专利名称：一种面板结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种面板结构制作方法。
背景技术：
在手机上应用电容式触摸屏已成为当今社 会之主流趋势，电容式触摸屏作为一种新型的人机交互界面，逐步被广泛地应用于各种数字信息系统上，从小型产品如手机、PDA、数码产品、e-Book，到中型产品如车载导航仪、游戏机、家用电器、工控仪器，再到大型产品如POS系统、公共查询和自助系统、便携电脑、医疗仪器以及电视新闻节日中常用的触摸式PDP上都可以看到电容式触摸屏产品。因此，电容式触摸屏具有广泛的市场前景。电容式触摸屏包括玻璃基板以及形成于玻璃基板上的功能层。鉴于当今社会对电子设备薄型化的要求，电容式触摸屏使用的玻璃基板也越来越薄，通常为0. 5毫米及以下。所述电容式触摸屏使用的玻璃基板通常由一张大的基板切割而成，即在一张大的玻璃基板上制作多个电容式触摸屏结构，然后对所述玻璃基板进行切割，得到需要的电容式触摸屏结构。在所述大的玻璃基板上加工功能层时，由于所述玻璃基板的尺寸较大，而加工所述功能层的温度较高，且制作所述功能层的材料的膨胀系数与所述玻璃基板的膨胀系数不一致，因此，在加工完所述功能层后，所述玻璃基板会发生翘曲，进而影响所述玻璃基板后续加工工艺如贴合，甚至使所述玻璃基板发生碎裂。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可有效降低翘曲度的面板结构。此外，还有必要提供一种可有效降低翘曲度的面板制作方法。一种面板结构包括基板、第一膜层、第二膜层，所述基板至少包括第一表面，所述第一膜层由第一材料经磁控溅射方式形成于所述基板的第一表面，所述第二膜层由第二材料经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，制作所述基板的材料的膨胀系数介于第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。本发明提供的所述面板结构中，所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。本发明提供的所述面板结构中，所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。本发明提供的所述面板结构中，所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在3000至4000埃之间。本发明提供的所述面板结构中，所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。一种面板结构制作方法，包括如下步骤提供一基板，该基板至少包括第一表面；采用一第一材料在所述基板的第一表面上形成一第一膜层，所述第一材料的膨胀系数与制作所述基板的材料的膨胀系数不相同；采用一第二材料在所述第一膜层上形成一第二膜层，且制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。本发明提供的所述面板制作方法中，所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。本发明提供的所述面板制作方法中，所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。 本发明提供的所述面板制作方法中，所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在3000至4000埃之间。本发明提供的所述面板制作方法中，所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。本发明提供的面板结构及其制作方法中，通过采用具有不同膨胀系数的第一材料和第二材料先后形成第一膜层和第二膜层，进而使在形成第一膜层时发生翘曲的基板，在形成第二膜层的时候回复到未形成所述第一膜层之前的状态，有效防止基板发生翘曲。
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中图I为本发明提供的一较佳实施方式的面板结构的示意图。图2为图I所示的面板结构制作第一膜层后的示意图。图3为本发明提供的一较佳实施方式的面板结构制作方法的流程示意图。
具体实施例方式为说明本发明提供的面板结构及其制作方法，以下结合说明书附图进行详细阐述。请同时参阅图1，其为本发明提供的一较佳实施方式的面板结构的示意图。所述面板结构100包括基板110，所述基板110具有第一表面111和第二表面112。所述第一表面111和第二表面112相背分布于所述基板110的两侧，所述第一表面111和第二表面112均为光滑的平面。所述基板110比较优选地是采用透明的材料制成。所述面板结构100还包括形成于所述基板110的第一表面111上第一膜层120、以及形成于所述第一膜层120上的第二膜层130。在本实施方式中，所述第一膜层120完全覆盖所述第一表面111，所述第二膜层130完全覆盖所述第一膜层120。所述第一膜层120由二氧化硅材料通过磁控溅射方式形成，所述第二膜层130由透明导电材料如氧化铟锡通过磁控溅射方式形成。请参阅图2，其为图I所示的面板结构制作完第一膜层后的示意图。所述第一膜层111由第一材料制作而成，所述第一材料可以是如上所述的二氧化硅或者其他等，且所述第一材料之膨胀系数小于制作所述基板110的材料的膨胀系数。所述第一材料在200至350摄氏度的环境下经磁控溅射方式形成于所述基板110的第一表面111，所述第一膜层120的厚度在400到600埃之间。所述第一膜层120由所述第一材料形成后，撤出所述200至350摄氏度的环境时，所述第一膜层120和基板110由于具有不同的膨胀系数，所述第一膜层120的形变量小，所述基板110的形变量大，所述基板110向所述第二表面112所在的一侧发生翘曲，所述第一膜层120亦随着所述基板110翘曲而发生翘曲，所述第一表面111和第二表面112均变为一曲面。请参阅图1，在形成所述第一膜层120后，在所述第一膜层120上形成所述第二膜层130。所述第二膜层130由第二材料制作而成，所述第二材料可以是如上所述的氧化铟锡或者其他等，且所述第二材料之膨胀系数大于制作所述基板Il0的材料的膨胀系数。所述第二材料在250至400摄氏度的环境下经磁控溅射方式形成于所述第一膜层120之上，所述第二膜层130的厚度在3000至4000埃之间。所述第二膜层120由所述第二材料形成后，·撤出所述250至400摄氏度的环境时，所述第二膜层130和所述基板110具有不同的膨胀系数，所述第二膜层130的形变量大，所述基板110的形变量小，所述基板110向所述第一表面111的一侧形变，并使所述基板110回复到未形成所述第一膜层120之前的状态，所述第一表面111和第二表面112在形成所述第二膜层130后回复到未形成所述第一膜层120之前的平面状态。请参阅图3，其为本发明提供的一较佳实施方式的面板结构制作方法的流程示意图。所述面板结构制作方法包括如下步骤步骤S201 :提供一基板，该基板至少包括第一表面。所述基板还可以包括与所述第一表面分别设置于所述基板两侧的第二表面，所述第一表面和第二表面在本实施方式中为光滑的平面。所述基板由透明材料制作，其可以为玻璃基板也可以是树脂基板。步骤S202 :采用一第一材料在所述基板的第一表面上形成一第一膜层，所述第一材料的膨胀系数与制作所述基板的材料的膨胀系数不相同。所述第一材料在200至350摄氏度的环境中经磁控溅射方式形成于所述第一表面，形成所述第一膜层。所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。在本实施方式中，所述第一材料为二氧化硅，其膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述基板和第一膜层因膨胀系数不相同，所述基板的形变量大，所述第一膜层的形变量小，因此，所述基板向所述第二表面所在的一侧翘曲，所述第一膜层随所述基板翘曲而发生翘曲，所述第一表面因此变成曲面。步骤S203 :采用一第二材料在所述第一膜层上形成一第二膜层，且制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。所述第二材料的膨胀系数与制作所述基板的材料的膨胀系数不相同。所述第二材料在250至400摄氏度的环境中经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上。所述第二膜层的厚度在3000-4000埃之间，在本实施方式中，所述第二材料为氧化铟锡，其膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述基板和第二膜层因膨胀系数不同，所述基板的形变量小，所述第二膜层的形变量大，所述基板向所述第一表面的一侧形变，并使所述基板回复到未形成所述第一膜层之前的状态，所述第一表面和第二表面在形成所述第二膜层后回复到未形成所述第一膜层之前的平面状态。本发明提供的面板结构及其制作方法中，通过采用具有不同膨胀系数的第一材料和第二材料先后形成第一膜层和第二膜层，进而使在形成第一膜层时发生翘曲的基板，在形成第二膜层的时候回复到未形成所述第一膜层之前的状态，有效防止基板发生翘曲。
以上为本发明提供的一种面板结构及其制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。
权利要求
1.一种面板结构，其包括基板、第一膜层、第二膜层，所述基板至少包括第一表面，所述第一膜层由第一材料经磁控溅射方式形成于所述基板的第一表面，所述第二膜层由第二材料经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。
2.如权利要求I所述的面板结构，其特征在于所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。
3.如权利要求2所述的面板结构，其特征在于所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。
4.如权利要求I所述的面板结构，其特征在于所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在 3000至4000埃之间。
5.如权利要求4所述的面板结构，其特征在于所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。
6.一种面板结构制作方法，包括如下步骤 提供一基板，该基板至少包括第一表面； 采用一第一材料在所述基板的第一表面上形成一第一膜层，所述第一材料的膨胀系数与制作所述基板的材料的膨胀系数不相同； 采用一第二材料在所述第一膜层上形成一第二膜层，且制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。
7.如权利要求6所述的面板制作方法，其特征在于所述第一膜层由所述第一材料在200至350摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一表面上，所述第一膜层的厚度在400至600埃之间。
8.如权利要求7所述的面板制作方法，其特征在于所述第一材料的膨胀系数小于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第一膜层的基板撤出所述200至350摄氏度的环境中时，所述第一膜层的形变量小于所述基板的形变量，所述基板向所述第二表面方向发生翘曲。
9.如权利要求6所述的面板制作方法，其特征在于所述第二膜层由所述第二材料在250至400摄氏度的环境中，经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，所述第二膜层的厚度在3000至4000埃之间。
10.如权利要求9所述的面板制作方法，其特征在于所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置于所述基板的两侧；所述第二材料的膨胀系数大于制作所述基板的材料的膨胀系数，当形成有第二膜层的基板撤出所述250至400摄氏度的环境中时，所述第二膜层的形变量大于所述基板的形变量，所述基板向所述第一表面的一侧发生翘曲。
全文摘要
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种面板结构及其制作方法。该面板结构包括基板、第一膜层、第二膜层，所述基板至少包括第一表面，所述第一膜层由第一材料经磁控溅射方式形成于所述基板的第一表面，所述第二膜层由第二材料经磁控溅射方式形成于所述第一膜层上，制作所述基板的材料的膨胀系数介于所述第一材料的膨胀系数和第二材料的膨胀系数之间。
文档编号G06F3/044GK102736812SQ20121015596
公开日2012年10月17日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日
发明者乐卫文, 刘伟, 张平, 施久林, 王燕彪, 申屠江民, 龚阳 申请人:浙江金徕镀膜有限公司