一种带自启动电路的带隙基准源电路的制作方法

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种带自启动电路的带隙基准源电路。

背景技术：

基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。

现有技术中启动基准源电路都是通过双边启动的方式进行启动基准源电路例如图1；图1为现有技术中一种自启动带隙基准源电路图，如图1所示的一种现有自启动带隙基准源电路图包括由基准源电路和自动启动电路，其中自启动电路包括MN1MOS管、MN2MOS管以及MP3MOS管，其中MP3MOS管的源极和电源连接，MP3MOS管的栅极和漏极均和MN1MOS管的栅极以及MN2MOS管的漏极连接，MN1MOS管的源极和基准源电路中三级管Q2的集电极连接并接地，MN2MOS管的栅极和基准源电路的基准输出电压连接，MN1MOS的漏极和基准源电路MP2MOS管的栅极以及放大器OPA的输出端连接。

上述自启动带隙基准源电路中，采用的是双边启动方式的电路，在电路其中阶段电路中的电流较大，功耗较大。

综上所述，因此需要设计一种在电路启动阶段电路中的电流较小，功耗较小的带有自启动电路的带隙基准源电路。

技术实现要素：

针对上述现有技术的现状，本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种单边启动的带启动电路的带隙基准源电路，该电路可以在电路启动阶段较小电路的电流和功耗。

为达到上述目的所采用的技术方案为：

一种带自启动电路的带隙基准源电路，包括带隙基准源电路和启动电路，所述带隙基准源电路包括：负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路；所述负反馈放大电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器；所述第一镜像电路包括：第一PNP型三极管Q1；所述第二镜像电路包括：第二PNP型三极管Q2；所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接；所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接；所述第二MOS管M2的漏极连接至基准电压输出端；单边启动电路包括信号输入电路、反相电路以及开关电路；

所述信号输入电路包括第三MOS管M3和第一电流源；

所述第三MOS管M3的漏极经第一电流源和电源连接；

所述第三MOS管M3的栅极和基准电压输出端连接；

所述第三MOS管M3的源极和第二PNP型三极管Q2的集电极连接；

所述开关电路包括第四MOS管M4和第二电流源；

所述反相电路包括反相器；

所述第四MOS管M4的漏极经第二电流源和电源连接；

所述第四MOS管M4的源极和第二PNP型三极管Q2的发射极以及第二电阻R2的一端连接；

所述第四MOS管M4的栅极通过反相器和第三MOS管M3的漏极连接。

进一步地，

第三MOS管M3为N沟道MOS管；

进一步地，

第四MOS管M4为P沟道MOS管。

本实用新型提供了一种新的带自启动电路的带隙基准源电路，采用单边启动带起基准源电路，由C点开始对带隙基准源电路进行启动，并且在带隙基准源电路启动后，其基准电压输出端输出的电压稳定在预设电压值后，自启动电路自动关断，本单边自启动电路，在整个电路启动过程中，电路中的电流较小，降低了功耗。

附图说明

图1为现有技术中一种带自启动电路的带隙基准源电路图；

图2为本实用新型实施例中一种带自启动电路的带隙基准源电路图。

具体实施方式

以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。

本实用新型实施例提出一种单边启动的带自启动电路的带隙基准源电路，通过自启动电路中开关电路中的第四MOS管M4和带隙基准源电路中第二PNP型三极管Q2发射极连接点，对带隙基准电路进行启动，并在带隙基准电路的基准电压输出端稳定在预设电压时，自动关断自启动电路。本电路有效地降低电路的电流和功耗。

图2为本实施例中提供的一种带自启动电路的带隙基准源电路，包括带隙基准源电路和启动电路，所述带隙基准源电路包括：负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路；所述负反馈放大电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器；所述第一镜像电路包括：第一PNP型三极管Q1；所述第二镜像电路包括：第二PNP型三极管Q2；所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接；所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接；所述第二MOS管M2的漏极连接至基准电压输出端；其特征在于，启动电路包括信号输入电路、反相电路以及开关电路；

所述信号输入电路包括第三MOS管M3和第一电流源；

所述第三MOS管M3的漏极经第一电流源和电源连接；

所述第三MOS管M3的栅极和基准电压输出端连接；

所述第三MOS管M3的源极和第二PNP型三极管Q2的集电极连接；

所述开关电路包括第四MOS管M4和第二电流源；

所述反相电路包括反相器；

所述第四MOS管M4的漏极经第二电流源和电源连接；

所述第四MOS管M4的源极和第二PNP型三极管Q2的发射极以及第二电阻R2的一端连接；

所述第四MOS管M4的栅极通过反相器和第三MOS管M3的漏极连接。

进一步地，第三MOS管M3为N沟道MOS管；

进一步地，第四MOS管M4为P沟道MOS管。

采用了单边启动带隙基准源电路的电路启动方式。

上电之初A点电位为0，D点电位为高电位，B点电位为高电位，经过反相器反转后，给第四MOS管的栅极提供低电平，第四MOS管M4开始启动，有电流通过第四MOS管M4的漏极灌入到带隙基准源电路的第二PNP型三极管Q2的发射极，此时C点电位变高，D点电位变低，带隙基准源电路的第二MOS管M2开始工作，启动带隙基准源电路。

带隙基准源电路启动后，基准电压输出端输出稳定电压1.2V，此时第三MOS管M3的栅极电压为高电平，第三MOS管M3导通，使第三MOS管M3的漏极电压开始下降，从而第四MOS管M4的栅极为高电位，进一步地，第四MOS管M4断开，关断自启动电路。

本实施例中提供的带自启动电路的带隙基准源电路，采用单边启动带起基准源电路，由C点开始对带隙基准源电路进行启动，并且在带隙基准源电路启动后，其基准电压输出端输出的电压稳定在预设电压值后，自启动电路自动关断，本单边自启动电路，在整个电路启动过程中，电路中的电流较小，降低了功耗。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。