d Flash主控芯片中温度上升到预设范围内。如当Nand Flash主控芯片中第一寄存器中的温度小于预设的温度范围A时，即Nand Flash主控芯片中的温度过低，所述芯片内部的电路的物理特性将会发生变化，特别是OSC，OSC是为芯片内部提供工作的时钟信号，如果Nand Flash主控芯片的温度过低，会导致所述芯片的工作频率不稳定，所述芯片会出现时钟偏移现象，即当前Nand Flash主控芯片中OSC提供的时钟信号与预设的时钟信号会出现相位差，这时升高对应的第三寄存器的数值以调节对应的模拟IP的配置参数，如当前OSC对应的第三寄存器的数值为0001，则将所述OSC对应的第三寄存器的数值升高为0110或其他在理想温度工作区域所对应的二进制码，这时，Nand Flash主控芯片会根据当时各个模拟IP的情况而自动选择将温度下降到那个温度区间内，即调节Nand Flash主控芯片中OSC对应的模拟IP中频率和电流等，使其频率升高，使所述工作频率趋于稳定等，使Nand Flash主控芯片的温度上升到预设的温度范围内，即使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。
[0100]具体地，参考图10，图10为载入温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。
[0101]本实施例通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，使芯片面积不至于过大，节省成本，优化了 Nand Flash主控芯片内部的工作电压和工作电流的稳定性，同时也确保Nand Flash主控芯片内部的工作频率可控，使时钟偏移现象基本消失。
[0102]参照图8，图8本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第二实施例的功能模块示意图。所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块40和设置模块50。
[0103]所述连接模块40，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。
[0104]在Nand Flash主控芯片载入一个温度传感器，优选地，所述温度传感器输出的信号可以4bit，也可以是其他的，根据需要进行选择。所述4bit输出的温度传感器的输出端(内部的信号通路)连接到Nand Flash主控芯片中的第一寄存器上。
[0105]所述设置模块50，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。
[0106]预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。如当所需检测的温度范围为15摄氏度到125摄氏度，则将其分为16个温度区间，如15摄氏度到21摄氏度为第一个温度区间，对应的二进制码为0000 ;22摄氏度到38摄氏度为第二个温度区间，所对应的二进制码为0001 ;29摄氏度到35摄氏度为第三个温度区间，所对应的二进制码为0010 ;按照这种规律，每个温度区间间隔6摄氏度，相应的二进制码加1，一直到120摄氏度到125摄氏度，为最后一个温度区间，所对应的二进制码为1111。将Nand Flash主控芯片工作温度在50摄氏度到205摄氏度设置为预设的温度范围，即为理想的工作区域，即二进制码为0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011和1100所对应的工作状态为理想的工作状态。
[0107]本实施例通过将温度传感器的输出端连接到第一寄存器上，通过温度传感器优化了 Nand Flash主控芯片的性能，延迟了芯片的使用寿命。
[0108]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
[0109]以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的方法包括以下步骤: 基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码； 将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围； 当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
2.如权利要求1所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内的步骤包括: 当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内； 当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
3.如权利要求1所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围的步骤包括: 将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码； 将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比； 当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围； 当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。
4.如权利要求1至3任一项所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码的步骤之前，还包括: 载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。
5.如权利要求4所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上的步骤之前，还包括: 预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。
6.—种基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置包括: 转换模块，用于基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；判断模块，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围； 更新模块，用于当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
7.如权利要求6所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述更新模块包括降低单元和升高单元， 所述降低单元，用于当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内； 所述升高单元，用于当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
8.如权利要求6所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述判断模块包括读取单元、对比单元和判断单元， 所述读取单元，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码； 所述对比单元，用于将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；所述判断单元，用于当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围； 所述判断单元，还用于当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。
9.如权利要求6至8任一项所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。
10.如权利要求9所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括设置模块，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。
【专利摘要】本发明公开了一种基于传感器优化主控芯片的方法，该方法包括步骤：基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。本发明还公开了一种基于传感器优化主控芯片的装置。本发明优化了主控芯片的性能，延迟了芯片的使用寿命。
【IPC分类】G05D23-30
【公开号】CN104808720
【申请号】CN201510145172
【发明人】李奋展, 吴大畏, 李晓强
【申请人】深圳市硅格半导体有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月30日