集中式防盗装置的制作方法

文档序号:12259862阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种集中式防盗装置,其特征是,包括总控制器(1)、若干个分控制器(2)和遥控器(3);所述总控制器包括处理器(11)、显示器(12)、无线接收器(13)和报警器(14);每个分控制器均包括单片机(21)和与单片机电连接的若干对接口(22),处理器和各个单片机依次串联,处理器分别与显示器、无线接收器和报警器电连接;总控制器与至少一个适配器(4)连接,每个分控制器均与一个适配器连接。

2.根据权利要求1所述的集中式防盗装置,其特征是,每对接口中的一个接口通过充电线与充电座(9)连接,另一个接口通过数据线与数码产品连接。

3.根据权利要求2所述的集中式防盗装置,其特征是,每个分控制器均包括充电线检测电路(5),充电线检测电路包括电阻R6、电阻R7和电容C5,电阻R7分别与电阻R6一端和电容C5一端电连接,电容C5另一端接地,电阻R6另一端接3.3V电源,电阻R6和电阻R7的连接点与分控制器的单片机连接充电线连接,电阻R7和电容C5的连接点与充电线连接。

4.根据权利要求3所述的集中式防盗装置,其特征是,每个分控制器均包括还包括充电状态指示电路(6),充电状态指示电路包括发光二极管LED1,发光二极管LED2,电阻R1,电阻R5,场效应管MOSFET N和场效应管MOSFET P;场效应管MOSFET N和场效应管MOSFET P的S极均接地,发光二极管LED1两端分别与电阻R1一端和场效应管MOSFET N的D极连接,发光二极管LED5两端分别与电阻R5一端和场效应管MOSFET P的D极连接,电阻R1和电阻R5均与5V电源连接,场效应管MOSFET P和场效应管MOSFET N的G极连接在一起,再与充电线连接。

5.根据权利要求2所述的集中式防盗装置,其特征是,每个分控制器均包括充电控制电路(7),充电控制电路包括电阻R22、IRF7103芯片U6、IRF7103芯片U7和适配器接口J13;电阻R22一端接地,适配器接口J13包括管脚1、管脚2和管脚3,适配器接口J13的管脚2和管脚3短接并与IRF7103芯片U6和IRF7103芯片U7的管脚5至8连接;适配器接口J13的管脚1接5V电源;

IRF7103芯片U6和IRF7103芯片U7的管脚1、管脚3接地;电阻R22另一端,IRF7103芯片U6和IRF7103芯片U7的管脚2、管脚4均与数据线连接。

6.根据权利要求2所述的集中式防盗装置,其特征是,所述充电座上设有凹槽(91),凹槽内设有电极组(911);电极组通过微型插头(922)与展示品电连接,充电线与电极组连接。

7.根据权利要求6所述的集中式防盗装置,其特征是,所述凹槽两侧的充电座中设有空腔,空腔中填充有滚珠,凹槽的两个侧壁均采用弹性材料制成。

8.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的集中式防盗装置,其特征是,无线接收器为2.4G无线接收器或RFID无线接收器。

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