背栅调谐电路的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及背栅调谐电路。本公开总体上涉及半导体结构，更特别地，涉及背栅调谐电路和制造方法。该方法包括向器件的背栅施加电压；以及选择性地控制所施加的电压以使器件的绝缘层内的至少一个陷阱去激活以减少来自该至少一个陷阱的噪声贡献。

技术研发人员：M·奥托;J·亨沙尔;M·于特纳
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2019.01.02
技术公布日：2019.08.16