快速地侦测到。于是，生产率与制造效率可能由于使用此种减少量测中之工件之方法而降低。
本发明系有关克服或至少减少前文所述的一种或多种问题之影响。

发明内容
本发明大致关于动态控制量测中之工件之各种方法及系统。在一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具的量测控制单元；识别于量测队列内之多个晶片组，其中所述晶片组将由至少一个量测工具处理，并且其中该量测控制单元选择所述晶片组中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具内的量测处理，并且根据在该至少一个量测工具内的选择的至少一个晶片组的量测处理而选择将要从量测队列中移除的多个晶片组中的至少另一晶片组。
在另一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具的量测控制单元；识别于量测队列内之多个晶片组，其中所述晶片组将由至少一个量测工具处理，其中该量测控制单元(a)选择所述晶片组中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具内的量测处理，该选择的至少一组晶圆是受到先前的过程操作；以及(b)根据在该至少一个量测工具内的选择的至少一个晶片组过程的量测处理，在该选择的至少一个晶片组从量测队列中移除之前，选择受到该过程操作的多个晶片组中的至少另一个晶片组。


藉由参照所附之图标可更了解本发明上述之说明，图标中类似组件标有类似的参考符号，且其中图1是根据本发明之一个实施例之制造系统之简化方块图；图2是根据本发明一个实施例之更详细描述的系统之简化方块图；以及图3是根据本发明之一个实施例之控制量测操作的方法之简化流程图。
主要组件符号说明10制造系统12量测控制单元14量测工具14-1至14-n量测工具20网络23-1至23-n晶片组30A至30C工具 40A至40D工具50量测系统50A至50C工具60A至60B工具 70A至70C工具80A至80C工具 90制造执行系统服务器100数据库服务器 110资料储存器145过程控制器 150工作站具体实施方式
用以说明之实施例将讨论如后。为了清楚说明之目的，说明书中并未讨论实际上实施之所有特征。应当理解的是，于任何此种实际实施例的发展过程中，必须做出许多特定实施之决定以达成开发者之特定目标，例如符合与系统有关及与商业有关之限制，所述限制将改变各个实施之情况。再者，应理解的是，此发展结果之努力可能是复杂与耗时的，但对于所属技术领域中具有通常知识者而言于了解本说明书后将如同例行程序般地施行本发明。
接下来将参照所附图标来说明本发明。为了说明之目的，附图中仅以示意方式例示出各种结构、系统与装置，以使于所属技术领域中具有通常知识者不致于为了已理解之细节而模糊了本发明。然而，仍加上附图以说明及解释本发明之范例。应了解的是，此处之用词与用语与所属技术领域中具有通常知识者所了解的用词与用语具有一致的意义。没有任何特别的术语或用语之定义(亦即，与所属技术领域具有通常知识者所了解的惯常定义不同)是由此处术语或用语的一致使用而暗示。然而，具有特别意义之术语或用语(亦即，与所属技术领域具有通常知识者所了解的惯常定义不同)将以直接且明确表达术语或用语特别定义之方式陈述于说明书中。
图1所示系本发明之制造系统10之简化方块示意图。在所示实施例中，该制造系统10适于制造半导体装置。本发明虽然以半导体制造设备来说明，但是本发明并不限于此而可应用于其它制造环境。此处所描述之技术可应用于各种工件或制造用品(manufactured item)。例如，本发明可用于有关制造个种集成电路装置，包括但不限于微处理器、内存装置、数字讯号处理器、特殊应用集成电路(application specificintegrated circuits；ASICs)或其它装置。此项技术亦可应用于不同于集成电路装置之工件或制造用品。
网络20连接制造系统10之各种组件，以使各组件互相交换信息。所图标之制造系统10包括多个工具30至80。该工具30至80中的每一个可连接至计算机(未示出)以介接该网络20。将工具30至80中类似的工具编成一组，如以英文字母在字尾表示。举例来说，工具组30A至30C表示某特定类型之工具，例如化学机械平坦化工具。一个特别的晶圆或许多晶圆在制造时经由工具30至80前进，而每一个工具30至80在处理流程中执行一项特别的作用。于半导体装置制造环境的过程工具之范例包括量测工具、光刻步进机、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热退火工具、植入工具等。图标中之工具30至80之排列与分组仅为例示之目的。于实际之制造设备中，该工具30至80可以任何顺序或群组来排列。另外，于特别群组中之工具间之连接系表示与网络20之连接，而非工具30至80间之互相连接。
制造执行系统(manufacturing execution system；MES)服务器或控制器90管理高等级之制造系统10之操作。该MES服务器90可监视于制造系统10中各种实体(entities)(亦即，组(lots)、工具30至80)之状态，并透过过程流(process flow)控制制造物品流(flow of articles ofmanufacture)，例如半导体晶片组。数据库服务器100系用以储存与各种实体之状态以及在过程流中制造之物品有关之数据。该数据库服务器100可将信息储存于一个或多个资料储存器110内。该资料可包括预处理与后处理量测资料、工具状态、组之优先权(lot priorities)、操作方式等。该控制器90亦可提供操作方式至如图1所示之一个或多个工具，或提供将各种操作方式执行于一个或多个工具之命令。当然，该控制器90不需要执行所有的这些功能。再者，对于控制器90所描述之功能可藉由散布于该系统10中之一台或多台计算机来执行。
部分本发明与相对应之详细说明系以软件或操作的算法与符号表示法来表示于计算机内存内之资料位。这些描述与表示法系用来将所属技术领域中具有通常知识者将他们的工作实质(substance of theirwork)有效地传递至其它的所属技术领域中具有通常知识者。算法(如此处所使用之术语以及如同其通常所使用之情形)系想象成一种首尾一致的(self-consistent)序列之步骤以引导至期望之结果。该步骤需要物理量之物理操作。这些物理量通常但非必要以下列形式呈现可用于储存、转换、结合、比较、以及其它操作的光学的、电性的、或磁性的讯号。主要的常见使用之原因已证明为便利以涉及这些讯号作为位、值、元素、符号、字符、术语、数字等。
然而应了解的是，所有这些与类似之术语系与合适之物理量有关联且仅为应用至这些物理量之便利标记。除非特别叙述，或由说明可轻易地理解，诸如处理(processing)或运算(computing)或计算(calculating)或判定(determining)或显示(displaying)等术语，涉及计算机系统或类似电子计算装置之行为和过程，将操作及转换在计算机系统之缓存器与内存内表示为物理、电子量之资料成为与在计算机系统内存或缓存器或其它信息储存、传输、或显示装置内相似表示为物理量之其它资料。
制造系统10亦包括执行于例示之工作站150的量测控制单元12。该量测控制单元12可用以控制执行于制造系统10中与制造操作有关之各种使用的量测工具。该量测控制单元12可与控制器90通讯，及/或与个别的工具30-80有关之一个或多个过程控制器145通讯，其目的将于后文中说明。由过程控制器145所使用之特定的控制模型是根据正受控制之工具30至80之类型。该控制模型可使用公知的线性或非线性技术凭经验来发展。该控制模型可为相对简单之以方程式为基础之模型(例如线性、指数、加权平均等)或较复杂之模型，例如神经网络模型、主成分分析(principal component analysis；PCA)模型、部分最小平方投影至潜在结构(partial least squares projection to latent structures；PLS)模型。该控制模型之具体实施可根据所选择之模型技术与所控制的过程而改变。特定控制模型之选择与发展为所属技术领域内具有通常知识者之能力所能及，因此，为了清楚之目的此处将不再赘述控制模型之更细节部分以避免模糊本发明之焦点。
适合用于制造系统10之例示的信息交换与过程控制架构为先进过程控制(advanced process control；APC)架构，例如可使用KLA-Tencor公司先前所提供之催化剂系统(Catalyst system)来实施。该催化剂系统使用半导体设备暨材料国际(Semiconductor Equipment and MaterialsInternational；SEMI)计算机整合制造(Computer IntegratedManufacturing；CIM)架构兼容之系统技术，且是根据先进过程控制(APC)架构。CIM(SEMI E81-0699用于CIM架构领域构造(FrameworkDomain Architecture)之暂时性的规格)与APC(SEMI E93-0999用于CIM架构先进过程控制组件之暂时性的规格)规格系由其总部位于美国加州Mountain View之SEMI所公开而可取用。
过程与资料储存功能系分布于如图1所示之不同计算机或工作站之间，以提供一般之独立与中心信息储存。当然，可使用不同数量之计算机与不同之排列而不违背本发明之精神及范畴。
图2为根据本发明之一个实施例之更详细的量测系统50之简化方块图。如图2中所示，量测控制单元12连接至多个量测工具14而操作。在所示实施例中，示意地绘示出四个此种量测工具14-1、14-2、14-3、以及14-n。然而，本发明可使用于任何数量的量测工具。该例示的量测工具14可执行一个或多个各种量测操作。例如，该量测工具14可执行以下的量测操作，例如测量处理层的厚度、测量特征结构之关键尺寸(critical dimension)、测量表面的平坦度、薄膜电阻率、薄膜光学性质(例如n及k)、缺陷、覆盖物对准(overlay alignment)等。
图2亦显示即将受到在一个或多个量测工具14内执行之一个或多个量测操作的多个晶片组23-1、23-2、23-3、以及23-n。所述组含有多个(如20至25个)通常为晶圆之半导体基板。所述组23于本质上为代表性的。典型地，所述组23系在每一组23内的晶圆上已执行至少一个过程操作的制造阶段，且期望在一个或多个量测工具上之组23内的晶圆上执行至少一个量测操作。可在所述组23内的晶圆上执行任何各种不同的过程操作，例如沉积过程、蚀刻过程、退火过程、化学机械研磨过程、离子植入或扩散过程、光学微影过程等。
量测系统50可利用以监视及控制在制品，亦即，用于量测工具14的量测队列。在某些情况下，量测工具14执行大致相同类型的量测操作，例如测量某层的厚度、测量某特征结构之关键尺寸等。然而，该量测工具14并不必要可完全交换所有的量测操作。举例来说，若有两个量测工具14与三个量测操作，则该两个量测工具14中的每一个不需要可以使用于该三个量测操作中的每一个。
量测控制单元12具有控制与决定哪一组23将在量测工具14中处理之能力。根据本发明之一个观点，可利用该量测控制单元12以管理与控制对于各种量测工具14累积的在制品，此情形将详述于后。一般而言，根据各种规则与逻辑，可使用该量测控制单元12以选择性决定哪些组23在一个或多个量测工具14内处理。此情形使该量测工具14能够以有效之方式来使用，同时亦提升经由制造设备的晶片组23之流程，可导致制造效率与生产力之提升。
一般而言，以不需要在其它组23上之经计划的量测操作的方式，藉由消除或降低多余的量测操作与/或藉由选择性地处理在量测工具14内之某些晶片组23，可利用量测控制单元12来控制累积的量测在制品。举例来说，在一个实施例中，在同一个量测操作的队列中可能有多个组23，亦即，多个组系送至量测工具14用以测量形成于晶圆上之闸电极结构之关键尺寸。再者，这些晶片组23可能以各种不同次数与/或于不同过程工具(例如蚀刻工具)来处理。于是，执行量测操作于所有送至量测工具14之组23可能为非必须的且浪费珍贵的量测资源。因此，本发明可用以消除或排除(bracket-out)欲用于一个或多个量测工具14中量测操作之某些组23。亦即，可利用本发明以明智地降低于各种量测工具14之在制品的程度，同时确保已获得足够的量测资料来正确地监视执行于制造设备中的过程操作。
在一个观点中，将由一个或多个量测工具14处理的每一组23系与组号(lot number)、时间戳记(time stamp)、以及与每一组有关的量测规则表一起识别。可藉由量测控制单元12使用此识别信息以采取各种控制行动。当然，该识别信息可为任何期望之格式或组构，且该识别信息可包括比前述识别的特定用品多或少之信息。举例来说，在一个实施例中，某给定之组23之识别信息可为下列之形式

其中该时间戳记表示执行于该标的晶片组之前一个过程操作的时间。ET40M1CD表示金属1关键尺寸(M1CD)量测操作将在蚀刻工具号码40(ET40)处理之组中执行。第二项规则R02M1CD表示金属1关键尺寸(M1CD)量测操作将在经由微影过程使用光罩(reticle)号码2(R02)处理之组中执行。单一个组可满足数个量测规则。
根据本发明之一个观点，因为各种原因(例如若有其它组于量测工具14中处理与/或在量测队列中有于随后处理之组(more recentlyprocessed lots)时，则欲要处理的量测操作可为多余的)可将量测在制品之组23移除或排除。下列表格提供例示性之范例

其中，ET39表示蚀刻工具号码39，S64表示步进机工具号码64，而其它信息与前述表示相同。在此例示之范例中，若所有之组均在量测队列中时，根据本发明，若希望或需要时可将组J20从量测队列中移除。可将组J20移除是因为每一个满足组J20的量测规则与随后处理之组匹配或同样地满足，当在量测队列中由较晚的时间戳记所指示。亦即，组J30匹配组J20之R02M1CD规则，而组J40匹配组J20之E40M1CD规则。因此，组J20不需要执行量测操作，因为较晚的时间戳记之组满足所有与J20有关的量测操作与规则。当然，若希望的话，可单纯地延迟组J20所执行的量测作，以代替完全免除。亦即，组J20可等待，直到量测在制品之程度降低至够低之程度，才在量测工具14中处理组J20。然而，在一个实施例中，一旦该组J20使用本发明而排除，则不会执行于组J20执行的量测操作，并将组J20送至下游对组J20内的晶圆执行额外的过程操作。
于另一个范例中，用于量测抽样之规则在特定过程操作中能特定用于每一个(EACH)过程工具或任何(ANY)过程工具。用于每一个过程工具所建立之规则保证由每一个个别的过程工具所抽样。用于任何过程工具所建立之规则将保证由至少其中一个过程工具所抽样。若规则系定义用于每一个(EACH)过程工具，则当组成功通过量测操作时，则(1)尚未进入量测工具以进行处理之任何其它之组以及(2)在通过该量测操作的组之处理时间之前已于过程工具处理之任何其它之组，都将从量测队列自动排除与移除。请注意，若使用用于任何(ANY)过程工具的量测规则，则当第一组成功通过该量测操作时，将从量测队列移除所有其它在该组之前之特定过程操作处理之组，而不论使用何种工具。
本发明亦可依据此处所描述之方法使用各种限制或额外的规则。举例来说，一开始必然需要决定是否给定的量测操作或规则系由此处所描述之排除方法(bracketing methodologies)所处理。给定的过程操作可能是非常关键的以至于不容许排除或不执行由此关键操作所处理之各组23的量测操作。在此情况下，在量测队列中将不会应用此处所描述之方法至此种关键组23。此种组可与合适的识别符(identifier)结合，以使量测控制单元识别出这些关键组23不管任何理由均不可从量测队列中移除。
另一个需讨论的问题就是考虑抽样组为可接受的代表之合适标准(criteria)，其目的在于从量测队列中移除或排除其它之组。大致上，若组展现出在设备中处理之大多数之组23之特性，则可将该组考虑作为代表。何种资格可作为代表组之确切参数可根据特定之操作而改变。举例来说，于一个实施例中，代表组典型地是具有完整匣晶圆(fullcassette of wafers)之组，而不具有任何特殊之特性或目的，例如需由工程师测试新过程或工具等之特殊组。
于本发明之另一个观点，可限制可使用本发明略过或排除之组23之数量。可使用此一限制以确定并没有过多之组23略过量测操作。举例来说，对于某特定量测操作(例如CD测量)的量测队列可含有二十组于蚀刻工具40(ET40)。此大量队列之发生有各种理由，例如一个或多个可用以执行量测操作的量测工具14之定期维护或紧急停机。在此情况中，一旦CD量测操作恢复而没有限制时，则检视最近程度处理的二十组将排除或移除前面的十九组。若建立限制而使得略过不超过四个连续之组，则检视组20将仅排除或移除组16-19。检视组15将排除组11-14、检视组10将排除组6-9、以及检视组5将排除组1-4。为此目的可将分隔之限制数量加入量测规则中。若想要，亦可使用例如10组作为内定之限制规则。
本发明亦可使用特别之规则，该规则说明可影响由量测控制单元12采取行动之特殊事件之发生。举例来说，若在近期已在过程工具或量测工具上执行预防的维护操作，则可确保于所选择数量之组23执行量测操作，该组23在该量测控制单元12能执行此处所描述之排除活动之前经由该标的工具(subject tool)而处理。所选择之数量可根据特定工具与/或事件种类而改变。根据此特别事件之发生，该量测控制单元12可免除排除在该标的工具处理之组，直到当量测操作已于该标的工具中处理执行达特定数量之组时为止。在如此选择数量之组23经由量测而处理之后，该控制单元12接着可使经由该标的工具处理之随后之各组能够根据本发明而予排除。
此处所描述之排除算法可连续地或间歇地操作。举例来说，此处所描述之方法可能总是在进行中、可能当量测在制品超过预先设定的程度时或当下游处理之在制品程度太低时才激活。若有需要，此处所描述之排除算法亦可终止。
本发明大致关于动态控制量测中之工件之各种方法及系统。在一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具的量测控制单元；识别于量测队列内之多个晶片组，其中所述晶片组将由至少一个量测工具处理，并且其中该量测控制单元选择所述晶片组中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具内的量测处理，并且根据在该至少一个量测工具内的选择的至少一个晶片组的量测处理而选择将要从该量测队列中移除的多个晶片组中的至少另一个晶片组。在进一步之实施例中，该方法包括执行量测操作于多个额外的晶片组。
在另一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具的量测控制单元；识别多个于量测队列内的晶片组，其中所述晶片组将由至少一个量测工具处理，其中该量测控制单元(a)选择所述晶片组中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具内的量测处理，其中该选择的至少一组晶圆是受到先前的过程操作；以及(b)根据在至少一个量测工具内的选择的至少一个晶片组的量测处理，在该选择的至少一个晶片组从该量测队列中移除之前，选择受到该过程操作的多个晶片组中的至少另一个晶片组。
以上揭示之特定实施例仅为例示性之说明，然对于熟习此项技艺者于了解本说明书之内容后可很显然地了解本发明可用不同但均等之方式作修改或实作。举例来说，前述之处理步骤可以不同之顺序来执行。再者，除了后述之申请专利范围所描述者外，其余于此显示之详细构造或设计并非要用来限制本发明。因此很明显的，以上所揭露之特定实施例可在不违背本发明之精神及范畴下进行修饰与改变。由是，本发明之权利保护范围，应如后述之申请专利范围所列。
权利要求
1.一种方法，包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具(14)的量测控制单元(12)；识别在量测队列内的多个晶片组(23)，其中所述晶片组(23)将由该至少一个量测工具(14)处理；以及其中该量测控制单元(12)选择所述晶片组中的至少一个晶片组(23)用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理，并且根据在该至少一个量测工具(14)内选择的至少一个晶片组的量测处理而选择将要从该量测队列中移除的多个晶片组(23)中的至少另一个晶片组。
2.如权利要求1所述的方法，其中，该至少一个量测工具(14)适合执行至少一个量测操作。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该多个晶片组(23)中的每一个晶片组具有与其相关联的唯一的组识别号码、显示先前的过程操作执行在该组的日期与时间的时间标记、以及至少一个量测规则，每一个规则表示将要执行在该组的量测操作的类型与执行先前过程操作于该组的处理实体。
4.如权利要求1所述的方法，其中，用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理的至少一个晶片组(23)的选择是根据晶片组在该量测队列内受到先前过程操作的最近程度。
5.如权利要求1所述的方法，其中，用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理的至少一个晶片组(23)的选择是根据与该组相关联的量测规则。
6.如权利要求1所述的方法，其中，用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理的至少一个晶片组(23)的选择是根据晶片组在该量测队列内受到先前过程操作的最近程度以及与该组相关联的量测规则。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该选择的用于量测处理的晶片组(23)是受到先前过程操作，且其中将从该量测队列中移除的多个组中的至少一组的选择包括识别至少一个在该选择的晶片组之前受到该过程操作的晶片组。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括从该量测队列中移除该至少一个选择用来移除的晶片组(23)。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括限制可从该量测队列中移除的晶片组(23)的数目。
10.如权利要求1所述的方法，进一步包括执行量测操作于多个额外的晶片组(23)。
11.如权利要求1所述的方法，其中，该量测控制单元(12)适合用以控制多个量测工具(14)。
12.如权利要求1所述的方法，其中，该至少一个量测工具(14)适合用以执行至少一个量测操作，该量测操作包括测量关键尺寸、测量层的厚度、测量表面的平坦度、测量电特性、测量薄膜电阻率、测量薄膜光学性质、测量缺陷、以及测量覆盖物对准的至少其中之一。
13.如权利要求1所述的方法，进一步包括识别可不从该量测队列中移除的多个组(23)中的至少一组。
14.一种方法，包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具(14)的量测控制单元(12)；以及识别多个在量测队列内的晶片组(23)，其中所述晶片组(23)将由该至少一个量测工具(14)处理；其中所述量测控制单元(a)选择所述晶片组(23)中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理，其中用于量测处理的选择的至少一组是受到先前过程操作；以及
15.(b)根据在该至少一个量测工具(14)内的选择的至少一个晶片组的量测处理，在该选择的至少一个晶片组从该量测队列中移除之前，选择受到该过程操作的多个晶片组(23)中的至少另一晶片组。
全文摘要
本发明大致关于动态控制量测中之工件(metrology work inprogress)之各种方法及系统。在一个实施例中，该方法包括设置适合控制量测工作流于至少一个量测工具(14)的量测控制单元(12)；识别于量测队列内之多个晶片组(23)，其中所述晶片组(23)将由该至少一个量测工具(14)处理，且其中该量测控制单元(12)选择所述晶片组(23)中的至少一个晶片组用于在该至少一个量测工具(14)内的量测处理，并且根据在该至少一个量测工具(14)内的选择的至少一个晶片组(23)的量测处理而选择将要从量测队列中移除的多个晶片组(23)中的至少另一个晶片组。
文档编号G05B23/02GK101036092SQ200580034049
公开日2007年9月12日 申请日期2005年6月23日 优先权日2004年10月5日
发明者M·A·珀迪, C·W·尼克斯克 申请人:先进微装置公司