1.一种存储器系统，其特征在于：能够作为使数据跨及多个半导体存储装置分散的存储阵列内的一个半导体存储装置动作，且具备：
非易失性存储器；以及
控制器，以电连接于所述非易失性存储器，执行将从主机接收的数据写入到所述非易失性存储器的写入动作的方式构成；且
所述控制器构成为，
从所述主机或所述存储阵列内的其他半导体存储装置，接收所述其他半导体存储装置的写入性能降低的通知，
基于由所述接收到的通知指定的所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，使所述写入动作的性能降低。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：
所述控制器构成为，
基于所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，来决定从所述主机写入到所述非易失性存储器的数据量与用于所述非易失性存储器的垃圾回收而复制的数据量的比率，且
为了降低所述写入动作的性能，而以所述决定的比率执行所述垃圾回收。
3.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：
所述非易失性存储器包含多个非易失性存储芯片，且
所述控制器构成为，为了降低所述写入动作的性能，而基于所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，限制并行动作的非易失性存储芯片的个数或包含第1期间和第2期间的1个周期内的所述第1期间的比例，所述第1期间是所述多个非易失性存储芯片并行动作的期间，所述第2期间是所述多个非易失性存储芯片未动作的期间。
4.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：
所述非易失性存储器包含多个非易失性存储芯片，
所述接收的通知包含表示所述其他半导体存储装置的写入性能降低的原因的原因信息，且
所述控制器构成为，
在所述原因是所述其他半导体存储装置的电力限制或垃圾回收的情况下，为使所述写入动作的性能降低，而执行所述非易失性存储器的垃圾回收，
在所述原因是用来防止所述其他半导体存储装置过热的热保护的情况下，为使所述写入动作的性能降低，而限制并行动作的非易失性存储芯片的个数或包含第1期间和第2期间的1个周期内的所述第1期间的比例，所述第1期间是所述多个非易失性存储芯片并行动作的期间，所述第2期间是所述多个非易失性存储芯片未动作的期间。
5.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于：
所述控制器构成为，在从所述主机或所述其他半导体存储装置接收到表示所述其他半导体存储装置的写入性能已恢复的通知的情况下，恢复所述写入动作的性能。
6.一种存储器系统，其特征在于：能够作为使数据跨及多个半导体存储装置分散的存储阵列内的一个半导体存储装置动作，且具备：
非易失性存储器；以及
控制器，以电连接于所述非易失性存储器，执行将从主机接收的数据写入到所述非易失性存储器的写入动作的方式构成；且
所述控制器构成为，
从所述主机或所述存储阵列内的其他半导体存储装置接收通知，该通知表示所述其他半导体存储装置的写入性能降低，且包含所述其他半导体存储装置的写入性能的降低量及所述写入性能降低的原因，
基于由所述接收到的通知指定的所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量及由所述接收到的通知指定的所述原因，执行使所述写入动作的性能降低的处理。
7.一种控制方法，其特征在于：控制存储器系统，所述存储器系统能够作为使数据跨及多个半导体存储装置分散的存储阵列内的一个半导体存储装置动作，所述控制方 法包括以下步骤：
执行将从主机接收的数据写入到非易失性存储器的写入动作；
从所述主机或所述存储阵列内的其他半导体存储装置，接收所述其他半导体存储装置的写入性能降低的通知；以及
基于由所述接收到的通知指定的所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，使所述写入动作的性能降低。
8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：
使所述写入动作的性能降低的步骤包含：
基于所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，决定从所述主机写入到所述非易失性存储器的数据量与用于所述非易失性存储器的垃圾回收而复制的数据量的比率；以及
以所述决定的比率执行所述垃圾回收。
9.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：
所述非易失性存储器包含多个非易失性存储芯片，
使所述写入动作的性能降低的步骤包含：基于所述其他半导体存储装置的所述写入性能的降低量，限制并行动作的非易失性存储芯片的个数或包含第1期间和第2期间的1个周期内的所述第1期间的比例，所述第1期间是所述多个非易失性存储芯片并行动作的期间，所述第2期间是所述多个非易失性存储芯片未动作的期间。
10.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：
所述非易失性存储器包含多个非易失性存储芯片，
所述接收的通知包含表示所述其他半导体存储装置的写入性能降低的原因的原因信息，且
使所述写入动作的性能降低的步骤包含：
在所述原因是所述其他半导体存储装置的电力限制或垃圾回收的情况下，执行所述非易失性存储器的垃圾回收；
在所述原因是用来防止所述其他半导体存储装置过热的热保护的情况下，限制并行动作的非易失性存储芯片的个数或包含第1期间和第2期间的1个周期内的所 述第1期间的比例，所述第1期间是所述多个非易失性存储芯片并行动作的期间，所述第2期间是所述多个非易失性存储芯片未动作的期间。
11.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：还具备以下步骤，在从所述主机或所述其他半导体存储装置，接收到表示所述其他半导体存储装置的写入性能已恢复的通知的情况下，使所述写入动作的性能恢复。