专利名称：主载体的清洁方法
技术领域：
本发明涉及磁转录中所使用的磁转录用主载体或光盘成型中所使用的光盘用主载体的清洁方法。
磁转录中所使用的主载体通过在硅衬底、玻璃衬底等上实施照相化学腐蚀制造法、溅射、蚀刻等处理，形成磁性体的凹凸图案而构成。另外认为，应用在半导体等中所使用的石版印刷技术或者在光盘模压制作中所使用的模压制作技术，制成磁转录用主载体。
为了提高上述磁转录中的转录质量，使主载体和从属介质没有任何间隙地密合成为重要课题。也就是说，如果密合不良，就会存在产生未引起磁转录的区域，当没有引起磁转录时，在向从属介质转录的磁信息中会产生信号遗漏，降低信号质量，在记录的信号是伺服信号的情况下，不能充分得到跟踪性能，可靠性降低的问题。
另外，在进行采用上述磁转录方法的磁转录时，随着主载体的反复使用，主载体在表面上附着异物而被污染。作为该主载体上的附着物，以在周围环境中产生的尘埃、纤维碎屑等为主。
在这些附着物附着于主载体上的状态下进行磁转录时，在以附着部分为中心波及至周围的范围内，不能确保主载体与从属介质的密合，不能进行给定信号水平的图案转录，从而转录质量下降。通过反复进行主载体与从属介质的密合，会助长上述附着物对该主载体表面的附着力，在所有以后进行磁转录的从属介质中产生同样或比这更严重的图案转录不良，这是许多不良品产生的原因。而且，由于这些附着物，还产生使主载体表面变形，损失正常功能的问题。
根据上述观点，例如在特开2000-285637中所见那样，提出了对磁转录用主载体进行清洁处理的方案。该清洁处理是一边旋转安装了清洁垫的清洁盘，一边使之与处于旋转状态的主载体的表面接触而进行附着物的去除。
可是，在使用上述那样的清洁盘的清洁处理中，在形成于主载体的信息承载面上的转录图案是凹凸形状的情况下，难以除去进入并挟持在凹部内的异物。而且，也存在将周围的异物压入凹部的情况或由于异物将主载体表面擦伤的情况，也不能除去微粒子的附着物，存在清洁不充分而不能消除转录不良的担心。特别是，主载体价格较高，再次利用实现长寿化，在成本方面有利。
另外认为，为了除去主载体上的附着物，通过使用洗涤液的超声波洗涤、摩擦接触等清洁磁转录之前的主载体。可是，采用这些方法洗涤之后，存在已除去的附着物再次附着在主载体上的可能性，去除变得不充分，同时也会在主载体表面产生干燥洗涤液时的水印、与摩擦接触材料的擦伤等，担心成为信号转录不良、主载体破损的原因。即，即使采用洗涤液、摩擦接触材料可暂时除去附着物，但存在由残留的洗涤液或摩擦接触材料再次附着在主载体表面上的情况，特别是对于微粒子不能除去。
上述因磁转录中的附着物造成的信号遗漏，在逐次交换从属介质进行多次磁转录时，有时从初期就开始发生。这是因为在主载体的制作工序中就存在附着物。另外，对该附着物分析的结果可知是有机物，并已判明由与为了保护图案而形成于衬底上的由涂层剂构成的保护层的元素相同的元素构成。
具体地说，主载体的制作如上所述，在衬底上形成与转录信号相对应的图案，将磁性层覆盖在该衬底的图案上而成，但由于还进行在衬底上制作图案的工序和形成磁性层的工序之外的工序，所以，为了防止损伤衬底上图案的发生和附着尘埃，涂布形成由图案保护用的有机材料构成的保护层。
另外，在磁性层形成时，剥离上述保护层之后，采用溅射法等设置磁性层，但即使剥离保护层，也会有一部分残留在图案上，这将导致在制作磁性层时发生飞散而附着在表面上，因密合不良而产生信号遗漏。另外存在保护层的残留物介于衬底和磁性层之间，进而降低两者的密合性，成为磁性层剥离的原因，影响耐久性的问题。
另一方面，制作光盘的模压法是使用已承载了由凹凸图案构成的信息的光盘用主载体(所谓模压)，成形光盘的树脂层的方法。而且，光盘在具有与信息相对应的凹凸形状的树脂层表面上覆盖薄膜的反射层，再设置保护层。
而且，由于在成型中途不对所述光盘用主载体进行清洁处理，连续进行光盘的成型，所以如果成型张数超过1000张，与磁转录用主载体相同，随着异物的附着，制成的光盘的差错率有增大的倾向，难以制作可靠性高的光盘。
根据以上所述，部分进行的光盘用主载体的清洁可使用电解脱脂洗涤、采用清洗剂的超声波洗涤或臭氧洗涤装置等，但有时不能除去牢固附着的附着物。特别是，难以完全除去信号图案凹凸部的凹部中的异物，成为成型不良的原因。
另外，本发明提供一种磁转录用主载体的清洁方法，除去由设置于磁转录用主载体的衬底上的保护层引起的在主载体上的附着物，由此进行转录质量高的磁转录。
而且，本发明提供一种主载体的清洁方法，将磁转录用或光盘用主载体的附着物，即使进入凹部或是微粒子，也都能完全除去，由此可进行转录质量高的磁转录或光盘的制作。
本发明的主载体的清洁方法是在从承载信息的主载体向从属介质进行磁转录的磁转录方法中所使用的磁转录用主载体、或由承载信息的主载体成形光盘中所使用的光盘用主载体的清洁方法，其特征在于，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，燃烧除去进行磁转录之前或成型之前的所述主载体表面的附着物。
实施上述清洁方法的清洁装置的特征在于，包括收存所述主载体的减压容器；使容器内减压的减压器件；使容器内的电极和主载体之间发生等离子体放电的放电器件；以及将反应性气体导入容器内的气体导入器件；在减压状态下，导入反应性气体后进行放电，通过等离子体放电燃烧除去主载体表面的附着物。
该清洁装置中的减压容器进行开闭动作可交换地收存主载体。所述减压器件具备真空泵，使容器内减压至给定的压力。所述放电器件具备将主载体与放电器件的一个电极导通且在与之对峙并配置于容器内的电极和主载体之间施加放电电压的DC电源或RF电源，在主载体上产生等离子体放电。所述气体导入器件将给定量的反应性高的反应性气体导入容器内。
并且，磁转录用主载体的其它清洁方法是在衬底的图案上形成磁性层的磁转录用主载体的制作过程中，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，对形成所述图案的衬底表面进行清洁。然后在该衬底的图案上形成磁性层。即，在剥离形成图案的衬底的保护层之后，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，将形成磁性层之前的衬底保护层残留物燃烧除去，进行清洁。
换言之，上述磁转录用主载体的制作方法的特征在于，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，对形成图案的衬底的表面进行清洁，然后在该衬底的图案上形成磁性层。
另一清洁方法是除去具有形成了与信息相对应的凹凸图案的信息承载面的磁转录用主载体或光盘用主载体上的附着物的清洁方法，其特征在于，在所述主载体的信息承载面的表面上设置被膜，连同该被膜一起除去附着在表面上的附着物。
例如，所述被膜是碳层，在清洁时，利用等离子体除去该被膜。另外，所述被膜是高分子被膜，在清洁时，利用溶剂或等离子体除去该被膜。被膜的除去也可以采用超声波洗涤，使之剥离。在所述主载体上形成被膜，可使用通过溅射法、CVD法使含有碳的材料成膜的方法、通过蒸镀使高分子材料成膜的方法等各种成膜方法。在确保良好的转录性或成型性的方面，被膜的厚度优选为40nm以下。若被膜的厚度大于40nm，在磁转录的情况下，图案的表面与从属介质之间的距离增大，导致转录性劣化，分辨能力降低，在光盘成型的情况下，成型尺寸的变化增大。
由清洁后的主载体再次进行磁转录或光盘成型时，在信息承载面的表面上再次形成所述被膜后使用。
另外，在磁转录用主载体的情况下，上述被膜可以成为设置于衬底上的磁性层，在清洁时，除去该磁性层，再次使用时，通过溅射法等再次形成磁性层。
所述清洁优选与磁转录或光盘成型连续地进行，优选在每个磁转录工序(成型工序)中，或者在磁转录(成型)给定次数后，或者在因附着物造成的转录不良或成型不良发生时，从磁转录装置或成型装置中取出主载体，进行清洁处理。此时，准备多个主载体，依次反复进行磁转录或光盘成型和清洁，这在效率方面优选。
根据如上所述的本发明，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，燃烧除去进行磁转录或光盘成型之前的主载体表面的附着物，由此，可以以干式处理且非接触方式除去纤维碎屑等附着物，所以相对于使用洗涤液的超声波洗涤、摩擦接触等的清洁方法，已除去的附着物不会再次附着在主载体上，也不会产生水印、擦伤等，也可以除去微粒子，可以防止因主载体和从属介质的密合不良造成的转录信号劣化或成型不良的发生，可进行质量稳定的磁转录或光盘成型，提高了可靠性，使主载体高寿命化。
另外，在形成于衬底的图案上设置磁性层制作磁转录用主载体时，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，对形成了所述图案的衬底表面进行清洁处理，然后形成磁性层，从而在磁性层形成时，可完全除去保护层的残留物，可减少因制作的主载体表面上的保护层造成的附着物，抑制因主载体和从属介质的密合不良造成的信号遗漏，能够进行质量稳定的磁转录，提高可靠性，同时达到延长主载体使用寿命的目的。
另外，在磁转录用或光盘用主载体的信息承载面的表面上设置被膜，在清洁时，连同该被膜一起将附着在表面上的附着物除去，从而可确实除去附着在主载体表面上的异物以及微粒子，特别是对于进入并挟持在图案凹部内的异物，通过除去凹部壁面的被膜，使槽宽度扩大，所以可以容易地除去，消除转录不良或成型不良，可进行主载体的再利用，可进行质量稳定的磁转录或光盘成型，提高了可靠性，延长了主载体的使用寿命。
图2是一个实施方式中的磁转录用主载体的主要部分的剖面图。
图3是表示对图2的衬底进行清洁的状态的清洁装置的结构示意图。
图4是表示其它实施方式的磁转录用主载体清洁前的状态的剖面图。
图5是图4清洁之后的主载体的剖面图。
图6是图4其它实施方式的主载体的剖面图。
其中，1-清洁装置，2-主载体，3-减压容器，4-减压器件，5-放电器件，6-气体导入器件，21-衬底，22-磁性层，23-清洁用被膜，31-基础部件，32-盖部件，41-真空泵，51-电源，52-放电电极，61-气体导入通路，2a-凸部，2b-凹部，P1、P2-附着物。
图1所示的清洁装置包括收存主载体2的减压容器3(真空容器)；使容器3内减压的减压器件4；使容器3内的电极52和主载体2之间发生等离子体放电的放电器件5；将反应性气体导入容器3内的气体导入器件6。
另外，采用所述装置1的清洁方法是在利用反应性等离子体蚀刻的干式处理中，非接触地除去进行磁转录或光盘成型之前的磁转录用或光盘用主载体2中的表面的附着物的方法。即，在减压状态下导入反应性气体后进行放电，通过等离子体放电，燃烧除去主载体2表面的附着物。
所述减压容器3具有罩住基础部件31并密闭内部空间的罩形盖部件32，通过基础部件31和盖部件32相对接触离开移动进行开闭动作，在内部可更换地收存主载体2。主载体2放置在基础部件31上，该主载体2与电性接地的基础部件31成为导通状态，成为后述放电时的一个电极。
减压器件4具备真空泵41，来自真空泵41的减压通路42与盖部件32连接，吸引容器3的内部空气，减压至给定的压力。在该减压通路42中配置第1阀门V1，对其进行控制，使之在减压时进行打开动作，在减压开放时进行关闭动作。另外，在减压通路42上具备与第1阀门V1的容器3侧汇合的排空通路43，该排空通路43与排空通道连通的同时，在中途配置第2阀门V2，对其进行控制，使之在减压时进行关闭动作，在完成减压时进行打开动作，与大气相通。
放电器件5具备发生放电电压的电源51(DC电源)，同时具备配置于盖部件32内部的板状放电电极52。该放电电极52被贯穿盖部件32的支持部件53保持，同时通过配置于该支持部件53内部的未图示的通电部件与电源51连接。在支持部件53和盖部件32之间加装绝缘密封件33，使盖部件32成为电绝缘状态。所述放电电极52与放置在基础部件31上的主载体2对峙，将电源51生成的放电电压施加在放电电极52和主载体2之间，使主载体2上发生等离子体放电。另外，作为电源51，如后所述，可以使用RF电源。
气体导入器件6具备贮藏反应性气体的未图示的气罐，来自气罐的气体导入通路61与盖部件32连接，向容器3的内部导入给定量的反应性高的反应性气体。在该气体导入通路61上配置第3阀门V3，对其进行控制，使其在气体导入时进行打开动作。反应性气体例如是含有Ar、O2、CCl4等的组成。
说明如上所述的清洁装置1的工作情况。首先，移动基础部件31或盖部件32，打开减压容器3，将主载体2放置在基础部件31上的给定位置，并使形成了微细凹凸图案的信息承载面朝上。移动基础部件31或盖部件32，使减压容器3为密闭状态，在打开第1阀门V1的同时，关闭第2阀门V2，通过驱动真空泵41吸引容器3内部的空气，将内部减压至给定压力。若成为给定的减压状态，就打开第3阀门V3，通过气体导入通路61将反应性气体导入容器3内。若容器3内部成为给定的气体组成，由电源51(DC电源)将放电电压施加在放电电极52和主载体2之间，在主载体2上发生等离子体放电。通过该反应性气体的等离子体放电，在等离子体蚀刻的作用下燃烧除去主载体2表面的附着物。
若完成给定时间的清洁，则在第1阀门V1和第3阀门V3为关闭的状态下，打开第2阀门V2，与大气相通，由排空通路43导入空气，使容器3内压力上升至大气压。然后，移动基础部件31或盖部件32，打开减压容器3，取出基础部件31上的主载体2，放置下一个主载体2，以下进行同样的清洁处理。
在磁转录的情况下，将清洁后的主载体2传送至磁转录装置中，使主载体2的信息承载面与已预先在磁道方向或垂直方向上进行了初始磁化的从属介质的记录面密合，在该密合状态下，通过电磁铁装置等磁场施加装置在与初始磁化方向近乎相反的方向上施加转录用磁场，将与主载体2的转录信息相对应的磁化图案转录记录到从属介质上。另外，在光盘成型的情况下，将清洁后的主载体2传送至成型装置中，固定于金属模具中，关闭模具，注射树脂，进行光盘树脂层的成型。
上述主载体2的清洁优选与磁转录或光盘成型连续进行，在每个磁转录工序(成型工序)或每给定次数的磁转录(成型)中，对主载体2进行清洁处理。此时，在效率方面希望准备多个主载体2，依次与清洁过的物质进行交换。将清洁装置1组装成磁转录装置或成型装置的一部分，连接磁转录动作或成型动作，取出主载体2，传送至清洁装置1中进行清洁处理。
磁转录用主载体是将磁性层(金属薄膜层)覆盖在衬底的微细凹凸图案上的载体。衬底是由Ni等构成的强磁性体的情况下，可以只用该衬底进行磁转录，也可以不覆盖磁性层(软磁性层)，但通过设置转录特性良好的磁性层，可以进行更好的磁转录。在衬底是非磁性体的情况下，必须设置磁性层。另外，在将主载体2放置于所述基础部件31上时，为了使其信息承载面接地，并通过DC电源51沿该信息承载面发生放电，优选使用导电性材料形成主载体2的衬底。或者，在主载体2的衬底是绝缘性材料的情况下，优选在该衬底上层压导电层之后，在凹凸图案上形成磁性层。另外，光盘用主载体(模压)由表面上形成了微细凹凸图案的Ni等的金属板构成，被所述基础部件31接地。
并且，作为所述放电器件5的电源51，也可以使用RF电源代替DC电源。此时，即使主载体2因绝缘性不被基础部件31接地，也能在主载体2的表面发生等离子体放电，进行燃烧除去附着物的清洁处理。
根据如上所述的实施方式，相对于与从属介质密合且进行磁转录之前的磁转录用主载体2，通过清洁装置1，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电的等离子体蚀刻燃烧除去表面的附着物，由此进行干式处理且非接触的清洁，所以已除去的附着物不会再次附着的同时，不会在表面产生水印、擦伤地进行良好的清洁，可以提高磁转录时的与从属介质的密合性，进行转录质量优良的磁转录，实现防止主载体破损的高寿命化。另外，对设置于成型金属模具并进行光盘成型之前的光盘用主载体2，同样进行清洁，由此可进行成型精度优良的光盘成型，减少制成的光盘的差错率，制作高可靠性的光盘。
下面，说明其它实施方式的清洁方法。图2是本发明一实施方式中的磁转录用主载体主要部分的剖面图，图3是表示对衬底进行清洁的状态的清洁装置的结构示意图。另外，清洁装置的结构与上述实施方式的相同，对于相同部分附以相同的符号。
如图2所示，磁转录用主载体2包括形成了与转录的信息相对应形态的微细凹凸图案的衬底21以及采用溅射法等覆盖在该图案上的磁性层22(软磁性层)。
上述主载体2的制作述如下。得到采用各种制作方法在表面上形成微细凹凸图案的衬底21后，在其表面上涂布形成防止损伤和尘埃附着用的有机材料构成的保护层(未图示)。在将这样的衬底21传送至磁性层22的形成工序之前，剥离上述保护层，同时通过清洁装置1，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，对衬底21的图案表面进行清洁处理。然后，通过成膜装置等，在清洁后的衬底21的图案上形成磁性层22。
图3所示的清洁装置1包括收存形成磁性层22之前的所述衬底21的减压容器3(真空容器)；使容器3内减压的减压器件4；使容器3内的电极52和衬底21之间发生等离子体放电的放电器件5；将反应性气体导入容器3内的气体导入器件6。
而且，采用所述装置1的清洁通过利用反应性等离子体蚀刻的干式处理非接触地除去衬底21表面中的保护层残留物。即，在减压状态下导入反应性气体后进行放电，通过等离子体放电燃烧除去衬底21表面的残留物。
所述清洁装置1的具体结构与图1的结构相同，省略其说明。而且，移动清洁装置1的基础部件31或盖部件32，打开减压容器3，将衬底21放置在基础部件31上的给定位置，并使形成微细凹凸图案的面朝上。移动基础部件31或盖部件32，使减压容器3为密闭状态，在打开第1阀门V1的同时，关闭第2阀门V2，通过驱动真空泵41吸引容器3内部的空气，将内部减压至给定压力。若成为给定的减压状态，就打开第3阀门V3，通过气体导入通路61将反应性气体导入容器3内。若容器3内部成为给定的气体组成，由电源51(DC电源)将放电电压施加在放电电极52和衬底21之间，使衬底21上发生等离子体放电。通过该反应性气体的等离子体放电，利用等离子体蚀刻的作用燃烧除去衬底21表面的保护层残留物和其它附着物。
若完成给定时间的清洁，就在第1阀门V1和第3阀门V3为关闭的状态下，打开第2阀门V2，与大气相通，由排空通路43导入空气，使容器3内压力上升至大气压。然后，移动基础部件31或盖部件32，打开减压容器3，取出基础部件31上的衬底21，放置下一个衬底21，以下进行同样的清洁处理。
将清洁后的衬底21传送至成膜装置中，覆盖磁性层22制成磁转录用的主载体2。另外，也可以利用成膜装置用的等离子体机构进行上述清洁，在装置内连续进行清洁、成膜。
另外，为了通过DC电源51沿图案面发生放电，优选使用导电性材料形成衬底21，使之放置于所述基础部件31上时接地。并且，作为所述放电器件5的电源51，也可以使用RF电源代替DC电源。此时，即使衬底21因绝缘性不被基础部件31接地，也能在衬底21的表面发生等离子体放电，进行燃烧除去残留物的清洁处理。
作为主载体2的衬底21，可使用镍、硅、铝、合金等。凹凸图案的形成可采用模压法等进行。
模压法是在表面平滑的玻璃板(或石英板)上用旋转涂敷器等形成光致抗蚀剂，一边旋转该玻璃板，一边照射对应于伺服信号调制的激光(或电子束)，将给定图案曝光，例如相当于伺服信号的图案。然后，对光致抗蚀剂进行显像处理，除去曝光部分，得到具有由光致抗蚀剂造成的凹凸形状的原盘。接着，在保持原盘表面凹凸图案的前提下，在该表面上施行电镀(电铸)，制成具有阳极状凹凸图案的Ni衬底，从原盘上剥离。衬底21的凹凸图案的深度(突起的高度)优选在80nm～800nm的范围，更优选为100nm～600nm。
另外，也可以在所述原盘上施行电镀制成第2原盘，使用该第2原盘进行电镀，制成具有负极状凹凸图案的衬底。而且，也可以在第2原盘上进行电镀，或压上树脂液进行固化，制作第3原盘，在第3原盘上进行电镀，制成具有正极状凹凸图案的衬底。另一方面，也可以在所述玻璃板上形成光致抗蚀剂的图案后，进行蚀刻，在玻璃板上形成孔穴，得到除去了光致抗蚀剂的原盘，以下与所述相同形成衬底。
所述磁性层22的形成可以采用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等真空成膜方法、以及电镀等使磁性材料成膜。作为该磁性材料，可以使用Co、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)。特别优选FeCo、FeCoNi。磁性层22的厚度优选在50nm～500nm的范围，更优选100nm～400nm。
根据如上所述的本发明的实施方式，对形成磁性层22之前的磁转录用主载体2的衬底21通过清洁装置1，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电的等离子体蚀刻，燃烧除去表面的保护层残留物及其它附着物，由此可以进行良好的清洁，降低在形成磁性层22后的主载体2表面上的保护层引起的附着物。结果，可提高磁转录时的主载体和从属介质之间的密合性，防止发生附着物造成的信号遗漏，进行转录质量优良的磁转录，实现防止磁性层剥离的高寿命化。
下面，说明其它实施方式的清洁方法。图4是表示本发明一实施方式的主载体清洁之前状态的剖面图，图5是清洁之后的主载体的剖面图。另外，各图是模式图，用与实际不同的比例表示各部的尺寸。
将磁转录用或光盘用主载体2形成为圆盘状，在其单面的信息承载面上，与转录信息(伺服信号)或成型信息相对应，具有由凸部2a和凹部2b构成的微细凹凸形状的图案。在磁转录用主载体的情况下，如所述图2中详述的那样，通过磁性层形成上述凸部2a的顶面。另外，在光盘用主载体的情况下，上述凹部2b成形光盘的坑(凸部)。
而且，在上述信息承载面的凹凸图案的表面上形成清洁用的被膜23。该被膜23覆盖在凸部2a的上面以及凸部2a之间的侧面，即凹部2b的壁面和底面上。
由于反复进行与从属介质的密合引起的磁转录，或由于反复进行光盘树脂层的成型，如图4所示，在主载体2的被膜23上附着纤维碎屑、微粒子等附着物P1、P2。例如，纤维状的附着物P1压在凸部2a表面，微粒子状的附着物P2被按压进入凸部2a之间的凹部2b内，由于其大小的原因被卡在凹部2b内。
除去上述那样附着在表面上的附着物P1、P2的主载体2的清洁，除去所述被膜23后，连同该被膜23一起除去附着在表面上的附着物P1、P2，使清洁后的主载体2如图5所示。由此，附着在凸部2a表面上的附着物P1与被膜23一起从主载体2上剥离除去，通过除去凹部2b壁面的被膜23使槽宽扩大，从凹部2b中将挟持在凹部2b中的附着物P2排出除去。
所述被膜23是碳层，在清洁时，利用等离子体除去该被膜23。主载体2上被膜23的形成可以采用溅射、CVD法等使含碳原料成膜。在凸部2a的表面，将被膜23的厚度设为40nm以下(优选5～30nm)。由此，在磁转录中，与从属介质密合时，使凸部2a的表面和从属介质靠近，可确保良好的转录分辨能力，在光盘成型中，可确保成型性。若被膜23大于40nm，在磁转录的情况下，图案的表面与从属介质之间的距离增大，导致转录性劣化、分辨能力降低，在光盘成型的情况下，成型尺寸的变化增大。
另外，等离子体清洁利用减压反应性气体环境下的等离子体放电燃烧除去被膜23和附着物P1、P2。该等离子体清洁(反应性等离子体蚀刻)是如下进行的例如，使用所述清洁装置1，将从转录装置或成型装置中取出的主载体2收存在清洁装置的减压容器(真空容器)中，向该减压容器内导入反应性气体，同时使电极和主载体2之间发生等离子体放电。反应性气体例如是含有Ar、O2、CCl4等的组成。
另外，作为其它实施方式，利用高分子被膜形成所述被膜23，在清洁时，使用溶剂溶解除去该高分子被膜，或使用所述等离子体除去该高分子被膜。该高分子被膜通过蒸镀将高分子材料成膜的方法等形成。另外，被膜23的去除也可以通过对主载体2进行超声波洗涤，在被膜23上施加超声波振动，使之从主载体2上剥离除去。
由清洁后的主载体2再次进行磁转录或光盘成型时，如图4所示，可再次在凹凸图案的表面上形成清洁用的被膜23进行使用。
在光盘用主载体中，在凹部2b的侧壁面也设置被膜23的情况下，为了使凹凸图案以原样的形状成型，优选使凹部2b的宽度比成型后的光盘的坑宽度(坑直径)大被膜23的厚度。另外，如图6所示，例如采用溅射法，在凸部2a的上面和凹部2b的底面设置被膜23，而不在凹部2b的侧壁面上设置被膜23的情况下，不需要该设置。此时，附着在凸部2a表面上的附着物P1与被膜23一起从主载体2上剥离除去，但挟持在凹部2b内的附着物P2难以除去。从这点上来看，如上所述，采用CVD法等在凹部2b的侧壁面上也设置被膜23对于除去异物有效。
另外，在磁转录用主载体的情况下，可以使用所述图2所示的设置于衬底21上的磁性层22作为清洁时剥离的上述被膜23，在清洁时，将该磁性层22与附着物P1、P2一起除去，在再次使用时，通过溅射法等再次形成磁性层22。该磁性层22厚度较大地形成于凸部2a的上面，由此可良好地除去挟持在凹部2b内的附着物P2。
另外，与磁转录用主载体2密合之前的从属介质必要时实施采用研磨头、研磨件等除去表面的微小突起或附着尘埃的清洁处理。另一方面，优选在磁转录的密合前工序或注射树脂前工序中对主载体2实施不除去被膜23的清洁处理，进行尘埃的去除。
在本实施方式中，主载体2的清洁优选与磁转录或光盘成型连续进行，给定次数的磁转录(成型)后，或者，附着物造成的转录不良(成型不良)发生时，从磁转录装置(成型装置)中取出主载体2进行清洁处理。此时，希望准备多个主载体2，依次反复进行磁转录(成型)和清洁。
根据上述实施方式，在磁转录用或光盘用主载体2上形成对信息承载面的凹凸图案表面进行清洁用的被膜23，将反复进行磁转录或光盘成型附着了异物的主载体2从磁转录装置或成型装置中取出，在清洁装置中采用等离子体等连同被膜23一起除去表面的附着物，从而进行清洁处理，对于进入凹部的附着物、微粒子状附着物，也可以不产生擦伤地完全除去，可维持良好的磁转录性或成型性，实现主载体2再使用的高寿命化。
权利要求
1.一种主载体的清洁方法，是磁转录用主载体或光盘用主载体的清洁方法，其特征在于，利用减压反应性气体环境下的等离子体放电，燃烧除去所述主载体表面的附着物。
全文摘要
一种主载体的清洁方法,将进行磁转录或光盘成型之前的磁转录用或光盘用主载体(2)收存在减压容器(3)中,利用减压器件(4)使容器(3)内减压,通过气体导入器件(6)将反应性气体导入容器(3)内,在此状态下,通过放电器件(5)使电极(52)和主载体(2)之间产生等离子体放电,利用等离子体蚀刻燃烧除去主载体(2)表面上的附着物。由此以干式处理和非接触方式不会再次附着地除去主载体上的附着物,从而进行转录质量高的磁转录。
文档编号G11B23/50GK1387183SQ0212010
公开日2002年12月25日 申请日期2002年5月17日 优先权日2001年5月18日
发明者西川正一, 镰谷彰人 申请人:富士胶片株式会社