磁光记录媒体的制作方法

专利名称：磁光记录媒体的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁光记录媒体，尤其涉及其中信息的记录和再现是通过从基片相反侧入射的光来进行的磁光记录媒体。
背景技术：
绝大部分已经实际使用的传统磁光记录媒体是用大约1.0mm厚的其上已经累积了记录层和保护层的基片形成的，并且信息的记录和再现是通过基片入射的光来完成的。
作为用于开发高密度磁光记录媒体的装置，已经实践的是降低在磁光记录媒体上辐射的光束的光点尺寸。通常，有用方程φ＝λ/2NA表示的关系，其中φ表示光点尺寸，NA表示物镜的数值孔径，λ表示激光的波长。根据该方程，为了降低光点尺寸φ，必须增加物镜的数值孔径NA。当NA增加时，焦深缩短，而分辨率能够增加。
因此，当数值孔径NA变得较大时，因厚度不均匀和基片倾斜导致的象差将增加，并且因此必须尽可能地降低基片的厚度。因此，优选的是，为实现高密度记录，记录和再现是通过从记录层一侧入射的光来完成，而不是通过从基片侧入射的光来完成。
通过从记录层一侧入射的光来完成记录和再现的模型以后叫做前照射模型。
图9是表示前照射模型之传统磁光记录媒体的示意剖面图。
磁光记录媒体包含例如用聚碳酸酯形成的基片1，其上已经累积至少有反射层2，记录层4，保护层5和涂覆层6。反射层2通常例如由诸如银的金属膜构成和将从涂覆层6入射的光束7反射到涂覆层6侧。
除了反射光的功能外，反射层2被要求具有对记录层上精细形状的记录标记之热释放的功能。因此，反射层2具有大约100nm或更大厚度通常是必须的。
通过使用诸如银的固体金属靶的DC溅射方法，发射层2被形成在基片1上。
但是，在形成具有100nm或更大厚度的反射层的情况下，大约50nm或者更大颗粒形式的不均匀凸凹被形成在反射层2的表面上。例如，具有大约0.2μm宽度的脊和槽以凸凹形式被形成在基片1的表面上。当具有颗粒形式不均匀凸凹的反射层2被形成在脊和槽上时，这种问题发生主要在于脊被加宽而钝化了矩形形状的角，由此不能够反映预定的脊槽宽度比率。
Ra是用于表示基片表面粗糙度的参数。尽管基片1本身的表面粗糙度Ra是小到大约0.3nm，但当大约100nm的反射层2被累积时该表面粗糙度Ra被增加到高于1.5nm。当表面粗糙度是通过形成反射层2增加时，媒体噪声增加，其负面地影响在反射层2上形成的记录层4的磁特性，由此不能够实现高的分辨率。
为了改善反射层2的表面粗糙度，考虑形成之后的反射层2进行刻蚀处理以被平滑化。而且，还考虑其上掺杂有添加剂的合金(例如掺Ag的Si)被用作为用于形成反射层2的材料，以改善具有被保持热释放功能的平滑度。
当反射层2的平滑度改善时，所谓的媒体噪声被降低以改善CNR和SNR，但是当反射层2的表面不具有适当的粗糙度时，就产生这个问题使得其上形成的记录层4的娇顽磁力Hc降低。
娇顽磁力Hc的下降导致通过外部施加的温度或者磁场记录的信息之记录和再现的破坏。因此，反射层2的平滑度优选用于降低媒体噪声，但是过度的平滑是不优选的，因为记录层4的娇顽磁力被下降了。
当以磁化强度方向被对准为一个方向的方式生长时，记录层4的娇顽磁力增加。例如，在作为下层的反射层2的表面具有几十nm的周期性凸凹或者颗粒时，而不是在其上基本上不形成凸凹的情况下，磁化强度的方向有被对准的倾向和将有效增加娇顽磁力。
但是，当在反射层2表面上形成凸凹周期是太大时，不能够记录短标记，结果，不能够进行高密度记录。
从上述可以理解，在基片上形成的反射层2必须具有用于保持热释放功能的适当厚度；必须具有用于将记录层4磁化强度方向对准某个方向以获得大的娇顽磁力的适当的表面粗糙度；和优选具有用于记录尽可能短的标记以实现高密度记录的在表面上形成的凸凹小周期。

发明内容
本发明提供了磁光记录媒体，其中提供有多个反射层，以及适当地选择各个反射层的表面粗糙度和表面张力，由此能够保持反射层的热释放特性，和能够改善娇顽磁力和CNR。
作为一个方面，本发明涉及磁光记录媒体，其至少包括在基片上以该次序形成的反射层和记录层，其中媒体适用于通过用来自记录层侧的光辐射来记录和再现信息，以及反射层包括两个或者多个不同表面粗糙度的薄膜层，并且在这些薄膜层中，靠近基片的一个具有小于靠近记录层的一个之表面张力的表面张力。
与具有保持反射层热释放特性的传统产品相比，根据本发明的方案能够增加记录层的娇顽磁力。
而且，除了媒体噪声减少之外，能够改善CNR(载波/噪声比)，并且因此能够增加记录密度。
以最靠近基片的薄膜层具有最小表面粗糙度和最靠近记录层的薄膜层具有最大表面粗糙度的方式，在表面粗糙度上，由反射层构成的薄膜层有可能被渐进地调整。根据本实施例，记录层的娇顽磁力能够被进一步地增加。
还有可能的是，在由反射层构成的薄膜层中，最靠近基片的第一薄膜层包括作为主要成分的Ag，Al或者Ni和以规定量被加入的选自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr的至少一种元素。
还有可能的是，除第一薄膜层之外的其它薄膜层包括选自W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt，Ti，P，Au，Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb，Nd和Pd的至少一种元素的材料。


图1是表示本发明磁光记录媒体实施例的剖面图；图2A和2B是表示第一反射层表面形状的示意图；图3A和3B是表示在表面张力和表面形状之间关系的示意图；图4是表示元素表面张力数值例子的表；图5是表示两个媒体的娇顽磁力和CNR的比较的表；图6A和6B是表示在第一反射层和本发明第二反射层的材料被改变的例子中特性之比较的表；图7是表示CNR对本发明媒体和传统媒体下层厚度之关系的曲线；图8是表示在具有本发明多层反射层的媒体中娇顽磁力和CNR之间比较的表；图9是表示前照射模型的传统磁光记录媒体的示意剖面图。
具体实施例方式
在本发明的一个实施例中，本发明的磁光记录媒体是由其上至少以该顺序形成有反射层和记录层的基片，并且还以该顺序形成在记录层，保护层和涂覆层。
这里的基片，记录层，保护层和涂覆层能够用已传统使用的材料形成。例如，基片可以用玻璃或者丙烯酸树脂形成，记录层可以用诸如TbFeCo的磁性膜形成，保护层可以用诸如SiN的非磁性层形成，和涂覆层可以用透明紫外线固化树脂形成。
反射层通常要求具有高的热释放功能。本发明的媒体通过用两个或者多个薄膜层形成反射层来不仅实现保持住热释放功能，而且改善记录层娇顽磁力和通过降低媒体噪声来改善CNR。
尤其是，最靠近基片的第一薄膜层是保持高热释放功能形成的层，其被形成具有用于改善CNR的最小表面粗糙度。在第一薄膜层上形成的其它反射层被形成具有比主要用于改善记录层娇顽磁力和CNR的第一薄膜层更大的表面张力。
当靠近记录层的薄膜层具有比最靠近基片的第一薄膜层更大的表面张力时，靠近记录层的薄膜层具有凸凹，其具有后面说明的微小周期，并且其表面粗糙度变得比第一薄膜层的大，由此记录层的娇顽磁力和CNR能够被改善。具有这种性质的反射层能够用包含前面说明的元素的材料来形成。
下面将参考附图来详细地说明本发明的实施例，但是本发明将不限于此来构成。
本发明磁光记录媒体实施例的构成将说明反射层是用两个薄膜层来构成的实施例。
图1是本发明磁光记录媒体实施例的剖面图。
本发明磁光记录媒体包含其上以该顺序累积有第一反射层2，第二反射层3，记录层4，保护层5和涂覆层6的基片1。下面将说明各个构成元件。
(1)基片1基片1是用玻璃或者树脂形成和是所谓的脊-槽(land-groove)基片，其具有在与第一反射层2接触的表面上形成的脊和槽。
(2)第一反射层2第一反射层2主要起热释放功能的作用并且被形成具有大约100nm或更大的厚度和具有尽可能小凸凹之平滑表面。
例如，第一反射层2可以用包含Ag，Al或者Ni作为主要成分和以规定量加入的选自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr之至少一种元素的材料。
图2A和2B是表示第一反射层2表面形状的示意图。图2A表示在层是通过仅仅用Ag的共同溅射方法形成的情况下的表面形状，和图2B表示在层是通过用Ag作为主要成分和加有Cu，Pd和Si的共同溅射方法形成的情况下的表面形状。
在层是通过仅仅用Ag形成的情况下，相对大颗粒形状(具有大约55nm的直径)的凸凹是用Ag形成的，如图2A所示。当规定量的Cu，Pd和Si如后所述被加入时，平滑表面是通过桥接凸起之间的空隙形成的，如图2B所示。
图2A中，作为表示第一反射层2表面粗糙度之参数的Ra是大约1.5nm，而在图2B中，Ra是大约0.3nm，并且因此应当理解，图2B所示的第一反射层2的表面是相当平滑的。
(3)第二反射层3第二反射层3主要被提供用于防止记录层4娇顽磁力的减小并且被形成具有大于第一反射层2的表面粗糙度。而且，如后述，其用具有大于靠近基片1的第一反射层2之表面张力的材料形成。
例如，含有Fe和W的合金经过溅射方法形成第二反射层3，其具有在其表面上为大约85nm周期的微小凸凹。通过形成第二反射层3，能够反射下基片的脊-槽形状，并且能够增加在第二反射层3上形成的记录层4的娇顽磁力Hc。
(3-a)反射层的表面粗糙度和磁特性将说明在第二反射层3的表面粗糙度和磁特性之间的关系。
通常，能够被记录层4保持的最小磁畴(即最短标记的长度)和磁特性之间的关系能够由下述方程表示d＝σ/(2MsHc)其中d表示磁畴，σ表示由记录层的材料和成分以及膜形成条件确定的常数，Ms表示饱和磁化强度，以及Hc表示娇顽磁力。
根据该方程，当娇顽磁力Hc小时，磁畴d变大，其意味着不能够实现高密度记录。换言之，为了实现高密度记录，磁畴d应当变小，并且因此娇顽磁力Hc做大是必须的。
在表面具有如图2A所示的其上形成了大周期凸凹的情况下，因大的表面粗糙度，形成小的磁畴d在记录层的垂直磁化强度方向上对齐是困难的，并且因此增加了媒体噪声。结果，在表面粗糙度是大的情况下，不能够很好地形成小磁畴d以降低CNR。
另一方面，在如图2B所示的太平滑表面的情况下，根据上述方程磁畴d变大，因为记录层4的娇顽磁力Hc下降，并且因此不能够实现高密度记录。
因此，为了通过小磁畴d获得高的娇顽磁力Hc和实现高密度记录，记录层4的下层具有适当表面粗糙度是必须的，并且优选形成具有大于第一反射层2的表面粗糙度和具有微小周期凸凹的第二反射层3。
为了在第二反射层3的表面上形成微小周期的凸凹，可以考虑两个反射层2和3的表面张力来选择材料。通常，当含有具有较大表面张力的材料时，微小周期的凸凹能够被形成在表面上。
(3-b)反射层的表面张力和表面形状图3A和3B是表示反射膜的表面张力和表面形状之间关系的示意图。
图3A是表示在构成第一反射层2的元素的表面张力(γ1)是小于构成第二反射层3的元素的表面张力(γ2)的情况下表面状态的示意图。例如，当含有比Ag更大表面张力的作为主要成分的Fe的第二反射层3被形成在含有Ag作为主要成分的第一反射层2上时，认为Fe元素被形成为小周期λ的微小凸凹，如图3A所示。
另一方面，图3B是表示在构成第一反射层2的元素的表面张力(γ1)是大于构成第二反射层3的元素的表面张力(γ2)的情况下表面状态的示意图。在这种情况下，认为第二反射层3被形成为具有为相对大周期(100nm或者更大)的大凸凹。
因此，为了在第二反射层3的表面上形成具有微小周期的凸凹，优选第二反射层3是通过使用具有大于第一反射层2表面张力之表面张力的材料形成的。
图4是表示元素的表面张力(mN/m)的数值例子的表。这里示出了在30℃时的表面张力，考虑了元素的熔点。例如，Ag具有961℃的熔点，903(mN/m)的接近熔点的表面张力γ0，和-0.16的变分a(dr/dt)，以及在30℃时的表面张力γ30，能够通过下述方程获得。
Ag的γ30＝γ0+(30-t0)×a
＝903+(30-961)×(-0.16)＝1,052(mN/m)其它元素的值也能够通过类似方程获得。
根据图4，在表的上半部所示的包括Fe的元素(即，W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt和Ti)具有相对大的表面张力和能够被用作为用于形成第二反射层3的材料，并且也能够使用通过复合从中选择的多个元素而获得的合金。其例子包括FeW。
另一方面，Au和以下的元素(即Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb和Nd)具有相对小的表面张力和不是唯一地被用作为第二反射层，但是认为它们被优选地用作为具有带相对大表面张力之元素的合金。其例子包括AlCr和AlPt。
也可以使用通过复合多个元素而获得的半导体。其例子包括SiP。
尽管图3A和3B表示具有包含两层之反射层的作为例子的表面形状，反射层可以具有多层结构，其包含三层或更多层的薄膜。从改善娇顽磁力的观点看，在n层(n≥3)的多层结构的情况下，最靠近基片的第一反射层的表面粗糙度是最小的，并且距基片最远的且与记录层接触的薄膜层(称为第n反射层)的表面粗糙度比其它薄膜层大。
认为在第一反射层和第n反射层之间的中间反射层(从第二到第n-1层)的表面粗糙度优选具有这种配置，使得该表面粗糙度是通过离开基片逐渐增加的，目的是保持记录层的良好娇顽磁力。
而且，在具有n层的多层反射层中，使用这种配置使得最靠近基片的第一反射层的表面张力为最小，而离基片最远的且与记录层接触的第n反射层的表面张力为最大，并且在此之间的中间反射层的表面张力是通过离开基片逐渐增加。
通过将反射层形成为具有不同表面张力的多层结构的薄膜，能够获得高密度记录以及改善记录层的娇顽磁力Hc。
(4)记录层4，保护层5和涂覆层6在图1实施例中，记录层4被形成为具有所谓垂直磁各向异性的磁性膜。例如，使用TbFeCo和DyFeCo。
保护层5是防止记录层4的氧化和氮化并且被形成为能够透过光的非磁性层。例如，使用SiN。涂覆层6是防止灰尘和裂痕并且是用紫外线固化树脂被形成为大约15μm的厚度。
本发明磁光记录媒体例子的厚度和材料在具有这种构成的媒体中，因为第一和第二反射层2和3是用包含不透过光的金属作为主要成分的材料形成，用于记录和再现的光束7是从涂覆层6一侧入射通过透镜8的，如图1所示。
图1所示本发明磁光记录媒体的例子能够通过使用下述材料和厚度产生。
基片1用玻璃2P形成的脊-槽基片，具有120mm直径，1.2mm的板厚度，0.25μm的脊-槽宽度，和30nm的槽深度第一反射层2Ag97Pd1Cu1Si1合金膜，具有100nm的厚度第二反射层3Fe80W20合金膜，具有30nm的厚度记录层4TbFeCo磁性膜，具有25nm的厚度保护层5SiN非磁性膜，具有40nm的厚度涂覆层6透明紫外线固化树脂，具有15μm的厚度本发明磁光记录媒体的生产过程将说明本发明磁光记录媒体例子的生产过程。
第一反射膜2通过共同溅射法被形成在基片1上。使用包含Ag作为主要成分和加有Pd和Cu的AgPdCu合金靶以及Si靶，并且溅射是用0.5Pa气压、施加到AgPdCu合金靶的500W的电功率和施加到Si靶的320W的电功率进行的。
根据该过程，具有Ag97Pd1Cu1Si1成分比的第一反射层2被形成为大约100nm的厚度。
第一反射层2的表面具有大约0.3nm的粗糙度Ra，并且其表面张力γ1是1052(mN/m)。因此，形成了如图2B所示的很平滑表面。
然后，通过溅射法第二反射层3被形成在所得结构上。
使用Fe和W的合金靶，并且溅射是用0.5Pa气压和500W的施加电功率进行的。根据该工艺，具有Fe80W20成分比的第二反射层3被形成为大约30nm的厚度。
第二反射层3的表面具有大约0.6nm的粗糙度Ra，并且其表面张力γ2是2610(mN/m)。第二反射层3的表面粗糙度大于第一反射层2的表面粗糙度，以及其表面张力γ2是大于第一反射层2的。
在表面上形成的如图3A所示的凸凹周期是用AFM(原子力显微镜)测量的，其为大约80nm。在如图2A所示的仅仅用Ag形成反射层的传统情况下，凸凹周期是大约100nm，因此，能够认为能够形成具有进一步微小尺寸的凸凹。
然后，通过溅射法记录层4被形成在第二反射层3上。
例如，使用TbFeCo合金靶，层是通过用溅射法形成的，溅射法用用0.5Pa气压和500W的施加电功率。根据该工艺，能够获得具有足够高娇顽磁力Hc(13kOe)和良好CNR(45dB)的记录层4，如后面所述。
通过溅射法保护层5被形成在记录层4上。例如，使用掺B的Si靶，并且溅射膜的形成是用0.3Pa的气压和800W的施加电功率完成的。
最后，通过旋涂法形成涂覆层6。
紫外线固化树脂被涂覆到大约15μm的厚度，然后其用紫外线照射大约30秒。
通过上述工艺步骤，就形成了图1所示本发明磁光记录媒体(以后称为媒体A)。
本发明和传统产品之间磁特性的比较为了比较诸如娇顽磁力之特性，生产图9所示没有第二反射层3的传统磁光记录媒体(以后称为媒体B)。
媒体B是通过下述生产的在与媒体A相同的基片上形成用Ag+Pd+Cu+Si合金形成的厚度为130nm的第一反射层2；和还形成记录层4，保护层5以及涂覆层6，这些与媒体A中的相同。媒体B反射层厚度是与媒体A的两个反射层总厚度相同。
图5是表示本发明媒体A和传统媒体B的娇顽磁力和CNR之比较的表。
在媒体旋转速度为9.0m/s，被记录标记长度为0.2μm或者0.3μm，记录功率为5.4mW和再现功率为1.4mW时，媒体的娇顽磁力和CNR是通过使用克尔效应测量设备和谱分析器测量的。
根据图5，传统媒体B具有6kOe的娇顽磁力Hc，而媒体A具有13kOe的娇顽磁力Hc，其是媒体B的两倍或更多。
在0.2μm更小长度的记录标记的情况下，媒体B展现出42dB的CNR，而媒体A展现出45dB的CNR，因此可以理解CNR被改善了。
从前述可以理解，由于反射层是用具有相互不同之表面张力和表面粗糙度的两层形成的，因此与传统产品相比，即使当记录小的记录标记以获得高密度记录时，本发明的媒体A能够在娇顽磁力和CNR上有改善。
特别是，在反射层是用两个薄膜层形成的情况下，下述构成是优选的。
(1)靠近基片的第一反射层2的表面粗糙度小于远离基片的第二反射层3的表面粗糙度。
(2)靠近基片的第一反射层2的表面张力小于远离基片的第二反射层3的表面张力。
必须是选择材料以在第二反射层表面上形成的凸凹周期尽可能的小，并且其能够通过选择满足条件(2)的考虑图4所示元素之表面张力的材料获得。即，当具有大表面张力的元素被附着在表面时，在表面上形成的凸凹周期变小。
本发明磁光记录媒体的另一个例子图6A和6B是表示在本发明第一反射层2和第二反射层3的材料改变时例子的特性比较的表。
图6A和6B中，具有用传统上已经使用的材料形成的单层结构之反射层的媒体为了比较也被述及。具有仅仅用Ag或者AlCr形成反射层的传统产品具有1.5nm的表面粗糙度Ra，在表面上大约100nm的凸凹周期，10kOe的娇顽磁力和39dB的CNR。
能够理解，与媒体A比较，传统产品具有相当弱的娇顽磁力和CNR。
在具有仅仅用Ag97Pd1Cu1Si1形成的反射层之传统产品中，表面被平滑为具有0.35nm的表面粗糙度，使得CNR有些改善(41dB)，并且周期小到96nm。但是，由于太平滑的表面，娇顽磁力Hc是相当的低，为5kOe，并且其相对于外部磁场具有低的标记维持功率。
另一方面，与传统产品相比，具有图6A和6B所示两个反射层的媒体具有大约从11到13kOe的大的娇顽磁力Hc和从41到45dB的改善的CNR。
认为这是因为第二反射层3具有从0.5到0.7nm的适当表面粗糙度Ra，并且在其表面上形成的凸凹周期是小到从80到86nm。而且，如图8所示，第一反射层2的表面张力γ1小于第二反射层3的表面张力。
从前述可以理解，优选的是，至少第二反射层表面粗糙度Ra小于1.5nm，更优选的是为大约从0.5到0.7nm，从CNR的观点看，优选的是，至少在表面上的凸凹周期小于100nm，更优选的是为90nm或更小。
图7是表示CNR对本发明媒体和传统媒体下层厚度之关系的曲线。
纵坐标表示CNR(dB)，横坐标表示再现功率Pr(mW)。传统媒体是通过在基片上累积Ag单层反射层，TbFeCo记录层(厚度25nm)和SiN保护层(厚度40nm)形成的。为了观察CNR相对于Ag反射层厚度变化的变化，Ag反射层厚度是30，60，100或者130nm。
根据本发明媒体是通过在基片上累积具有两层结构(第一反射层Ag97Pd1Cu1Si1(厚度100nm)，第二反射层Fe80W20(厚度30nm))的反射层，TbFeCo记录层(厚度25nm)和SiN保护层(厚度40nm)形成的。
从图7可以理解，与具有厚度为130nm之单反射层的传统媒体相比，具有反射层总厚度为130nm的本发明的媒体在CNR上具有极大改善。
在具有单反射层的传统媒体的情况下，与在再现功率Pr为从0.8到1.5mW范围内的130nm厚度比较，较高的CNR是通过100nm的反射层厚度获得的。可以认为这是因为当反射层厚度大到130nm时，反射层的表面粗糙度增加了，并且噪声也快速增加。
在图7的所有媒体中，当再现功率进一步增加时，CNR在再现功率的某个值处下降。认为这是因为由于增加的再现功率导致热释放功能变得不充分，由此记录标记开始消失。
具有三层或更多层的反射层的例子尽管在前述例子中示出了包含具有两层结构之反射层的媒体，媒体可以包含具有三层或更多层结构的反射层。在三层或者更多层的情况下，类似于具有两层结构之反射层的情况，通过适当地设置这些层的表面粗糙度和表面张力，娇顽磁力和CNR能够被改善。
图8是表示包含具有多层结构之反射层的媒体的娇顽磁力和CNR之值的表。图8中的样品20使用Ag97Pd1Cu1Si1的第一反射层(厚度100nm)，Al98Cr2的第二反射层(厚度20nm)和Pt的第三反射层(厚度10nm)以做成130nm厚度的总反射层。在图8所示的样品21中，Pt第三反射层的厚度被改变到5nm，而Fe第四反射层被形成为5nm的厚度。
第一反射层的表面张力是1052mN/m，第二反射层的表面张力是1135mN/m，第三反射层的表面张力是2096mN/m，以及第四反射层的表面张力是2610mN/m。表面张力在最靠近基片的反射层是最小的，并且通过离开基片是逐渐增加的。
对于第一反射层，表面粗糙度Ra是0.3nm，其是最小的，并且通过离开基片是逐渐增加的。样品20的第三反射层(Pt)的表面粗糙度Ra是0.65nm，样品21的第四反射层的表面粗糙度Ra是0.55nm。
根据图8，与具有两层结构之反射层的情况比较，具有三层结构和四层结构之反射层的两种媒体在娇顽磁力Hc和CNR上被改善了。
在玻璃2P基片被用作为基片的情况下，尽管其表面粗糙度Ra传统上是大约0.3nm，但通过用DUV(深UV)辐射基片，基片的表面粗糙度Ra能够被改善到大约0.20nm。
当大约100nm厚度的AgPdCu第一反射层被形成在具有大约0.20nm表面粗糙度Ra的基片上时，表面具有大约0.28nm的表面粗糙度Ra。优选的是，形成第一反射层以尽可能地保持足够的热释放功能和防止噪声的产生。为了尽可能地防止产生噪声，表面优选是平滑的，并且因此，在用DUV辐射基片之后形成第一反射层是有效的。
根据本发明，形成在基片上的反射层是用具有相互不同的表面粗糙度和表面张力的材料形成的，由此记录层的娇顽磁力被增加了，并且在保持了是反射层基本作用的良好热释放功能的同时改善了其CNR。
因此，即使当记录标记小时也满足关于娇顽磁力和CNR的所要求记录和再现特性，由此能够实现比传统产品有更高密度的磁光记录媒体。
权利要求
1.一种磁光记录媒体，其至少包括在基片上以该顺序形成的反射层和记录层，其中媒体适用于通过用从记录层侧辐照的激光束来记录和再现信息，并且反射层包括两层或更多层的在表面粗糙度上不同的薄膜层，在这些薄膜层中，靠近基片的薄膜层具有小于靠近记录层的薄膜层之表面张力的表面张力。
2.权利要求1的磁光记录媒体，其中构成反射层的薄膜层在表面粗糙度上以这种方式渐进地调节这些薄膜层的表面粗糙度，使得最靠近基片的第一薄膜具有最小的表面粗糙度而最靠近记录层的薄膜层具有最大的表面粗糙度。
3.权利要求2的磁光记录媒体，其中第一薄膜层是由包含Ag，Al或者Ni作为主要成分和掺加选自Pd，Cu，Si，Ti，P和Cr的规定量的至少一种元素的材料形成。
4.权利要求3的磁光记录媒体，其中构成反射层的各薄膜层而非第一薄膜层是由包含选自W，Mo，Ta，Fe，Co，Ni，Cr，Pt，Ti，P，Au，Cu，Al，Ag，Si，Gd，Tb，Nd和Pd的至少一种元素的材料形成。
5.权利要求2的磁光记录媒体，其中最靠近记录层的薄膜层具有小于1.5nm的表面粗糙度Ra和在最靠近记录层的层的表面上形成的凸凹周期小于100nm。
全文摘要
磁光记录媒体至少包括在基片上以该顺序形成的反射层和记录层，其中信息的记录和再现是通过用来自记录层侧的激光束辐射媒体实现的。反射层包括两层或多层在表面粗糙度上不同的薄膜层，其中靠近基片的薄膜层具有小于靠近记录层的薄膜层之表面张力的表面张力。通过设计记录层的构成，本发明将改善磁光记录媒体记录层的娇顽磁力和CNR以实现高密度记录。
文档编号G11B11/105GK1427404SQ02108708
公开日2003年7月2日 申请日期2002年3月29日 优先权日2001年12月17日
发明者上村拓也, 田中努, 松本幸治 申请人:富士通株式会社