一种触控面板及其制作方法
【专利摘要】本发明适用于触控【技术领域】，提供了一种触控面板，包括玻璃基板、五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，于二氧化硅膜层的表面设有透明电极图形，五氧化二铌膜层的厚度为二氧化硅膜层的厚度为玻璃基板、五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层对可见光的总透过率大于93％，玻璃基板、五氧化二铌膜层、二氧化硅膜层及透明电极图形的透过率与该透过率相差1％以内。现有技术中触控面板(非ITO区域)对可见光的透过率为90％，ITO区域对可见光的透过率为89.5％～90.5％，虽然实现了消影功能，但整体透过率偏低，本发明在保证消影效果的同时增加了3％以上的透过率，使触控面板的亮度明显增大，提升了视觉效果。
【专利说明】-种触控面板及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于触控【技术领域】，特别设及一种触控面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上锻一层透明的薄膜导体层，再在导体层 外加上一块保护玻璃，双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。随着人们对触摸屏产品透 光性的要求越来越高，能够提升产品透过率的增透膜也在不断开发和研究，现有技术主要 是通过真空蒸锻氣化儀（M评2)作为增透膜来提升产品的透过率，但是对于固定膜厚的氣 化儀膜，通常仍有部分光能量被反射，再加之对于其它波长的光，给定膜层的厚度不是该些 光在薄膜中的波长的1/4,增透效果较差。在通常情况下，入射光为白光，增透膜只能对一 定波长的光起到增透作用，其他波长的光反射率仍然较高。另外，触摸屏的玻璃基板表面设 置ITO线路，单面ITO玻璃反射率较高，会出现ITO底影，为了消除底影，通常增加消影层， 而该消影层的增加也降低了整个面板的透过率。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的在于提供一种触控面板，使之既能够消除电极底影又可W增加面板 的透光率。
[0004] 本发明是该样实现的，一种触控面板，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一表面依 次叠层设置五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层，于所述二氧化娃膜层的表面设有透明电极图 形，所述五氧化二魄膜层的厚度为80?160A，所述二氧化娃膜层的厚度为300?400A，所述 玻璃基板、五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层对可见光的总透过率大于93%，所述玻璃基板、 五氧化二魄膜层、二氧化娃膜层及透明电极图形对可见光的总透过率与所述玻璃基板、五 氧化二魄膜层和二氧化娃膜层对可见光的总透过率相差1% W内。
[0005] 本发明的另一目的在于提供一种触控面板的制作方法，至少包括下述步骤：
[0006] 在玻璃基板的一表面沉积厚度为80?160A的五氧化二魄膜层，并且保证成膜时 分子间，分子团间无工艺气体分子，形成第一层增透层；
[0007] 在所述五氧化二魄膜层之上沉积厚度为300?400A的二氧化娃膜层，并且保证成 膜时分子间，分子团间无工艺气体分子，形成第二层增透层；
[000引在二氧化娃膜层之上形成透明电极图形。
[0009] 所述玻璃基板、五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层对可见光的总透过率大于93%， 所述玻璃基板、五氧化二魄膜层、二氧化娃膜层及透明电极图形对可见光的总透过率与所 述玻璃基板、五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层对可见光的总透过率相差1% W内。
[0010] 本发明在玻璃基板上设置上述厚度的五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层，其透过率 可达93 % W上，而ITO区域的透过率也达到92 % W上，两处透过率相差1 % W内，在实现消 影的同时具有较高的透过率。现有技术中触控面板（非ITO区域）对可见光的透过率为 90%，ITO区域对可见光的透过率为89. 5%?90. 5%，虽然实现了消影功能，但整体透过率 偏低，亮度不够，本发明在保证消影效果的同时增加了 3% W上的透过率，使触控面板的亮 度明显增大，提升了视觉效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1是本发明实施例提供的触控面板的结构示意图；
[0012] 图2是本发明实施例提供的触控面板的增透原理图；
[0013] 图3是本发明实施例提供的触控面板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0014] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，W下结合附图及实施例，对 本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用W解释本发明，并 不用于限定本发明。
[0015] W下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：
[0016] 请参考图1，本发明实施例提供一种触控面板，该触控面板至少包括一玻璃基板 101，在该玻璃基板101的一表面依次叠层设置第一增透层一五氧化二魄膜层102,和第二 增透层一二氧化娃膜层103,该五氧化二魄膜层102和二氧化娃膜层103作为增透膜同时 又具有消影功能，在二氧化娃膜层103的表面设有透明电极图形104,该透明电极图形104 通常为ITO电极图形。五氧化二魄膜层102和二氧化娃膜层103构成增透膜，其中的五氧 化二魄膜层102的厚度为80?160A，进一步优选为130 ± 20A。二氧化娃膜层103的厚度为 300?400A，其中，玻璃基板101、五氧化二魄膜层102和二氧化娃膜层103对可见光的总透 过率可W达到93 % W上，而玻璃基板101、五氧化二魄膜层102、二氧化娃膜层103及透明电 极图形104对可见光的总透过率也能达到92% W上，与玻璃基板101、五氧化二魄膜层102 和二氧化娃膜层103对可见光的总透过率相差1 % W内。
[0017] 作为一种实施例，玻璃基板101、五氧化二魄膜层102和二氧化娃膜层103对可见 光的总透过率为93 %?94%，而玻璃基板101、五氧化二魄膜层102、二氧化娃膜层103及 透明电极图形104对可见光的总透过率为92. 5%?93. 5%，二者的透过率相差1 % W内，保 证触控面板的IT0底影被消除，且具有较高的亮度。
[001引进一步参考图2,五氧化二魄膜层102作为第一层增透层，其厚度控制在 80?1 60A，针对460?760皿的可见光，其厚度约为该波段可见光在五氧化二魄膜层102 中波长的1/4,另外，由于光在不同介质表面反射时会产生31的相位跃变，因此可见光L0经 过五氧化二魄膜层102反射后的光束L1和经过五氧化二魄膜层102并由二氧化娃膜层103 反射后的光束L2之间产生JT的相位差，实现反射光的相消，即增透效果。对于无法通过五 氧化二魄膜层102实现增透的波段，可W通过对二氧化娃膜层103的厚度进行合理设置，使 该波段经过二氧化娃膜层103和五氧化二魄膜层102后出射的光L3与被五氧化二魄膜层 102反射的同波段光相消，实现该波段的增透效果。该样，可见光全波段都可W经过五氧化 二魄膜层102和二氧化娃膜层103实现增透。同时，该五氧化二魄膜层102和二氧化娃膜 层103对IT0电极图案进行消影，因此该增透膜在实现消影的同时提高了透过率。
[0019] 现有技术采用五氧化二魄膜层进行消影时，触控面板（非IT0区域）对可见光的 总透过率为90%，带有ITO的区域对可见光的总透过率为89. 5%?90. 5%，虽然实现了消 影功能，但整体透过率偏低，亮度不够，视觉效果不佳，而本实施例采用上述五氧化二魄膜 层和二氧化娃膜层作为增透膜，在实现消影的同时增加了 3% W上的透过率，使触控面板亮 度明显增大，提升了视觉效果。
[0020] 本发明实施例进一步提供一种制作上述触控面板的制作方法，其至少包括下述步 骤，如图3 ;
[002U 在步骤S101中，在玻璃基板101的一表面沉积厚度为80?160A的五氧化二魄膜 层102,并且保证成膜时分子间，分子团间无工艺气体分子，形成第一层增透层；
[0022] 在步骤S102中，在五氧化二魄膜层102之上沉积厚度为300?400A的二氧化娃膜 层103,并且保证成膜时分子间，分子团间无工艺气体分子，形成第二层增透层；
[0023] 在步骤S103中，在二氧化娃膜层103之上形成透明电极图形104。
[0024] 具体的，本实施例通过下述工艺方法制备该增透膜，采用立式全自动连续磁控 瓣射锻膜机进行锻膜，锻膜时在魄、娃祀腔体中通入02、Ar工艺气体，02流量为100? 130Sccm、Ar流量为200?220Sccm，锻膜真空度为2. 0 X 1〇-中a?3. 0 X 1〇-中a之间，锻膜 室传动节拍为100?120秒，魄、娃瓣射功率为5KW?5. 5KW，锻膜电压为380V?420V，锻 膜温度为250°C?280°C，基板温度控制在150°C?180°C，锻膜过程中保证成膜时分子间， 分子团间无工艺气体分子。
[002引经过上述工艺先锻厚度为80?160A的五氧化二魄膜层102,再锻厚度为 300?400A二氧化娃膜层103,形成双层增透膜结构，使该膜结构具有良好的光学特性，不 仅能够消除IT0底影，还可W增强透光率。
[0026] 通过上述方法制作的触控面板，玻璃基板、五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层对可 见光的总透过率为93%?94%，玻璃基板、五氧化二魄膜层、二氧化娃膜层及透明电极图 形对可见光的总透过率为92. 5%?93. 5%，与玻璃基板、五氧化二魄膜层和二氧化娃膜层 对可见光的总透过率相差1 % W内，在保证良好的消影效果的同时提高了触控面板的亮度， 进而提升了视觉效果。
[0027] W上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用W限制本发明，凡在本发明的精 神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种触控面板，其特征在于，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一表面依次叠层设置 五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，于所述二氧化硅膜层的表面设有透明电极图形，所述五 氧化二铌膜层的厚度为80?160A，所述二氧化硅膜层的厚度为300?400A，所述玻璃基 板、五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层对可见光的总透过率大于93%，所述玻璃基板、五氧化 二铌膜层、二氧化硅膜层及透明电极图形对可见光的总透过率与所述玻璃基板、五氧化二 铌膜层和二氧化硅膜层对可见光的总透过率相差1%以内。
2. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述五氧化二铌膜层的厚度为 130 ± 2〇A"
3. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二铌膜层和二氧 化硅膜层对可见光的总透过率为93 %?94 %，所述玻璃基板、五氧化二铌膜层、二氧化硅 膜层及透明电极图形对可见光的总透过率为92. 5%?93. 5%。
4. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述五氧化二铌膜层为针对波长为 460?760nm的可见光的增透层。
5. 如权利要求4所述的触控面板，其特征在于，所述五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层 构成的膜层为针对波长为460?760nm之外的可见光的增透层。
6. -种触控面板的制作方法，其特征在于，至少包括下述步骤： 在玻璃基板的一表面沉积厚度为80?160A的五氧化二铌膜层，并且保证成膜时分子 间，分子团间无工艺气体分子，形成第一层增透层； 在所述五氧化二铌膜层之上沉积厚度为300?400A的二氧化硅膜层，并且保证成膜 时分子间，分子团间无工艺气体分子，形成第二层增透层； 在二氧化硅膜层103之上形成透明电极图形； 所述玻璃基板、五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层对可见光的总透过率大于93%，所述 玻璃基板、五氧化二铌膜层、二氧化硅膜层及透明电极图形对可见光的总透过率与所述玻 璃基板、五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层对可见光的总透过率相差1%以内。
7. 如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在玻璃基板的一表面沉积厚度为 80?160A的五氧化二铌膜层的步骤具体为： 采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜时在铌靶腔体中通入02、Ar工艺 气体，02流量为100?130Sccm、Ar流量为200?220Sccm，镀膜真空度为2. 0XKT1Pa? 3.OXKT1Pa之间，镀膜室传动节拍为100?120秒，铌溅射功率为5KW?5. 5KW，镀膜电压 为 380V?420V; 在所述五氧化二铌膜层之上沉积厚度为300?400人的二氧化硅膜层的步骤具体为： 采用立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行镀膜，镀膜时在硅靶腔体中通入02、Ar工艺 气体，02流量为100?130Sccm、Ar流量为200?220Sccm，镀膜真空度为2. 0XKT1Pa? 3.OXKT1Pa之间，镀膜室传动节拍为100?120秒，硅溅射功率为5KW?5. 5KW，镀膜电压 为 380V?420V。
8. 如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述五氧化二铌膜层的厚度为 130±2〇A。
9. 如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二铌膜层和二氧 化娃膜层对可见光的总透过率为93 %?94%。
10. 如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述玻璃基板、五氧化二铌膜层、二氧 化硅膜层及透明电极图形对可见光的总透过率为92. 5%?93. 5%。
【文档编号】G06F3/044GK104503646SQ201410849559
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月30日 优先权日:2014年12月30日
【发明者】黄亮, 蒋蔚, 余汉水, 刘锡钢 申请人:深圳力合光电传感股份有限公司