GF2结构触摸屏及其制造工艺的制作方法

文档序号:12469102阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种GF2结构触摸屏,其特征在于:包括,

具有A面、B面两相对表面的基材层;

以及自所述A面向外,依次叠设的曝光银胶层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层;所述B面叠设有纳米银层;或,

自所述A面向外,依次叠设的纳米银层、透明光学双面胶层、盖板玻璃层;所述B面叠设有曝光银胶层。

2.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏,其特征在于:所述曝光银胶层由银浆涂覆而成,所述银浆的粘度为100~120dpa.s;所述曝光银胶层的厚度为2~5μm。

3.如权利要求1~2任一所述的GF2结构触摸屏,其特征在于:所述纳米银层厚度为25~75μm。

4.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏,其特征在于:所述基材层的材料为PET;所述基材层的厚度为50~125μm。

5.如权利要求1所述的GF2结构触摸屏,其特征在于:所述盖板玻璃为硅酸盐玻璃中的任一种,所述盖板玻璃的厚度为0.5~0.7mm。

6.如权利要求1~5任一所述的GF2结构触摸屏的制造工艺,其特征在于:至少包括以下步骤:

对一表面叠设有纳米银层的基材进行缩水处理;

将干膜贴附于所述纳米银层表面,然后对所述基材进行片材切割处理;

对所述干膜进行曝光、显影处理;

在所述基材的另一表面进行曝光银胶的涂覆处理;

对所述曝光银胶进行预烘烤处理,获得曝光银胶层;

对所述曝光银胶层进行曝光、显影处理;

对所述曝光银胶层进行固烤处理。

7.如权利要求6所述的GF2结构触摸屏的制造工艺,其特征在于:所述缩水处理的温度为145~155℃,所述叠设有纳米银层的基材在所述缩水处理中的移动速度为1.2~1.7m/min;和/或,所述干膜曝光的光能量为45~55mj/cm2;所述曝光的光为波长在315~400nm的UV光。

8.如权利要求6所述的GF2结构触摸屏的制造工艺,其特征在于:所述预烘烤的温度为100~120℃;所述基材在预烘烤中移动速度为3.0~4.0m/min;和/或,所述曝光银胶层的曝光能量为350~4505mj/cm2;所述曝光的光为波长在315~400nm的UV光。

9.如权利要求6所述的GF2结构触摸屏的制造工艺,其特征在于:所述显影中显影液的浓度为0.120%~0.150%,所述显影速度为3.0~5.0m/min;和/或,所述固烤温度为135~145℃;所述固烤时间为50~70min。

10.如权利要求6所述的GF2结构触摸屏的制造工艺,其特征在于:还包括在所述曝光银胶层表面或纳米银层表面贴附透明光学双面胶;以及,在所述透明光学双面胶表面贴附盖板玻璃。

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