一种高精度基准电流源的制作方法
【专利摘要】本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种低温系数、高精度的基准电流源。本发明所述的一种高精度基准电流源，其特征在于，包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和基准电流输出电路，所述第一电流产生电路和第二电流产生电路分别与基准电流输出电路连接，所述第一电流产生电路产生与δT0.5成正比的电流，其中δ为常数，所述第二电流产生电路产生PTAT电流源，所述基准电流输出电路的输出端为高精度基准电流源的输出端Iref。本发明的有益效果为，提出了一种新型的具有高精度以及温度系数低基准电流源。本发明尤其适用于基准电流源。
【专利说明】一种高精度基准电流源
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种低温度系数、高精度的基准电流源。
【背景技术】
[0002]在集成电路领域中，电流基准是一类非常重要的电路。基准源的稳定度在很大程度上决定了电路的性能。在极限温度环境下，基准源的大的偏差，可能会直接导致芯片不正常工作。随着集成电路规模的不断扩大，对芯片的性能要求也随之提高，这对电流基准源提供的电流精度要求越来越高。
[0003]衡量一个基准电流源的一个重要指标是温度系数TC，他反映了基准电流源在整个工作温度范围[TMIN，Tmax]内基准电流的最大值Imax与最小值Imin相对于基准输出平均电流
Iav的变化程度，一般为ppm/°c，表达式为:
【权利要求】
1.一种高精度基准电流源，其特征在于，包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和基准电流输出电路，所述第一电流产生电路和第二电流产生电路分别与基准电流输出电路连接，所述第一电流产生电路产生与S T°_5成正比的电流，其中δ为常数、T为温度，所述第二电流产生电路产生PTAT电流源，所述基准电流输出电路的输出端为高精度基准电流源的输出端Iref。
2.根据权利要求1所述的一种高精度基准电流源，其特征在于，所述第一电流产生电路包括第一 PMOS管MP1、第二 PMOS管ΜΡ2、第一 NMOS管MNl、第二 NMOS管ΜΝ2、第三NMOS管丽3、第一三极管PQl、第二三极管PQ2，所述第二电流产生电路包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第四NMOS管ΜΝ4、第五NMOS管ΜΝ5、电阻R、第三三极管PQ3、第四三极管PQ4，所述基准电流输出电路包括第五PMOS管ΜΡ5、第六PMOS管ΜΡ6、第七PMOS管ΜΡ7、第八PMOS管ΜΡ8、第九PMOS管ΜΡ9、第五三极管PQ5、第六三极管PQ6、第七三极管PQ7、第八三极管PQ8和运算放大器； 第一 PMOS管ΜΡ1、第二 PMOS管ΜΡ2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管ΜΡ5、第六PMOS管ΜΡ6、第七PMOS管ΜΡ7、第八PMOS管ΜΡ8和第九PMOS管ΜΡ9的源极均接电源VDD ； 第一 PMOS管MPl的漏极和栅极与第二 PMOS管ΜΡ2的栅极、第五PMOS管ΜΡ5的栅极、第六PMOS管ΜΡ6的栅极、第一 NMOS管MNl的漏极连接； 第二 PMOS管ΜΡ2的漏极与第二 NMOS管ΜΝ2的漏极和栅极、第一 NMOS管MNl的栅极、第三NMOS管ΜΝ3的栅极连接； 第一 NMOS管MNl的源极与第三NMOS管ΜΝ3的漏极连接； 第二 NMOS管丽2的源极与第二三极管PQ2的发射极连接，第三NMOS管丽3的源极与第一三极管PQl的发射极连接，第一三极管PQl的基极和第二三极管PQ2的基极连接；第三PMOS管MP3的栅极与第八PMOS管ΜΡ8的栅极、第四PMOS管MP4的栅极和漏极、第五NMOS管ΜΡ5的漏极连接； 第三PMOS管MP3的漏极与第四NMOS管ΜΝ4的漏极和栅极、第五NMOS管丽5的栅极连接； 第四匪OS管ΜΝ4的源极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与第三三极管丽3的发射极连接； 第五NMOS管丽5的源极与第四三极管PQ4的发射极连接，第三三极管PQ3的基极和第四三极管PQ4的基极连接； 第五PMOS管ΜΡ5的漏极与第五三极管PQ5的发射极和第六三极管PQ6的基极连接； 第六PMOS管ΜΡ6的漏极与运算放大器的反向输入端和第六三极管PQ6的发射极连接； 第八PMOS管ΜΡ8的漏极与第八三极管PQ8的发射极和第七三极管PQ7的基极连接； 第七PMOS管ΜΡ7的栅极和第九PMOS管ΜΡ9的栅极、运算放大器的输出端连接； 第七PMOS管ΜΡ7的漏极与运算放大器的同向输入端和第七三极管PQ7的发射极连接； 第九PMOS管ΜΡ9的漏极为基准电流输出电路的输出端Iref ； 第一三极管PQ1、第二三极管PQ2、第三三极管PQ1、第四三极管PQ4和第五三极管PQ5的集电极和基极、第六三极管PQ6和第七三极管PQ7的集电极、第八三极管PQ8的集电极和基极均接地。
【文档编号】G05F1/56GK103472877SQ201310407996
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月9日 优先权日:2013年9月9日
【发明者】方健, 李源, 赵前利, 王贺龙, 彭宜建, 谷洪波 申请人:电子科技大学