是其他不同的形状，例如条状(stripe shape)、三角形等等。具体的例子可以是多条相互平行的锯齿状网格电极。
[0048]触控面板100还包括多条设置在遮光区114的走线130。走线130例如是电性连接至传感元件120的信号导线。走线130的末端会集中在遮光区114的一侧以形成一外引脚接合区(out-lead bonding reg1n)。在走线130的末端可以选择性地形成线宽较大的连接部130a，这些连接部130a例如是垫状而具有较大的接触面积，用以与一可挠性印刷电路板(flexible printed circuit board)电性连接。
[0049]以另一角度来看，触控面板100包括一第一图案化导体层10、一第一抗反射层20以及一第一导电兀件30。第一图案化导体层10设置在第一基板110上。第一抗反射层20覆盖第一图案化导体层10且具有多个第一开口 Hl。第一开口 Hl暴露出第一图案化导体层10的一部分区域。第一导电元件30位在第一图案化导体层10上且通过第一开口 Hl与第一图案化导体层10电性连接。
[0050]第一图案化导体层10的材料包括透明导电材料、金属材料或是其他适当的导电材料。此外，第一图案化导体层10可以是单层结构或是多层结构，本发明不以此限。根据本实施例中，第一图案化导体层10例如是一金属材料堆叠层，其例如是由多层金属材料层堆叠而成。第一图案化导体层10包括依序堆叠的一钥层12、一铝层14以及一钥层16。由于第一图案化导体层10是由金属材料层所堆叠而成，因此具有低传导阻抗。当然，在其他实施例中，也可以是例如由单层金属材料层所构成，例如单一铜层。
[0051]第一抗反射层20覆盖第一图案化导体层10。第一抗反射层20具有多个第一开口 Hl以暴露出第一图案化导体层10的一部分区域。第一抗反射层20的材料例如是第一图案化导体层10的最顶层的材料层的氧化物层、氮化物层或氮氧化物，但不限于此。在此，第一抗反射层20例如是钥的氮氧化物层。以制程来看，可以在第一基板110上依序形成一钥材料层、一铝材料层、一钥材料层以及一钥的氮氧化物层，且这些膜层全面性地覆盖该第一基板110。接着，通过同一图案化制程图案化这些膜层，如此一来，可使这些图案化后的膜层具有大致相同图案，也就是这些图案化的膜层的外轮廓大致上彼此切齐，此处切齐并不限于垂直状的切齐，也包括倾斜状的切齐；另一提的是，若各膜层对于蚀刻媒介的反应速率不同，就可能会有不同的倾斜角。而且，第一抗反射层20例如是仅覆盖第一图案化导体层10，但不以此为限。然后，再在第一抗反射层20中形成该些第一开口 H1。由于第一抗反射层20具有抗反射的功能，因此可以改善视效。
[0052]具体而言，第一抗反射层20的反射率低于第一图案化导体层10的反射率，因此第一抗反射层20的设置有助于增加抗反射的功能。举例来说，若第一图案化导体层10为铝层，则第一抗反射层20可以是反射率较铝为低的钥层。另外，第一抗反射层20也可以是由单层或多层无机膜层所构成的，且上述无机膜层可选用高折射率的材料，例如折射率介于1.6至2.4之间的材料。这样的材料可以是二氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅铝氧化物或是上述材料的任意堆叠层。如此一来，由于这些膜层在光线经过时将对光线产生破坏性干涉，故能改善反射率高的现象，以便降低反射率。
[0053]第一开口 Hl的形成方法例如是通过一黄光微影蚀刻制程以图案化钥的氮氧化物层以形成多个第一开口 H1。接着，可以形成一具有多个第二开口 H2的绝缘层40，其中绝缘层40的材料例如是有机材料，因此可以通过曝光以及显影的步骤形成该些第二开口 H2。但本发明不限于此。在另一实施例中，可先在第一基板110上形成一绝缘材料层，覆盖第一图案化导体层10以及第一抗反射层20。此绝缘材料层的材料例如是有机材料或无机材料。接着，在该绝缘材料层中形成多个第二开口 H2，以形成具有第二开口 H2的一绝缘层40。举例而言，第二开口 H2可以和第一抗反射层20的第一开口 Hl可通过一干蚀刻制程形成，而且第二开口 H2可与第一开口 Hl同时形成或依序形成。在形成第一开口 Hl后，第一抗反射层20的一部分外轮廓可与第一图案化导体层10的一部分外轮廓大致上切齐。或者，第一抗反射层20的全部外轮廓可与第一图案化导体层10的全部外轮廓大致上切齐。视第一开口 Hl的形状及位置而定。
[0054]第二开口 H2与第一开口 Hl连接且暴露出第一开口 Hl，其中第二开口 H2可大于第一开口 H1，以使部分的第一抗反射层20被绝缘层40暴露出。或者第二开口 H2可小于第一开口 Hl,以使第一抗反射层20不被绝缘层40暴露出。此外,在形成第一开口 Hl及/或第二开口 H2以暴露出第一图案化导体层10的制程中，可以进一步地在第一图案化导体层10上形成一凹陷R(recess)，因此凹陷R例如是位于第一开口 Hl所暴露出区域中，且本实施例的凹陷R例如是形成在钥层16中。
[0055]第一导电元件30可通过第一开口 Hl以及第二开口 H2与第一图案化导体层10电性连接。第一导电元件30例如是跳线(jumper)、导电胶、一可挠式印刷电路板或其他适当的导电材料，本发明不以此为限。在具有凹陷R结构的实施例中，第一导电元件30更可以填入凹陷R中以与第一图案化导体层10电性连接。通过凹陷R的形成，可以确保在制作过程中，应该被第一开口 Hl所暴露出的区域不会有第一抗反射层20的材料层的薄膜残留，进而确保电性连接的品质。
[0056]在本实施例中，走线130例如是由第一图案化导体层10的一部分所形成，因此走线130也具有金属材料堆叠层的结构，而且连接部130a也可以具有相同的结构。第一开口Hl可位在走线130的连接部130a上以暴露出连接部130a的第一图案化导体层10的部分区域。而且，一可挠式印刷电路板可通过第一开口 Hl与连接部130a电性连接。
[0057]具体而言，在走线130完全没有去除第一抗反射层20的实施例中，走线130的第一图案化导体层10未被暴露出，虽然第一抗反射层20 (在此为钥的氮氧化物层)或许具有一定的导电性，然而其相较于钥层16或铝层14的传导阻抗来得高，因此可能导致第一导电元件30与走线130的电性连接品质还不够优异。因此，本实施例通过将部分的第一抗反射层20去除，以进一步提升第一导电元件30与走线130的电性连接品质。
[0058]以下将列举数个实施例以说明本发明的精神，但不以此为限，其中凡可能之处，将以相同的标号表示相同或相似的元件，并且省略技术内容相同部分的说明。
[0059]图3为本发明另一实施例的触控面板的剖面示意图，其中图3为沿图1的剖线A-A’的剖面示意图。换言之，图1的实施例可以具有不同的剖面结构。请参照图1和图3，图3的触控面板100A与图2的触控面板100相似。其不同之处说明如下。触控面板100A还包括一第二图案化导体层1a以及一第二抗反射层20a。第二图案化导体层1a设置在第一基板110与第一图案化导体层10之间。第二抗反射层20a覆盖第二图案化导体层1a且具有多个第三开口 H3，其中第三开口 H3暴露出第二图案化导体层1a的一部分区域，且第一图案化导体层10通过第三开口