本发明涉及显示触控技术领域，尤其涉及一种像素电路、阵列基板、显示面板及其驱动方法。
背景技术
目前，光感内嵌式触控(incelltouch)技术已经成功应用在液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)中。光感触控不仅具有与电容式触控方式同样的触控灵敏度和功能，而且光感触控不受屏幕尺寸的限制，在大尺寸触控方面占有一席之地。另外基于光感触控，不仅可以通过手指直接触控，还可以使用激光笔直接远距离触控。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种像素电路、阵列基板、显示面板及其驱动方法，可将光感incelltouch技术整合于amoled显示器中。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种像素电路，包括：重置子电路、光感触控子电路、数据写入子电路、驱动子电路、发光控制子电路和发光器件。
所述重置子电路，连接所述光感触控子电路、所述驱动子电路、使能信号端和初始电压端，配置为在来自所述使能信号端的使能信号的控制下，通过所述初始电压端提供的电压对所述光感触控子电路和所述驱动子电路进行重置。
所述光感触控子电路，还连接第一扫描端、第二扫描端、数据信号端和读取信号线，配置为在来自所述第一扫描端的第一扫描信号和来自所述数据信号端的数据信号的控制下，根据光照强度生成检测信号；并在来自所述第二扫描端的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过所述读取信号线输出。
所述数据写入子电路，连接所述驱动子电路、所述第一扫描端和所述数据信号端，配置为在来自所述第一扫描端的第一扫描信号的控制下，将来自所述数据信号端的数据信号写入至所述驱动子电路，并对所述驱动子电路进行阈值电压的补偿。
所述发光控制子电路，连接所述驱动子电路、第一电压端、发光器件和所述第二扫描端，配置为在来自所述第二扫描端的第二扫描信号的控制下，使所述驱动子电路与第一电压端连接，并使所述驱动子电路与所述发光器件连接，以使得所述驱动子电路驱动所述发光器件发光。
在一些实施例中，所述光感触控子电路包括光感触控采集子电路和输出子电路；所述光感触控采集子电路，连接所述第一扫描端和所述数据信号端，配置为在来自所述第一扫描端的第一扫描信号和来自所述数据信号端的数据信号的控制下，根据光照强度生成检测信号；所述输出子电路，连接所述光感触控采集子电路、所述第二扫描端和所述读取信号线，配置为在来自所述第二扫描端的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过所述读取信号线输出。
在一些实施例中，所述重置子电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述使能信号端连接，第一极与所述驱动子电路和所述初始电压端连接，第二极与所述驱动子电路连接；所述第二晶体管的栅极与所述使能信号端连接，第一极与所述光感触控子电路连接，第二极与所述初始电压端连接。
在一些实施例中，所述光感触控采集子电路包括第三晶体管、感光晶体管和第二电容；所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描端连接，第一极与所述数据信号端连接，第二极与所述感光晶体管的第一极连接；所述感光晶体管的栅极与所述感光晶体管的第一极连接，第二极与所述输出子电路连接；所述第二电容的一端与所述感光晶体管的第二极连接，另一端与所述感光晶体管的栅极连接。
在一些实施例中，所述输出子电路包括第四晶体管；所述第四晶体管的栅极与所述第二扫描端连接，第一极与所述光感触控采集子电路连接，第二极与所述读取信号线连接。
在一些实施例中，所述数据写入子电路包括第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极与所述第一扫描端连接，第一极与所述数据信号端连接，第二极与所述驱动子电路连接；所述第六晶体管的栅极与所述第一扫描端连接，第一极和第二极均与所述驱动子电路连接。
在一些实施例中，所述发光控制子电路包括第七晶体管和第八晶体管；所述第七晶体管的栅极与所述第二扫描端连接，第一极与所述第一电压端连接，第二极与所述驱动子电路连接；所述第八晶体管的栅极与所述第二扫描端连接，第一极与所述驱动子电路连接，第二极与所述发光器件连接。
在一些实施例中，所述驱动子电路包括驱动晶体管和第一电容；所述驱动晶体管的栅极与所述重置子电路和所述数据写入子电路连接，第一极与所述发光控制子电路和所述数据写入子电路连接，第二极与所述发光控制子电路和所述数据写入子电路连接；所述第一电容的一端与所述驱动晶体管的栅极连接，另一端与所述重置子电路和所述初始电压端连接。
第二方面，提供一种阵列基板，包括tft背板；所述tft背板包括衬底、设置于所述衬底上的所述像素电路中的重置子电路、光感触控子电路、数据写入子电路、驱动子电路、发光控制子电路；所述像素电路中的发光器件设置于所述tft背板上，且所述发光器件为顶发光器件。
在一些实施例中，所述光感触控子电路包括感光晶体管；在设置所述像素电路的子像素区域，所述阵列基板还包括设置于所述tft背板与所述发光器件之间的遮光层；所述遮光层包括露出所述感光晶体管的镂空区域。
在一些实施例中，所述遮光层与所述tft背板之间设置有平坦层；所述平坦层的厚度在1.5～2.5μm。
在一些实施例中，所述重置子电路包括第一晶体管和第二晶体管、所述光感触控子电路包括第三晶体管、第四晶体管和感光晶体管、所述数据写入子电路包括第五晶体管和第六晶体管、所述发光控制子电路包括第七晶体管和第八晶体管、所述驱动子电路包括驱动晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述感光晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管和所述驱动晶体管均为多晶硅晶体管。
在一些实施例中，所述发光器件包括依次设置于所述tft背板上的阳极、有机材料功能层和阴极；所述阴极为金属材料。
在一些实施例中，所述阵列基板的显示区划分为若干区域，每个区域包括多个亚像素，不同区域中所述亚像素的个数相同且排布方式相同；其中，每个区域中位于相同位置处的一个亚像素包括所述像素电路。
第三方面，提供一种显示面板，包括所述的阵列基板。
第四方面，提供一种显示面板的驱动方法，用于驱动所述显示面板；所述显示面板的驱动方法包括：在一帧第一阶段，重置子电路在来自使能信号端的使能信号的控制下，通过初始电压端提供的电压对所述光感触控子电路和所述驱动子电路进行重置；在一帧的第二阶段，数据写入子电路在来自第一扫描端的第一扫描信号的控制下，将来自数据信号端的数据信号写入至驱动子电路，并对所述驱动子电路进行阈值电压的补偿；并且，光感触控子电路在来自所述第一扫描端的第一扫描信号的控制下，将来自数据信号端的数据信号转换为电压差并存储，以在第三阶段维持所述光感触控子电路中感光晶体管的开启；在一帧的第三阶段，发光控制子电路在来自第二扫描端的第二扫描信号的控制下，使所述驱动子电路与第一电压端连接，并使所述驱动子电路与发光器件连接，以使得所述驱动子电路驱动所述发光器件发光；并且，所述光感触控子电路在来自所述第二扫描端的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过读取信号线输出。
本发明的实施例提供一种像素电路、阵列基板、显示面板及其驱动方法，一方面，通过使数据写入子电路在第一扫描端的控制下，将来自数据信号端的数据信号写入至驱动子电路，并对驱动子电路进行阈值电压的补偿。在此基础上，通过使发光控制子电路在第二扫描端的控制下，使驱动子电路与第一电压端连接，使驱动子电路与发光器件连接，以使得驱动子电路驱动发光器件发光，可实现显示，且使流经发光器件的电流不受驱动子电路的阈值电压的影响，解决了由于阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。另一方面，通过使光感触控子电路在第一扫描端和数据信号端的控制下，根据光照强度生成检测信号，并在第二扫描端的控制下，将所述检测信号通过读取信号线输出，可实现光感触控。其中，光感触控子电路与数据写入子电路、发光控制子电路通过复用第一扫描端、第二扫描端和数据端，可将光感incelltouch高效整合于amoled显示中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的各子电路的结构示意图；
图4为像素电路工作过程中各个控制信号的时序图；
图5a～5c为图2所示的像素电路的、分别对应图4中p1-p3阶段的等效电路图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7为一种包括本发明实施例提供的像素电路的亚像素在阵列基板上的排布示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的驱动方法的流程示意图。
附图标记：
10-重置子电路；20-光感触控子电路；21-光感触控采集子电路；22-输出子电路；30-数据写入子电路；40-驱动子电路；50-发光控制子电路；60-tft背板；70-遮光层；701-镂空区域；80-平坦层；100-像素单元；d-发光器件；vdata-数据信号端；vint-初始电压端；em-使能信号端；s1-第一扫描端；s2-第二扫描端；rl-读取信号线；v1-第一电压端；v2-第二电压端。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
随着显示技术的发展，lcd显现出一定的局限性。而有源矩阵有机发光二极管(activematrix/organiclight-emittingdiode，amoled)显示器却由于具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，越来越受到关注，成为当今显示领域研究的热点之一。
amoled作为下一代显示技术，与lcd利用稳定的电压控制液晶的偏转实现画面的显示不同，amoled中的有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)器件属于电流驱动器件。oled器件通过电子和空穴(带正电的离子)的结合产生辐射光，即直接把电转化为光，所以显示时需要稳定的电流来控制发光。
amoled显示时由于不需要液晶作为灰阶显示的媒介，因此也就不存在光感触控影响到显示的问题。
基于此，本发明实施例提供一种像素电路，如图1所示，包括：重置子电路10、光感触控子电路20、数据写入子电路30、驱动子电路40、发光控制子电路50和发光器件d。
重置子电路10，连接光感触控子电路20、驱动子电路40、使能信号端em和初始电压端vint，配置为在来自使能信号端em的使能信号的控制下，通过初始电压端vint提供的电压对光感触控子电路20和驱动子电路40进行重置。
光感触控子电路20，还连接第一扫描端s1、第二扫描端s2、数据信号端vdata和读取信号线rl，配置为在来自第一扫描端s1的第一扫描信号和来自数据信号端vdata的数据信号的控制下，根据光照强度生成检测信号；并在来自第二扫描端s2的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过读取信号线rl输出。
数据写入子电路30，连接驱动子电路40、第一扫描端s1和数据信号端vdata，配置为在来自第一扫描端s1的第一扫描信号的控制下，将来自数据信号端vdata的数据信号写入至驱动子电路40，并对驱动子电路40进行阈值电压的补偿。
发光控制子电路50，连接驱动子电路40、第一电压端v1、发光器件d和第二扫描端s2，配置为在来自第二扫描端s2的第二扫描信号的控制下，使驱动子电路40与第一电压端v1连接，并使驱动子电路40与发光器件d连接，以使得驱动子电路40驱动发光器件d发光。
可以理解的是，发光器件d还连接第二电压端v2。其中，发光器件d的阳极与发光控制子电路50连接，阴极与第二电压端v2连接。
在一些实施例中，如图1所示，第一电压端v1可以是供电电压端elvdd，第二电压端v2可以是接地端gnd。
本发明实施例提供一种像素电路，一方面，通过使数据写入子电路30在第一扫描端s1的控制下，将来自数据信号端vdata的数据信号写入至驱动子电路40，并对驱动子电路40进行阈值电压的补偿，在此基础上，通过使发光控制子电路50在第二扫描端s2的控制下，使驱动子电路40与第一电压端v1连接，使驱动子电路40与发光器件d连接，以使得驱动子电路40驱动发光器件d发光，可实现显示，且使流经发光器件d的电流不受驱动子电路40的阈值电压的影响，解决了由于阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。另一方面，通过使光感触控子电路20在第一扫描端s1和数据信号端vdata的控制下，根据光照强度生成检测信号，并在第二扫描端s2的控制下，将所述检测信号通过读取信号线rl输出，可实现光感触控。其中，光感触控子电路20与数据写入子电路30、发光控制子电路50通过复用第一扫描端、第二扫描端和数据端，可将光感incelltouch高效整合于amoled显示中。
在一些实施例中，如图2所示，光感触控子电路20包括光感触控采集子电路21和输出子电路22。
光感触控采集子电路21，连接第一扫描端s1和数据信号端vdata，配置为在来自第一扫描端s1的第一扫描信号和来自数据信号端vdata的数据信号的控制下，根据光照强度生成检测信号。
输出子电路22，连接光感触控采集子电路21、第二扫描端s2和读取信号线rl，配置为在来自第二扫描端s2的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过读取信号线rl输出。
即，光感触控采集子电路21与数据写入子电路30复用第一扫描端s1和数据信号端vdata。输出子电路22和发光控制子电路50复用第二扫描端s2。
在一些实施例中，如图3所示，驱动子电路40包括驱动晶体管td和第一电容c1。
驱动晶体管td的栅极与重置子电路10和数据写入子电路30连接，第一极与发光控制子电路50和数据写入子电路30连接，第二极与发光控制子电路50和数据写入子电路30连接。
第一电容c1的一端与驱动晶体管td的栅极连接，另一端与重置子电路10和初始电压端vint连接。
在一些实施例中，如图3所示，光感触控采集子电路21包括第三晶体管t3、感光晶体管m和第二电容c2。
第三晶体管t3的栅极与第一扫描端s1连接，第一极与数据信号端vdata连接，第二极与感光晶体管m的第一极连接。
感光晶体管m的栅极与感光晶体管m的第一极连接，第二极与输出子电路22连接。
第二电容c2的一端与感光晶体管m的第二极连接，另一端与感光晶体管m的栅极连接。
在一些实施例中，如图3所示，输出子电路22包括第四晶体管t4。
第四晶体管t4的栅极与第二扫描端s2连接，第一极与光感触控采集子电路21连接，第二极与读取信号线rl连接。
在光感触控采集子电路21包括第三晶体管t3、感光晶体管m和第二电容c2的情况下，第四晶体管t4的第一极与光感触控采集子电路21中感光晶体管m的第二极连接。
在一些实施例中，如图3所示，重置子电路10包括第一晶体管t1和第二晶体管t2。
第一晶体管t1的栅极与使能信号端em连接，第一极与驱动子电路40和初始电压端vint连接，第二极与驱动子电路40连接。
第二晶体管t2的栅极与使能信号端em连接，第一极与光感触控子电路20连接，第二极与初始电压端vint连接。
在驱动子电路40包括驱动晶体管td和第一电容c1的情况下，第一晶体管t1的第一极与第一电容c1的另一端(即不与驱动晶体管td连接的一端)连接，第二极与驱动晶体管td的栅极连接。
在光感触控子电路20包括光感触控采集子电路21和输出子电路22的情况下，第二晶体管t2的第一极与光感触控采集子电路21连接。基于此，在光感触控采集子电路21包括第三晶体管t3、感光晶体管m和第二电容c2的情况下，第二晶体管t2的第一极与感光晶体管m的第一极连接。
在一些实施例中，如图3所示，数据写入子电路30包括第五晶体管t5和第六晶体管t6。
第五晶体管t5的栅极与第一扫描端s1连接，第一极与数据信号端vdata连接，第二极与驱动子电路40连接。
第六晶体管t6的栅极与第一扫描端s1连接，第一极和第二极均与驱动子电路40连接。
在驱动子电路40包括驱动晶体管td和第一电容c1的情况下，第五晶体管t5的第二极与驱动晶体管td的第一极连接。第六晶体管t6的第一极与驱动晶体管td的栅极连接，第二极与驱动晶体管td的第二极连接。
在一些实施例中，如图3所示，发光控制子电路50包括第七晶体管t7和第八晶体管t8。
第七晶体管t7的栅极与第二扫描端s2连接，第一极与第一电压端v1连接，第二极与驱动子电路40连接。
第八晶体管t8的栅极与第二扫描端s2连接，第一极与驱动子电路40连接，第二极与发光器件d连接。
在驱动子电路40包括驱动晶体管td和第一电容c1的情况下，第七晶体管t7的第二极与驱动晶体管td的第一极连接。第八晶体管t8的第一极与驱动晶体管td的第二极连接。
在一些实施例中，发光器件d包括发光二极管(lightemittingdiode，led)或有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)等电流驱动发光器件。以下以发光器件d为oled为例对像素电路进行说明。其它与该发光器件d功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。
需要说明的是，上述仅仅是对各子电路的举例说明，只要与各子电路功能相同的结构都属于本发明的保护范围。例如，对于驱动子电路40，在另一些实施例中，驱动晶体管td可以是并联的多个。在另一些实施例中，第一电容c1可以是并联的多个。又例如，对于光感触控子电路20，在另一些实施例中，其中光感触控采集子电路21的第三晶体管t3可以是并联的多个。在另一些实施例中，光感触控子电路20中输出子电路22的第四晶体管t4可以是并联的多个。
上述t1～t7均为开关晶体管，对于任一开关晶体管，不对其第一极、第二极进行限定。在一些实施例中，第一极是漏极，第二极是源极。在另一些实施例中，第一极是源极，第二极是漏极。
其中，本发明所采用的开关晶体管可以是p型晶体管，也可以是n型晶体管。p型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止。n型开关晶体管在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
对于驱动晶体管td而言，在一些实施例中，驱动晶体管td为p型驱动晶体管。由于p型驱动晶体管的源极电压高于漏极电压，因此，驱动晶体管td的第一极为源极，第二极为漏极。p型驱动晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅源的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态。在另一些实施例中，驱动晶体管td为n型晶体管，驱动晶体管td的第一电极为漏极，第二电极为源极。n型驱动晶体管在栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)，且栅源的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态。
对于感光晶体管m，在一些实施例中，感光晶体管m为n型感光晶体管。在另一些实施例中，感光晶体管m为p型感光晶体管。
当图3中的晶体管t1～t7以及驱动晶体管td均为p型晶体管，感光晶体管m为n型晶体管时，结合如图4所示的时序图，对如图3所示的像素电路的工作过程进行详细的描述。
在第一阶段p1，图3所示的像素电路的等效电路图如图5a所示。在所有等效电路图中，处于截止状态的晶体管以“×”表示。
从使能信号线向使能信号端em输入信号，第一晶体管t1和第二晶体管t2导通。
其中，第一晶体管t1导通，将第一电容c1两端的电压放电到初始电压端vint的电压(也可以为gnd)，将之前存储于第一电容c1的电压进行重置。
第二晶体管t2导通，将感光晶体管m和第二电容c1重置。
在第二阶段p2，图3所示的像素电路的等效电路图如图5b所示。
从第一扫描信号线向第一扫描端s1输入信号，第五晶体管t5和第六晶体管t6导通，同时，第三晶体管t3和感光晶体管m导通。
其中，第五晶体管t5导通，使来自数据电压端vdata的数据信号传输至驱动晶体管td的第一极，使驱动晶体管td导通。驱动晶体管td的导通，使得所述数据信号通过驱动晶体管td和导通的第六晶体管t6传输至驱动晶体管td的栅极，以对第一电容c1进行充电。直至第一电容c1与驱动晶体管td的栅极连接的一端充电至vdata+vth，由于此时驱动晶体管td的栅源的压差为vth，因此，驱动晶体管td截止。在此过程中，由于第一电容c1的另一端连接初始电压端vint，使得第一电容c1的另一端电压始终为0。所以当充电完毕后，第一电容c1与驱动晶体管td的栅极连接的一端的电位一直维持在vdata+vth。
由于在第二阶段p2，第八晶体管t8处于截止装置，使得驱动晶体管td产生的电流不会流到发光器件d，可降低功耗。
第三晶体管t3导通，使来自数据电压端vdata的数据信号传输至感光晶体管m的第一极，而由于感光晶体管m的第一极和栅极连接，因而使得感光晶体管m导通。并且，感光晶体管m经过自身电势转换，在栅极和第二极之间形成电压差存储于第二电容c2。
在第三阶段p3，图3所示的像素电路的等效电路图如图5c所示。
从第二扫描信号线向第二扫描端s2输入信号，第七晶体管t7和第八晶体管t8导通，同时，第四晶体管t4和感光晶体管m导通。
其中，第七晶体管t7和第八晶体管t8导通，使驱动晶体管td的第一极与第一电压端v1连接，驱动晶体管td的第二极与发光器件d连接，以使得驱动电流流过发光器件d，发光器件d发光。
由驱动晶体管td饱和电流公式可以得到：
ids＝1/2×k×(vgs-vth)2
＝1/2×k×(vdata+vth-v1-vth)2
＝1/2×k×(v1-vdata)2。
其中，k＝w/l×c×u，w/l为驱动晶体管td的宽长比，c为沟道绝缘层电容，u为沟道载流子迁移率。
由此可知，驱动晶体管td的驱动电流已经不受vth的影响，只与vdata有关。彻底解决了驱动晶体管td由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压(vth)漂移的问题，消除其对驱动电流的影响，保证oled的正常工作。
由于第二电容c2的存在，在第三阶段p3中，可使感光晶体管m保持导通。在此阶段，若有触控发生，则在触控位置发光器件d产生的光线经手指的反射而照射至感光晶体管m上，感光晶体管m产生电流。该电流经导通的第四晶体管t4传输至读取信号线rl。读取信号线rl将此信号传送到末端的放大器，放大后给处理器进行数据计算分析。
处理器可将触控前后感光晶体管m产生电流的变化差值与阈值进行比较，依此判断是否有触控。触控位置可由与第一信号端s1连接的第一扫描线和读取信号线tl交叉确定。即，触控位置的x坐标由第一扫描线确定，y方向坐标由读取信号线tl确定。
本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括tft背板；所述tft背板包括衬底、设置于衬底上的上述像素电路中的重置子电路10、光感触控子电路20、数据写入子电路30、驱动子电路40、发光控制子电路50；所述像素电路中的发光器件d设置于tft背板上，且发光器件d为顶发光器件。
即，在制备阵列基板时，先形成tft背板，而tft背板包括像素电路中除发光器件d外的其余部分。在tft背板制作完成后，在tft背板上再形成像素界定层、发光器件d等。像素界定层用于划分出各子像素区域，每个发光器件d形成在一个子像素区域。
在一些实施例中，发光器件d至少包括依次设置于tft背板上的阳极、有机材料功能层和阴极。阳极与第八晶体管t8的第二极连接。在另一些实施例中，有机材料功能层包括发光层、空穴传输层和电子传输层。此外，有机材料功能层还可以包括空穴注入层和电子注入层。
在一些实施例中，为提高发光器件d的光出射量，阴极的材料可采用金属材料，从而形成微腔效应。需要说明的是，由于发光器件d为顶发光器件，因而，阴极的厚度比较小，以使光可以射出。
本发明实施例提供的阵列基板，具有与上述像素电路相同的有益效果，在此不再赘述。
在一些实施例中，光感触控子电路20包括感光晶体管m；基于此，如图6所示，在设置所述像素电路的子像素区域，所述阵列基板还包括设置于tft背板60与发光器件d之间的遮光层70；遮光层70包括露出感光晶体管m的镂空区域701。
需要说明的是，图6中示意出的驱动晶体管td为多晶硅型晶体管。其中，有源层靠近衬底设置，栅极设置于有源层上，在栅极上还设置有对置电极，该对置电极用于与栅极形成第一电容c1，之后形成源极和漏极。
通过在设置所述像素电路的子像素区域设置遮光层70，并使遮光层70的镂空区域701露出感光晶体管m，可使该遮光层70起到聚光的作用，从而起到增加触控信号量的效果。
在此基础上，遮光层70与tft背板60之间设置有平坦层80；平坦层80的厚度在1.5～2.5μm。这样一来，可降低遮光层70与tft背板60上的电极以及信号线等的寄生电容。
需要说明的是，为了保证后续形成发光器件d时，发光器件d形成在平坦区域，从而保证发光器件d的性能，在遮光层70与发光器件d之间还形成另一平坦层。
在一些实施例中，遮光层70与tft背板60上的信号线(包括数据线、扫描线、使能控制线等)尽量错开设置。即，遮光层70在衬底上的正投影与信号线在衬底上的正投影无交叠。从而减小信号线的负载。
在重置子电路10包括第一晶体管t1和第二晶体管t2、光感触控子电路20包括第三晶体管t3、第四晶体管t4和感光晶体管m、数据写入子电路30包括第五晶体管t5和第六晶体管t6、发光控制子电路50包括第七晶体管t7和第八晶体管t8、驱动子电路40包括驱动晶体管td的情况下，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、感光晶体管m、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8和驱动晶体管td均为多晶硅晶体管。
在一些实施例中，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、感光晶体管m、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8和驱动晶体管td同步制作形成。即，使用多晶硅晶体管(例如低温多晶硅晶体管)的工艺制程，同步制作形成第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、感光晶体管m、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8和驱动晶体管td。
在一些实施例中，所述阵列基板的显示区划分为若干区域，每个区域包括多个亚像素，不同区域中所述亚像素的个数相同且排布方式相同；其中，每个区域中位于相同位置处的一个亚像素包括所述像素电路。
包含本发明实施例提供的所述像素电路的亚像素在阵列基板上的分布密度，根据该阵列基板能够提供的像素大小、对触控精度的要求可以任意设置。当对触控精度要求高时，相应的增加设置的密度。
示例的，如图7所示，包含所述像素电路的像素单元100为3×3分布。即在阵列基板上按横向(栅线sl方向)和纵向(数据线dl方向)每三个像素单元中有一个包含有所述像素电路。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
包含该显示面板的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，用于驱动上述的显示面板。如图8所示，所述显示面板的驱动方法包括：
s10、在一帧第一阶段p1，重置子电路10在来自使能信号端em的使能信号的控制下，通过初始电压端vint提供的电压对光感触控子电路20和驱动子电路40进行重置。
s20、在一帧的第二阶段p2，数据写入子电路30在来自第一扫描端s1的第一扫描信号的控制下，将来自数据信号端vdata的数据信号写入至驱动子电路40，并对驱动子电路40进行阈值电压的补偿；并且，光感触控子电路20在来自第一扫描端s1的第一扫描信号的控制下，将来自数据信号端vdata的数据信号转换为电压差并存储，以在第三阶段p3维持光感触控子电路20中感光晶体管m的开启。
s30、在一帧的第三阶段p3，发光控制子电路50在来自第二扫描端s2的第二扫描信号的控制下，使驱动子电路40与第一电压端v1连接，并使驱动子电路40与发光器件d连接，以使得驱动子电路40驱动发光器件d发光；并且，光感触控子电路20在来自第二扫描端s2的第二扫描信号的控制下，将所述检测信号通过读取信号线rl输出。
具体可参考上述根据图4的时序，对第一阶段p1、第二阶段p2和第三阶段p3的说明，在此不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。