触控面板及其制备方法与流程

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种触控面板及其制备方法。

背景技术：

触摸屏是允许用户直接用手或物体，通过选择显示在图像显示器等的屏幕上的指令内容来输入用户的指令的输入设备，用户用手或物体直接与触摸屏接触时，触摸屏检测到触摸点并根据所选图标对应的指令来驱动显示装置，以实现特定的显示。

传统的触摸显示屏一般由显示层(Display layers)和触控层构成。其中，位于显示层的，比如可以是液晶(Liquid Crystal Display，LCD)结构或有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)结构；位于触控层的，是触控面板(或称触控结构)。

针对触控面板而言，参考图1中所示，现有技术中的触控面板包括基板1、位于基板上的金属布线2和用于隔离金属布线2的介质层3、位于介质层3上且与金属布线2电性连接的透明电极4以及覆盖透明电极4和金属布线2的覆盖层5。从图1中可知，触控面板通常包括多层结构，使得触控面板的厚度较大，并且，使得触控面板中光的透过率较低，这也就使得触摸屏的可见度较低，影响用户体验。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种触控面板及其制备方法，解决现有技术中触控面板厚度较大且光的透过率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种触控面板的制备方法，包括：

提供一基板；

在部分所述基板上形成金属布线；

形成介质层，所述介质层覆盖所述金属布线的侧壁及部分顶壁，且暴露出所述金属布线的边缘；

形成透明电极，所述透明电极覆盖部分所述介质层、剩余的所述基板及剩余的所述金属布线，且暴露出所述金属布线上的介质层的边缘；

形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述透明电极及剩余的所述介质层。

可选的，所述基板为玻璃基板或聚酰亚胺基板。

可选的，所述透明电极为氧化铟锡或氧化铟锌，所述透明电极的厚度为200nm～1000nm。

可选的，形成所述介质层的步骤包括：

形成光阻，所述光阻覆盖所述金属布线的边缘及部分所述基板，且暴露出所述金属布线周围的另一部分基板；

沉积介质层，所述介质层覆盖围绕所述金属布线侧壁的所述另一部分基板及剩余的所述金属布线；以及

去除所述光阻。

可选的，形成所述介质层的步骤包括：

形成介质层，所述介质层覆盖所述金属布线及所述基板；

形成光阻，所述光阻覆盖所述金属布线周围的部分所述介质层及部分所述金属布线；

以所述光阻为掩膜刻蚀所述介质层，保留所述金属布线周围的部分所述介质层及部分所述金属布线上的所述介质层；以及

去除所述光阻。

可选的，所述介质层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其组合。

可选的，采用化学气相沉积工艺形成所述介质层，所述介质层的厚度为200nm～500nm。

可选的，围绕所述金属布线的侧壁的介质层的宽度为1.0μm～10μm。

可选的，所述覆盖层为聚酰亚胺材料。

相应的，本发明还提供一种触控面板，包括：

基板；

位于部分所述基板上的金属布线；

介质层，所述介质层围绕所述金属布线的侧壁及部分顶壁，且暴露出所述金属布线的边缘；

透明电极，所述透明电极覆盖部分所述介质层、剩余的所述基板及剩余的所述金属布线，且暴露出所述金属布线上的介质层的边缘；以及

覆盖层，所述覆盖层覆盖所述透明电极及剩余的所述介质层。

与现有技术相比，本发明的触控面板及其制备方法具有以下有益效果：

本发明中，所述介质层围绕所述金属布线的侧壁，所述透明电极覆盖所述介质层、剩余的所述基板及部分所述金属布线，使得部分基板上仅包括透明电极和覆盖层，不包括介质层，从而降低触控面板的厚度。并且，透明电极覆盖部分基板，增加触控面板的光的透过率，提高触控面板的可见度。

附图说明

图1为现有技术中触控面板的结构示意图；

图2为本发明一实施例中触控面板制备方法的流程图；

图3为本发明一实施例中基板与金属布线的结构示意图；

图4为本发明一实施例中光阻的结构示意图；

图5为本发明一实施例中介质层的结构示意图；

图6为本发明另一实施例中光阻与介质层的结构示意图；

图7为本发明一实施例中透明电极的结构示意图；

图8为本发明一实施例中覆盖层的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的触控面板及其制备方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种触控面板及其制备方法，所述介质层围绕所述金属布线的侧壁，所述透明电极覆盖所述介质层、剩余的所述基板及部分所述金属布线，使得部分基板上仅包括透明电极和覆盖层，不包括介质层，从而降低触控面板的厚度。并且，透明电极覆盖部分基板，增加触控面板的光的透过率，提高触控面板的可见度。

下文结合附图2至图8对本发明的触控面板及其制备方法进行具体的说明，图2为触控面板制备方法的流程示意图，图3至图8为各步骤对应的剖面结构示意图。

首先，执行步骤S1，参考图3所示，提供一基板10。本实施例中，所述基板10可以是刚性基板，也可以是柔性基板。进一步的，所述基板10可以为玻璃基板、BT(双马来酰亚胺改性三嗪树脂)基板或PI(聚酰亚胺)基板等现有技术中公知的可以作为基板的结构，本发明中对此不予限制。

接着，执行步骤S2，继续参考图3所示，在部分所述基板10上形成金属布线20，即，在所述基板10的部分区域上形成金属布线20。其中，金属布线20可以全部位于基板的中心区域，当然，金属布线20还可以全部位于基板10的边缘区域，亦或是，一部分金属布线20位于基板的部分中心区域，另一部分金属布线20位于基板的部分边缘区域，此为根据实际的电路结构进行的设置，本发明对此不予限制。本实施例中，采用物理气相沉积工艺比如溅射工艺形成所述金属布线20，当然也可以采用蒸发工艺形成所述金属布线20。所述金属布线20可以为铜金属线、铝金属线、金金属线或银金属线的一种，也可以是由铜、铝、金等金属的合金制成所述金属布线。本实施例中，所述金属布线20用于形成电容式传感器的一个电极，使得与操作者的手指之间形成电容，通过检测检测的变化感应触控的位置。

之后，执行步骤S3，形成介质层，所述介质层围绕所述金属布线20的侧壁及部分所述金属布线20的顶壁，暴露出金属布线20的边缘区域，并且，暴露出部分所述基板10。

本实施例中形成所述介质层的具体步骤包括：

子步骤1：参考图4所示，形成光阻30，所述光阻30覆盖所述金属布线20的边缘及部分所述基板10，且暴露出金属布线20的中间区域及所述金属布线20周围的另一部分基板10，可采用旋涂工艺形成所述光阻；

子步骤2：参考图5所示，沉积介质层40，所述介质层40覆盖暴露出的所述另一部分基板及剩余的所述金属布线，所述介质层40围绕所述金属布线20的侧壁，并覆盖所述金属布线的中间区域；

子步骤3：继续参考图5所示，去除所述光阻30，可采用等离子体灰化工艺去除所述光阻30。

本实施例中，所述介质层40可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其组合，可以采用化学气相沉积工艺(CVD)形成所述介质层40，所述介质层40的厚度为200nm～500nm，例如，厚度可以为300nm、350nm、400nm等。此外，参考图4和图5中所示，所述介质层40的宽度d是均匀的(即金属布线20外围的介质层40是等宽度的)，其中，d的范围在1.0μm～10μm之间，例如，介质层40的宽度d为2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm。需要说明的是，所述介质层40围绕所述金属布线20的侧壁，使得后续形成的所述透明电极直接覆盖剩余的所述基板，从而部分基板上仅包括透明电极和覆盖层，而不包括介质层40，从而降低透明电极的厚度，减小触控面板的厚度。进一步的，透明电极直接覆盖基板，从而增加触控面板的光的透过率，提高触控面板的可见度。

此外，在本发明的其他实施例中，形成所述介质层的具体步骤还可以包括：

子步骤1’：参考图6所示，形成介质层40’，所述介质层40’覆盖所述金属布线20及所述基板10，同样的，可以采用采用化学气相沉积工艺形成介质层40’，所述介质层40可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其组合，所述介质层40的厚度为200nm～500nm，例如，厚度可以为300nm、350nm、400nm等；

子步骤2’：继续参考图6所示，形成光阻30’，所述光阻30’覆盖所述金属布线20周围的部分所述介质层40’以及金属布线20的部分顶壁，暴露出金属布线顶壁的边缘区域；

子步骤3’：以所述光阻30’为掩膜刻蚀所述介质层40’，保留所述金属布线20周围的部分所述介质层40’及金属布线中间区域的部分介质层40’，即，未被所述光阻30’覆盖的介质层均被去除；所述介质层40’的宽度d’为1.0μm～10μm，例如，介质层40的宽度d’为2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm；

子步骤4’，去除所述光阻30’，即形成了如图5所示的结构。

接着，执行步骤S4，参考图7所示，形成透明电极50，所述透明电极50覆盖金属布线20侧壁处的部分所述介质层40、金属布线20上的部分所述介质层40、剩余的所述基板10及剩余的所述金属布线20。本发明中，透明电极50直接与部分基板接触，增加了基板的透光率，并与金属布线20电性连接。本实施例中，所述透明电极50例如为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，所述透明电极50的厚度为200nm～1000nm，例如，厚度为30nm、500nm、700nm、900nm等。

接着，执行步骤S5，参考图8所示，形成覆盖层60，所述覆盖层60覆盖所述透明电极50及剩余的所述介质层40。本实施例中，所述覆盖层60用于保护下方的透明电极50及金属布线20，所述覆盖层60优选为聚酰亚胺材料等透明材料，从而进一步的保证触控基板的透光率。

相应的，作为本发明的另一面，本发明还提供一种触控面板，参考图8所示，所述触控面板包括：

基板10；

位于部分所述基板10上的金属布线20；

介质层40，所述介质层40围绕所述金属布线20的侧壁及部分顶壁，且暴露出金属布线顶壁的边缘；

透明电极50，所述透明电极50覆盖部分所述介质层40、剩余的所述基板10及剩余的所述金属布线20，且暴露出金属布线上方介质层顶壁的边缘；以及

覆盖层60，所述覆盖层60覆盖所述透明电极50及剩余的所述介质层。

需要说明的是，所述介质层40围绕所述金属布线20的侧壁，使得后续形成的所述透明电极直接覆盖剩余的所述基板，从而部分基板上仅包括透明电极和覆盖层，而不包括介质层40，从而降低透明电极的厚度，减小触控面板的厚度。进一步的，透明电极直接覆盖基板，从而增加触控面板的光的透过率，提高触控面板的可见度。

综上所述，本发明提供的触控面板及其制备方法中，提供一种触控面板及其制备方法，所述介质层围绕所述金属布线的侧壁，所述透明电极覆盖所述介质层、剩余的所述基板及部分所述金属布线，使得部分基板上仅包括透明电极和覆盖层，不包括介质层，从而降低触控面板的厚度。并且，透明电极覆盖部分基板，增加触控面板的光的透过率，提高触控面板的可见度。

本说明书中实施例采用递进的方式描述，对于实施例公开的结构而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。