一种低压源耦异或逻辑电路结构的制作方法与工艺

文档序号:11733135阅读:来源:国知局
一种低压源耦异或逻辑电路结构的制作方法与工艺

技术特征:
1.一种低压源耦异或逻辑电路结构,其特征在于:它包括两对NMOS输入的差分对A和差分对B、一对PMOS输入的差分对C,以及分别向差分对A、差分对B和差分对C提供偏置电流的偏置电流源N1、偏置电流源N2和偏置电流源P3;差分对A和差分对B的反相互补输入端互联,差分对A和差分对B的同相互补输出端互联;一路差分互补输入信号AP、AN分别与差分对A和差分对B的互补输入端连接,另一路差分互补输入信号BP、BN与差分对C的互补输入端连接,差分对C的互补输出端分别与差分对A和差分对B的偏置电流输入端连接。2.根据权利要求1所述的一种低压源耦异或逻辑电路结构,其特征在于:所述的偏置电流源N1和偏置电流源N2主要由NMOS管组成。3.根据权利要求1所述的一种低压源耦异或逻辑电路结构,其特征在于:所述的偏置电流源P3主要由PMOS管组成。
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