具有触控功能的发光显示器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种具有触控功能的发光显示器，其包括至少一个氮化物发光二极管、至少一个薄膜晶体管以及一个触控组件，所述氮化物发光二极管形成在一个第一基板上，所述薄膜晶体管形成在一个第二基板上，所述触控组件包括一个导电连接层或至少一个图案化导线，所述图案化导线设置于所述第一基板或所述第二基板上，所述导电连接层连接所述第一基板与所述第二基板，使所述氮化物发光二极管与所述薄膜晶体管电性连接。本发明通过所述触控组件的所述图案化导线电性连接所述氮化物发光二极管或所述薄膜晶体管，可有效达成发光显示器的薄型化。
【专利说明】具有触控功能的发光显示器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种具有触控功能的发光显示器，尤其将触控组件整合于主动式固态 发光显示器中，使显示器厚度薄型化的一种具有触控功能的发光显示器。
【背景技术】
[0002] 近年来，触控技术已经被广泛的使用在智能型电视、智能型手机、平板计算机、笔 记本电脑以及AI0(All-in one)计算机。目前所使用的触控技术包括电阻式、电容式、光 学式及声波式等技术，其中以电容式触控技术可薄型化和多点触控是目前市场上的主流技 术。现今为了使终端产品薄型化，使用单片式、内嵌式或ΙΤ0(氧化铟锡InSnO)薄膜等技术 薄化触控产品，已经被广泛的应用在薄膜晶体管液晶显示器（TFT-IXD)的平板显示器上。 然而，对于其他显示器薄型化的应用与开发则相当缺乏。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供可有效降低主动式固态发光显示器整体厚度的一种具有触 控功能的发光显示器。
[0004] 本发明提供一种具有触控功能的发光显示器，其包括至少一个氮化物发光二极 管、至少一个薄膜晶体管以及一个触控组件，所述氮化物发光二极管形成在一个第一基板 上，所述薄膜晶体管形成在一个第二基板上，所述触控组件包括一个导电连接层或至少一 个图案化导线，所述图案化导线设置于所述第一基板或所述第二基板上，所述导电连接层 连接所述第一基板与所述第二基板，使所述氮化物发光二极管与所述薄膜晶体管电性连 接。
[0005] 相较现有技术，本发明具有触控功能的发光显示器，是以所述第一基板与所述第 二基板接合时，将所述触控组件整合于所述发光显示器结构中，通过所述触控组件的所述 图案化导线直接电性连接所述基板内的所述氮化物发光二极管或所述薄膜晶体管，从而可 以有效降低所述发光显示器的厚度。
【专利附图】
【附图说明】
[0006] 图1是本发明具有触控功能的发光显示器的第一实施方式的剖视图。
[0007] 图2是图1具有触控功能的发光显示器的第二实施方式的剖视图。
[0008] 图3是图1具有触控功能的发光显示器的第三实施方式的剖视图。
[0009] 图4是图1具有触控功能的发光显示器的第四实施方式的剖视图。
[0010] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种具有触控功能的发光显示器，其包括至少一个氮化物发光二极管、至少一个薄 膜晶体管以及一个触控组件，所述氮化物发光二极管形成在一个第一基板上，所述薄膜晶 体管形成在一个第二基板上，所述触控组件包括一个导电连接层或至少一个图案化导线， 所述图案化导线设置于所述第一基板或所述第二基板上，所述导电连接层连接所述第一基 板与所述第二基板，使所述氮化物发光二极管与所述薄膜晶体管电性连接。
2. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述第一基板以及 所述第二基板材料是为蓝宝石、硅、硅玻璃、玻璃、氧化铝、氮化镓、氧化锌、塑料或软性基板 其中之一。
3. 如权利要求2所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述第一基板材料 是为蓝宝石或硅玻璃，所述第二基板材料是为玻璃。
4. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述第一基板表面 上设置有一个第一缓冲层，所述第一缓冲层上形成所述氮化物发光二极管。
5. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述第二基板表面 上设置有一个第二缓冲层，所述第二缓冲层上形成所述薄膜晶体管。
6. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述第一基板及所 述第二基板上的所述第一缓冲层以及所述第二缓冲层是为绝缘缓冲层，所述第一缓冲层以 及所述第二缓冲层至少其中之一的材料选自氮化铝铟镓或是氧化硅。
7. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述氮化物发光二 极管自所述第一缓冲层上，依序形成包括有一个N型半导体层、一个发光层、一个P型半导 体层、一个接触层以及一个电流扩散层，所述电流扩散层上形成一个P型电极，所述N型半 导体层的侧边形成一个N型电极。
8. 如权利要求7所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述发光层材 料是为氮化错镓铟，所述氮化错镓铟的成份标示是为：Al xGayIn(1_x_y)N，其中，0 = X = 1， 0刍y刍1。
9. 如权利要求7所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述氮化物发光二 极管发出波长在300nnT550nm的光线。
10. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述薄膜晶体管自 所述第二缓冲层上，依序设置所述薄膜晶体管具有的闸极电极，所述闸极电极上具有一个 绝缘层以及一个活性层，所述活性层上设置所述薄膜晶体管的源极电极及汲极电极。
11. 如权利要求10所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述绝缘层材料 选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钽或是钛酸锶钡，或是其中组合。
12. 如权利要求10所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述活性层是为 一个氧化物半导体，所述活性层材料是选自氧化铟镓锌、氧化铟锌铪、氧化铟锌锆、氧化铟 锌锡、氧化铟锌、氧化铝铟锌、氧化锌或氧化铝锌，或是其中组合。
13. 如权利要求12所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述活性层的材 料至少包含一个金属，所述金属选自铟、镓、铝、锌、镉、钙、钥、锡、铪、铜、钛、钡以及锆其中 之一。
14. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述薄膜晶体管包 含一个金属柱，所述金属柱设置于所述薄膜晶体管的所述源极电极或是所述汲极电极至少 其中之一，所述金属柱电连接所述氮化物发光二极管。
15. 如权利要求14所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述金属柱在接 近所述氮化物发光二极管的一侧，电性连接所述氮化物发光二极管的所述N型电极。
16. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述导电连接层选 自金属、导电氧化物、导电胶、焊接剂、纳米碳管、石墨稀材料或其中组合或其中混合。
17. 如权利要求16所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述导电连接层 选自银胶、锡秘、锡秘铜、锡秘締、锡秘硒、秘铺締、秘締硒或锡银铜。
18. 如权利要求16所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述导电连接层 是多层结构，所述导电连接层多层结构是由金属与透明导电氧化物所组成。
19. 如权利要求18所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述金属材料选 自铟、镓、铝、锌、铬、镍、钥、锡、银、金、铜、钛、铋以及钴其中之一或其中合金。
20. 如权利要求18所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述透明导电氧 化物是氧化铟锡、氧化锌锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化铟锌锡、氧化铟镓锌、氧化铟锌铪、氧 化铟锌锆。
21. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述触控组件的所 述图案化导线设置在所述第一基板或是所述第二基板的不同表面上。
22. 如权利要求21所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述触控组件是 由所述第一基板或所述第二基板内侧表面上具有的一个第一图案化导线与所述第一基板 或所述第二基板外侧表面上具有的一个第二图案化导线所组成。
23. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述触控组件的所 述图案化导线设置在所述第一基板与所述薄膜晶体管之间，所述触控组件由所述第一基板 内侧表面上具有的所述第一图案化导线与位于所述薄膜晶体管与所述第一基板之间的所 述第二图案化导线所组成。
24. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述触控组件由形 成在所述第二基板内侧面上的所述图案化导线与所述导电连接层组成。
25. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述图案化导线选 自金属、导电氧化物、纳米碳管、石墨稀材料或其中组合。
26. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述图案化导线选 自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌或氧化锌。
27. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述氮化物发光二 极管与所述薄膜晶体管分别位于所述第一基板与所述第二基板的同侧，通过所述导电连接 层在所述氮化物发光二极管的所述P型电极与所述薄膜晶体管的所述源极电极或所述汲 极电极间进行相对性的电路接合。
28. 如权利要求1所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述发光显示器进 一步包括一个荧光层，所述荧光层设置于所述发光显示器的内部或外部。
29. 如权利要求28所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述荧光层设置 于所述发光显示器的内部时，所述第一基板或所述第二基板的外侧表面上设置一个反射 层。
30. 如权利要求28所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述荧光层位于 所述氮化物发光二极管的发光路径上，吸收所述氮化物发光二极管所发出的光线，转换为 另一个波长的光。
31.如权利要求28所述的具有触控功能的发光显示器，其特征在于：所述荧光层吸收 所述氮化物发光二极管所发出的一部分光线，转换为另一个波长的光线，所述另一个波长 光线再与所述氮化物发光二极管未被吸收的光线混合成为一个多波长光线。
【文档编号】G06F3/041GK104281305SQ201310287967
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月10日 优先权日:2013年7月10日
【发明者】曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司