芯片参数设定模块及方法、锂电池充电芯片的充电电路与流程

文档序号:11558436阅读:548来源:国知局
本发明涉及芯片参数设定技术领域,特别是涉及一种芯片参数设定模块及方法、锂电池充电芯片的充电电路。

背景技术:
在一些芯片中,需要通过外置电阻来为芯片设定出某个所需参数的值,比如电压值或电流值,以供芯片使用。比如在锂电池充电芯片中,需要根据外置电阻阻值的不同来设定不同的锂电池充电电压。但在现有技术中,往往因为工艺、温度等因素,造成外置电阻的实际阻值以及芯片内部的参考电流等出现误差,从而导致芯片所需设定的参数的设定值出现误差,降低了设定值的精度。如果将这种低精度的设定值提供给芯片使用,将无法满足需要。另外,就算使用高精度的外置电阻,不仅成本较高,而且由于外置电阻阻值的离散性,使得可以设置的芯片所需设定的参数也具有离散性,在需要的不同的芯片所需设定的参数的设定值之间相差较小(即分辨率较高)的情况下,根本无法设定出如此高分辨率的芯片所需设定的参数。以锂电池充电芯片的充电电压的设定为例,现有的技术是利用芯片内部的分压电阻来采样电池电压,并利用芯片内部的参考电流流经单个外置电阻产生压降,得到参考电压,将该参考电压与采样到的电池电压分压进行比较,根据比较结果判断电池是否充至想要充到的电压,一旦充到,便利用比较结果作为反馈信号,使电池在恒压模式下继续充电,直至电池真正充满。但这种方法会因外置电阻及芯片内部的参考电流等的误差导致充电电压的误差。如果用高精度的外置电阻,不仅成本较高,而且由于外置电阻阻值的离散性,使得可以设置的充电电压也具有离散性,在需要设定的不同的充电电压之间相差较小的情况下,这种方法根本无法设定出如此高分辨率的充电电压。如图1所示为本发明现有技术中的锂电池充电芯片的充电电路的示意图,采用控制模块控制P沟道MOSFET管M1和电源电压VCC为电池充电,分压电阻R1和R2采样电池电压Vbat得到电池电压分压Vsample,芯片内部的参考电流Iref流经外置电阻Rset产生参考电压Vset_out,将Vset_out与Vsample通过比较器C进行比较,根据比较结果判断电池是否充至想要充到的电压,一旦充到,便利用比较结果作为反馈信号,使电池在恒压模式下继续充电,直至电池真正充满。其中,Vsample=Vbat*R2/(R1+R2),Vset_out=Iref*Rset,当Vsample=Vset_out时,电池最终充电到:Vbat=Iref*Rset*(R1+R2)/R2。由此可见,Rset及Iref的误差会直接影响电池最终被充电到的电压的精度,而且外置电阻Rset的阻值具有离散性,使得Vset_out具有离散性,从而可被设定的最终电池电压也具有较大离散性,分辨率不高。因此,现在亟需一种芯片参数设定模块和芯片参数设定方法,在外置电阻及芯片内部的参考电流等存在误差的情况下,仍能够用便宜的精度不高的外置电阻设定高精度和高分辨率的芯片所需设定的参数。

技术实现要素:
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种芯片参数设定模块及方法、锂电池充电芯片的充电电路,用于解决现有技术中芯片所需设定的参数的设定值精度低,无法满足需要,以及外置电阻具有离散性,无法设定出高分辨率的芯片所需设定的参数的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种芯片参数设定模块,用于通过外置电阻设定芯片所需设定的参数,其中,所述芯片参数设定模块至少包括:时钟产生器,用于产生时钟信号;计数器,连接于所述时钟产生器,用于根据所述时钟产生器产生的时钟信号进行计数,以产生数字信号;电压范围选择器,连接于所述计数器,用于根据所述计数器产生的数字信号依次选择不同的带隙基准电压范围;其中,所述电压范围选择器预设一系列由大到小或者由小到大排列的带隙基准的分压,该一系列带隙基准的分压能够组成多个电压范围,每个电压范围由相邻的一对带隙基准的分压组成;各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围分别包含于各带隙基准电压范围内,且各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围之间具有间距且边界无重合;电压范围确定电路,连接于所述外置电阻、所述电压范围选择器和所述时钟产生器,用于在由所述外置电阻和所述芯片内部的参考电流产生参考电压后,依次判断所述参考电压是否包含于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围内,直到判断结果为是时,产生电压范围确定信号;设定值选择器,连接于所述计数器,用于在所述电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,根据所述计数器当前产生的数字信号,选择一个能够表征所述芯片所需设定的参数的设定值;其中,所述设定值选择器预设一系列由带隙基准产生的设定值,该一系列设定值分别对应不同的外置电阻额定阻值。优选地,所述电压范围确定电路至少包括:第一比较器,其正输入端接入所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值,其负输入端接入所述参考电压,用于依次比较所述参考电压和所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值,并在所述参考电压小于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值时,输出第一比较信号;第二比较器,其正输入端接入所述参考电压,其负输入端接入所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值,用于依次比较所述参考电压和所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值,并在所述参考电压大于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值时,输出第二比较信号;与非门,其两个输入端分别连接于所述第一比较器的输出端和所述第二比较器的输出端,用于在同时接收到所述第一比较器输出的第一比较信号和所述第二比较器输出的第二比较信号时,产生电压范围确定信号。优选地,所述电压范围确定电路还包括:控制开关,连接于所述外置电阻和所述芯片内部的参考电流,用于在所述与非门产生电压范围确定信号时关闭,以停止产生参考电压。优选地,所述计数器产生的数字信号为N+1位,所述带隙基准电压范围选择器为M选2选择器,其预设的带隙基准的分压为M个,所述设定值选择器为N+1选1选择器,其预设的由带隙基准产生的设定值为N+1个;其中,M=2^(N+1)+1,M、N均为自然数。本发明还提供一种锂电池充电芯片的充电电路,其中,所述锂电池充电芯片的充电电路至少包括:如上所述的芯片参数设定模块;其中,所述芯片为锂电池充电芯片,所述芯片所需设定的参数为锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流,所述设定值选择器选择的由带隙基准产生的设定值能够表征通过外置电阻设定的锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流。本发明还提供一种芯片参数设定方法,采用如上所述的芯片参数设定模块,其中,所述芯片参数设定方法至少包括如下步骤:由所述外置电阻和所述芯片内部的参考电流产生参考电压;由时钟产生器产生时钟信号,由计数器根据所述时钟产生器产生的时钟信号进行计数,以产生数字信号,由电压范围选择器根据所述计数器产生的数字信号依次选择不同的带隙基准电压范围;由电压范围确定电路依次判断所述参考电压是否包含于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围,直到判断结果为是时,产生电压范围确定信号;由设定值选择器在所述电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,根据所述计数器当前产生的数字信号,选择一个能够表征所述芯片所需设定的参数的设定值。优选地,所述电压范围确定电路至少包括:第一比较器,第二比较器以及与非门;其中,由电压范围确定电路依次判断所述参考电压是否包含于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围,其具体步骤如下:由第一比较器依次比较所述参考电压和所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值,并在所述参考电压小于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值时,输出第一比较信号;由第二比较器依次比较所述参考电压和所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值,并在所述参考电压大于所述电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值时,输出第二比较信号;由与非门在同时接收到所述第一比较器输出的第一比较信号和所述第二比较器输出的第二比较信号时,产生电压范围确定信号。优选地,所述芯片参数设定方法还包括如下步骤:在所述电压范围确定电路产生带隙基准电压范围确定信号时,关闭所述时钟产生器,以使所述计数器停止计数。优选地,所述芯片参数设定方法还包括如下步骤:在所述外置电阻和所述芯片内部的参考电流之间预设一个控制开关,在所述控制开关闭合时,由所述外置电阻和所述芯片内部的参考电流产生参考电压。优选地,所述芯片参数设定方法还包括如下步骤:在所述电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,断开所述控制开关,以使所述电压范围选择器、所述电压范围确定电路关闭。如上所述,本发明的芯片参数设定模块及方法、锂电池充电芯片的充电电路,具有以下有益效果:本发明的芯片参数设定模块,可以在外置电阻及芯片内部的参考电流等存在误差的情况下,通过低精度的参考电压来选定相对应的高精度的带隙基准电压范围,从而能够根据带隙基准电压范围对应的数字信号来确定能够表征芯片所需设定的参数的高精度的设定值。另外,各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围分别包含于各带隙基准电压范围,且各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围之间具有间距且边界无重合,保证了选定的带隙基准电压范围的唯一性,进而选定具有较高的分辨率的设定值,而该设定值是由带隙基准所产生的,所以整个模块所能做到的带隙基准的精度越高,设定值的精度及分辨率也更高。另外,可以采用相对低精度的外置电阻,降低了成本。另外,整个模块中的数字电路均采用CMOS电路实现,成本更低,体积更小,更利于芯片集成。本发明的锂电池充电芯片的充电电路,采用上述芯片参数设定模块,得到具有高分辨率、高精度的设定值,用以对锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流进行设定,从而使得锂电池的电池电压也具有高分辨率和高精度。本发明的芯片参数设定方法,采用上述芯片参数设定模块,能够对芯片所需设定的参数进行设定,得到具有高分辨率、高精度的设定值,同时具有低成本的优点。另外,在通过参考电压选定相对应的带隙基准电压范围后,可以通过关闭相关耗电电路部分,从而做到极低功耗。附图说明图1显示为本发明现有技术中的锂电池充电芯片的充电电路的示意图图2显示为本发明第一实施方式的芯片参数设定模块的示意图。图3显示为本发明第二实施方式的锂电池充电芯片的充电电路的示意图。图4显示为本发明第三实施方式的芯片参数设定方法的流程示意图。元件标号说明100时钟产生器200计数器300电压范围选择器400电压范围确定电路500设定值选择器具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图2,本发明第一实施方式涉及一种芯片参数设定模块,用于通过外置电阻设定芯片所需设定的参数。需要说明的是,本实施方式中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。如图2所示,本实施方式的芯片参数设定模块至少包括:时钟产生器100,计数器200,电压范围选择器300,电压范围确定电路400以及设定值选择器500。对于时钟产生器100,其用于产生时钟信号clock。对于计数器200,其连接于时钟产生器100,用于根据时钟产生器100产生的时钟信号clock进行计数,以产生数字信号Bit<N:0>。也就是说,在本实施方式中,计数器200产生的数字信号为N+1位,其中,N为自然数。对于电压范围选择器300,其连接于计数器200,用于根据计数器200产生的数字信号Bit<N:0>依次选择不同的带隙基准电压范围。其中,电压范围选择器预设一系列由大到小或者由小到大排列的带隙基准的分压(Vref_1,Vref_2,……,Vref_M),该一系列带隙基准的分压能够组成多个带隙基准电压范围,每个带隙基准电压范围由相邻的一对带隙基准的分压组成;各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围分别包含于各带隙基准电压范围内,且各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围之间具有间距且边界无重合。在本实施方式中,电压范围选择器300为M选2选择器,其预设的带隙基准的分压为M个,其中,M为自然数且M=2^(N+1)+1;计数器200每产生一次数字信号Bit<N:0>,就使用M选2选择器选择相邻的一对带隙基准的分压(Vref_1与Vref_2或者Vref_2与Vref_3或者……或者Vref_M-1与Vref_M)作为带隙基准电压范围。对于电压范围确定电路400,其连接于外置电阻、电压范围选择器300和时钟产生器100,用于在由外置电阻Rset和芯片内部的参考电流Iref产生参考电压Vset后,依次判断参考电压Vset是否包含于电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围,直到判断结果为是时,产生电压范围确定信号ok。举例来说,计数器200产生第一个数字信号,电压范围选择器300选择第一个带隙基准电压范围,电压范围确定电路400判断参考电压是否包含于该第一个带隙基准电压范围;若判断结果为否,计数器200产生第二个数字信号,电压范围选择器300选择第二个带隙基准电压范围,电压范围确定电路400判断参考电压是否包含于该第二个带隙基准电压范围。也就是说,在判断结果为否时,依次重复上述判断过程,直到判断结果为是时,产生电压范围确定信号ok,计数器200停止计数。在本实施方式中,电压范围确定电路400至少包括:第一比较器C1,其正输入端接入电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最大值VUL,其负输入端接入参考电压Vset,用于依次比较参考电压Vset和电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最大值VUL,并在参考电压Vset小于电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最大值VUL时,输出第一比较信号。第二比较器C2,其正输入端接入参考电压Vset,其负输入端接入电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最小值VLL,用于依次比较参考电压Vset和电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最小值VLL,并在参考电压Vset大于电压范围选择器300选择的每个带隙基准电压范围中的最小值VLL时,输出第二比较信号。与非门NG,其两个输入端分别连接于第一比较器的输出端和第二比较器的输出端,用于在同时接收到第一比较器输出的第一比较信号和第二比较器输出的第二比较信号时,产生电压范围确定信号ok。在本实施方式中,电压范围确定电路400还包括:控制开关k,连接于外置电阻Rset和芯片内部的参考电流Iref,用于在与非门NG产生电压范围确定信号ok时关闭,以停止产生参考电压Vset。也就是说,当VLL<Vset<VUL时,与非门NG产生电压范围确定信号ok,用此信号关闭时钟产生器100,并打开芯片内部的参考电流Iref与外置电阻Rset之间的控制开关k,从而不再在外置电阻Rset上产生压降,以节约功耗。对于设定值选择器500,其连接于计数器200,用于在电压范围确定电路400产生电压范围确定信号ok时,根据计数器200当前产生的数字信号,选择一个能够表征芯片所需设定的参数的设定值Vset_out;其中,设定值选择器500预设一系列由带隙基准产生的设定值,该一系列设定值分别对应不同的外置电阻额定阻值。在本实施方式中,在电压范围确定电路400产生电压范围确定信号ok时,根据计数器200停止计数时产生的当前的数字信号,在设定值选择器500中选择某个能够表征芯片所需设定的参数的设定值Vset_out。这样一来,尽管外置电阻Rset及芯片内部的参考电流Iref等有误差,但根据外置电阻Rset实际阻值选出的设定值Vset_out仍然具有高精度,因为它是一个基于外置电阻Rset额定阻值的高精度的设定值。该设定值Vset_out一直被计数器200当前产生的数字信号所选中,直至芯片停止工作,并且计数器200工作时功耗是极低的。在本实施方式中,设定值选择器500为与N+1位的数字信号对应的N+1选1选择器,其预设的由带隙基准产生的设定值为N+1个。本实施方式的芯片参数设定模块,在考虑芯片内部的参考电流Iref和外置电阻Rset的最大误差的情况下,参考电压Vset=Iref*Rset,其必然有一个范围[Vset_min,Vset_max],不同的离散的外置电阻Rset实际阻值所确定的不同的参考电压Vset的范围为([Vset1_min,Vset1_max],[Vset2_min,Vset2_max],……,[VsetM-1_min,VsetM-1_max]),且各离散的外置电阻Rset实际阻值所确定的各参考电压范围之间具有间距且边界无重合。参考电压范围选择器预设的一系列带隙基准的分压Vref_1~Vref_M,能够组成多个带隙基准电压范围([Vref_1,Vref_2],[Vref_2,Vref_3],……,[Vref_M-1,Vref_M]),每个带隙基准电压范围由相邻的一对带隙基准的分压组成;各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围分别包含于各带隙基准电压范围,即[Vset1_min,Vset1_max]∈[Vref_1,Vref2_],[Vset2_min,Vset2_max]∈[Vref_2,Vref_3],……,[VsetM-1_min,VsetM-1_max]∈[Vref_M-1,Vref_M]。这样一来,对于特定的某个外置电阻Rset,其参考电压Vset必然能够被唯一包含于其中一个带隙基准电压范围中,从而得到一个确定的数字信号,并根据此数字信号在设定值选择器中选出一个能够表征芯片所需设定的参数的设定值Vset_out。本实施方式用低精度的小范围的参考电压范围,去选定相对应的高精度的大范围的带隙基准电压范围,并保证低精度的小范围的各参考电压范围没有边界重叠且相互间有足够间距,也即保证选定的唯一性。一旦选到某个高精度的大范围的带隙基准电压范围,便会产生相应的数字信号,用此数字信号便可以完成低精度的外置电阻到高精度的设定值的选定。而不同的由带隙基准产生的设定值之间可以具有较高的分辨率,即整个模块所能做到的由带隙基准产生的设定值的精度越高,设定值的分辨率也更高。此外,值得一提的是,本实施方式的芯片参数设定模块所涉及到的数字电路,如时钟产生器、计数器、选择器以及与非门等,均采用CMOS电路实现,成本更低,体积更小,更利于芯片集成。并且,本实施方式中的芯片可以为多种,芯片所需设定的参数也可以为多种,可以根据实际需要进行选择,例如芯片可以选择锂电池充电芯片,其所需参数可以选择锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流。此外,为了突出本发明的创新部分,本实施方式中并没有将与解决本发明所提出的技术问题关系不太密切的单元引入,但这并不表明本实施方式中不存在其它的单元。本发明第二实施方式涉及一种锂电池充电芯片的充电电路,请参阅图3,其至少包括:第一实施方式所涉及的芯片参数设定模块;其中,芯片为锂电池充电芯片,芯片所需设定的参数为锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流,设定值选择器选择的由带隙基准产生的设定值能够表征通过外置电阻设定的锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流。不难发现,本实施方式是第一实施方式所涉及的芯片参数设定模块的具体应用电路。因此,第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,在第一实施方式中所能达到的技术效果在本实施方式中也同样可以实现,为了减少重复,这里不再赘述。此外,本实施方式的锂电池充电芯片的充电电路所包括的其他部分,与

背景技术:
中涉及的锂电池充电芯片的充电电路基本一致。也就是说,在本实施方式中,电池将最终被充电至Vbat=Vset_out*(R1+R2)/R2。由此公式可以看出,Vset_out及(R1+R2)/R2是影响电池电压Vbat的关键。而(R1+R2)/R2本身的精度较高,而通过第一实施方式所涉及的芯片参数设定模块得到的设定值Vset_out也具有高精度。因此使得电池电压Vbat也可以很精确,并且高分辨率的设定值Vset_out使得电池电压Vbat也可以具有较高的分辨率。本发明第三实施方式涉及一种芯片参数设定方法,采用第一实施方式所涉及的芯片参数设定模块,具体流程示意图请参阅图4,其至少包括如下步骤:由外置电阻和芯片内部的参考电流产生参考电压。由时钟产生器产生时钟信号,由计数器根据时钟产生器产生的时钟信号进行计数,以产生数字信号,由电压范围选择器根据计数器产生的数字信号依次选择不同的带隙基准电压范围。由电压范围确定电路依次判断参考电压是否包含于电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围内,直到判断结果为是时,产生电压范围确定信号。由设定值选择器在电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,根据计数器当前产生的数字信号,选择一个能够表征芯片所需设定的参数的设定值。在本实施方式中,电压范围确定电路至少包括:第一比较器,第二比较器以及与非门;其中,由电压范围确定电路依次判断参考电压是否包含于电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围的具体步骤如下:由第一比较器依次比较参考电压和电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值,并在参考电压小于电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最大值时,输出第一比较信号;由第二比较器依次比较参考电压和电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值,并在参考电压大于电压范围选择器选择的每个带隙基准电压范围中的最小值时,输出第二比较信号;由与非门在同时接收到第一比较器输出的第一比较信号和第二比较器输出的第二比较信号时,产生电压范围确定信号。在本实施方式中,芯片参数设定方法还包括如下步骤:在电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,关闭时钟产生器,以使计数器停止计数。在本实施方式中,芯片参数设定方法还包括如下步骤:在外置电阻和芯片内部的参考电流之间预设一个控制开关,在控制开关闭合时,由外置电阻和芯片内部的参考电流产生参考电压。在本实施方式中,芯片参数设定方法还包括如下步骤:在电压范围确定电路产生电压范围确定信号时,断开控制开关,以使电压范围选择器、电压范围确定电路关闭。因此,本实施方式采用第一实施方式所涉及的芯片参数设定模块,能够对芯片所需设定的参数进行设定,得到具有高分辨率、高精度的设定值,同时具有低成本的优点。另外,在通过参考电压选定相对应的带隙基准电压范围后,可以通过关闭相关耗电电路部分,从而做到极低功耗。上面各种方法的步骤划分,只是为了描述清楚,实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分,分解为多个步骤,只要包含相同的逻辑关系,都在本专利的保护范围内;对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计,但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。由于第一实施方式与本实施方式相互对应,因此本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,在第二实施方式中所能达到的技术效果在本实施方式中也同样可以实现,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。综上所述,本发明的芯片参数设定模块,可以在外置电阻及芯片内部的参考电流等存在误差的情况下,通过低精度的参考电压来选定相对应的高精度的带隙基准电压范围,从而能够根据带隙基准电压范围对应的数字信号来确定能够表征芯片所需设定的参数的高精度的由带隙基准产生的设定值。另外,各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围分别包含于各带隙基准电压范围内,且各离散的外置电阻实际阻值所确定的各参考电压范围之间具有间距且边界无重合,保证了选定的带隙基准电压范围的唯一性,进而选定具有较高的分辨率的设定值,而该设定值是由带隙基准所产生的,所以整个模块所能做到的带隙基准的精度越高,设定值的精度及分辨率也更高。另外,可以采用相对低精度的外置电阻,降低了成本。另外,整个模块中的数字电路均采用CMOS电路实现,成本更低,体积更小,更利于芯片集成。本发明的锂电池充电芯片的充电电路,采用上述芯片参数设定模块,能够对锂电池充电芯片的充电电压或者充电电流进行设定,得到具有高分辨率、高精度的设定值,从而使得锂电池的电池电压也具有高分辨率和高精度。本发明的芯片参数设定方法,采用上述芯片参数设定模块,能够对芯片所需设定的参数进行设定,得到具有高分辨率、高精度的设定值,同时具有低成本的优点。另外,在通过参考电压选定相对应的带隙基准电压范围后,可以通过关闭相关耗电电路部分,从而做到极低功耗。所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
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