基板载体配置与夹持基板的方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例一般是有关于基板的处理，且特别是有关于用以夹持将被处理的薄基板的基板载体。再者，实施例有关于夹持将被处理的基板的方法。
【背景技术】
[0002]薄基板处理的重要性逐渐提高，举例而言，薄玻璃片具有广泛的应用，用于使用于电子装置中的平板显示器，电子装置例如是移动电话、平板电脑、监视器及电视机。基板可被处理，以用于多种例如微电子工业中的应用，或用于提高电子及光电装置的数目。因此，各种各样的微电子、微技术、微光学、或组合的装置是基于可以合适方式处理的基板。
[0003]当增加基板的面积时，薄基板的处理尤其困难。然而，对薄基板的处理来说，仍期望高生产率、短停机时间与高产量。
【发明内容】
[0004]有鉴于上述内容，根据独立权利要求1和7，本公开提供一种基板载体，该基板载体用于夹持具有将被处理的表面的基板。再者，根据独立权利要求11，本公开提供一种方法，该方法用以夹持具有将被处理的表面的基板。
[0005]根据一实施例，提供一种基板载体，用以夹持具有将被处理的表面的基板，基板载体包括具有至少一个开口的第一板；以及用以至少部分地覆盖第一板的开口的第二板，其中基板夹持在第一板与第二板之间，且将被处理的基板表面透过开口露出以进行处理。
[0006]根据另一实施例，提供一种基板载体，该基板载体用以夹持具有将被处理的基板表面的基板，基板载体包括夹持板；具有框架开口的至少一个框架；以及一个或更多个磁性元件，该一个或更多个磁性元件用于通过框架与夹持板之间的磁性作用，将基板固定在夹持板与框架之间，将被处理的基板表面透过框架开口露出以进行处理。
[0007]根据又另一实施例，提供一种方法，该方法用以夹持具有将被处理的表面的基板。该方法包括:提供第一板，放置基板于第一板上，放置第二板于基板上以夹持基板于第一板与第二板之间，其中第一板与第二板其中至少一个具有开口，特别是其中第二板与第一板其中至少一个至少部分地覆盖开口，以及透过开口露出基板，以进行工艺。
[0008]根据又另一实施例，提供一种方法，该方法用以夹持具有将被处理的表面的基板。该方法包括提供具有至少一个开口的第一板；提供至少一个第二板；以第二板至少部分地覆盖第一板的开口，其中基板位于第一板与第二板之间；以及透过开口露出将被处理的基板表面。
【附图说明】
[0009]为了可详细地了解本发明的上述的特性，以上简要概述的本发明的更特定的说明可参照数个实施例。所附的图式是有关于本发明的数个实施例，且于下述中说明:
[0010]图1示意性地显示形成有沟槽的基板载体板，沟槽用以容纳将被处理的两个基板；
[0011]图2显出具有沟槽与插入缝隙的基板载体板以提供有效率的薄基板的处理；
[0012]图3绘示具有第一基板载体板与两个第二基板载体板的基板载体配置，其中将被处理的基板夹持在第一基板载体板与第二基板载体板之间，基板载体配置是从背侧显示；
[0013]图4是图3的基板载体配置从沉积侧的立体图；
[0014]图5是显示在图3中的基板载体配置的立体图，其中已插入两个将被处理的基板；
[0015]图6为根据其他实施例的基板载体配置的示意性立体图，基板载体配置包括安装铰链的基板载体板；
[0016]图7是显示在图6中的基板载体配置的侧面剖视图；
[0017]图8是又另一实施例的从处理侧看的基板载体配置，其中有使用磁性框架；
[0018]图9显示图8中示出的基板载体配置的背侧；以及
[0019]图10是图示用于夹持具有将被处理的表面的基板的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0020]现在将要详细地说明本发明的不同实施例，其一个或更多个例子绘示在图示中。以下图示的说明当中，相同的参考号码表示相同的元件。一般而言，只描述有关于各别实施例的差异处。各个例子是以解释本发明的方式被提供，而非用以限定本发明。再者，解释或描述为一实施例的部分的特征可使用在其他实施例或与其他实施例结合以产生其他的实施例。可以包括这种润饰与变形的描述。
[0021]于以下说明中，所描述的实施例特别关于基板载体配置，其允许夹持薄基板，例如但不限于聚对苯二甲酸乙二醋(polyethylene terephthalate ；PET)基板。根据一典型的实施例，根据所述的实施例的基板载体配置可用于薄的片体或基板，例如PET薄片，具有范围从0.1mm至0.2mm的厚度。基板载体配置可用在为厚度范围从0.3mm至1.1mm的玻璃片所设计的玻璃片机械中。将被处理的薄基板可包括塑胶或薄玻璃基板。PET塑胶薄片可用于移动装置中的抗反射应用，移动装置例如是移动电话、平板电脑等，例如薄显示器。
[0022]根据所述的另一典型实施例，该另一典型实施例可与所述的其他实施例结合，将被处理的薄基板的面积尺寸在从300mm x 170mm至400mm x 500mm的范围内。
[0023]根据一些实施例，大面积的基板及/或各自的载体可具有至少0.174m2的尺寸。典型的尺寸可为约1.4m2至约8m2，更典型地为约2m2至约9m2，或甚至高达12m2。一般而言，所述的基板及/或载体为大面积的基板及/或各自的大面积的载体，于此根据所述实施例，提供针对所述基板及/或载体的结构、设备(例如阴极组件)、及方法。举例而言，大面积的基板及/或载体可为第5代(GEN 5)、第7.5代(GEN 7.5)、第8.5代(GEN 8.5)、或甚至第10代(GEN 10)基板，第5代对应至约1.4m2的基板(1.1m x 1.3m)，第7.5代对应至约4.29m2的基板(1.95m X 2.2m)，第8.5代对应至约5.7m2的基板(2.2m x 2.5m)，第10代对应至约8.7m2的基板(2.85mX3.05m)。可同样地使用甚至更高世代(例如第11代与第12代)及对应的基板面积或各自的载体。
[0024]所述的实施例关于基板载体配置，该基板载体配置用于夹持具有将被处理的表面的基板。基板载体配置包括第一板与至少一个第二板，第一板具有至少一个开口，至少一个第二板用以至少部分地覆盖第一板的开口。藉此，将被处理的基板夹持在第一板与第二板之间，其中将被处理的基板表面透过开口露出以进行处理。
[0025]根据典型的实施方式，第二板可完全覆盖第一板中的至少一个开口。然而，于第二板中，可提供一个或更多个小的孔洞，而不影响夹持基板在两个板形元件之间的概念，使得第一板的开口至少部分地被覆盖，例如至少覆盖50 %，或至少覆盖80 %或90 %。
[0026]除此之外，用以夹持将被处理的基板的基板载体配置被提供，其中基板载体配置包括夹持板与至少一个框架，至少一个框架包括磁性元件且用以通过框架与夹持板之间的磁性作用将基板固定在夹持板与框架之间。然后将被处理的基板表面透过框架开口露出以进行处理。根据基板载体配置的另一修改，可提供第一基板载体板作为框架。特别地，第一基板板与第二板可通过一个或更多个磁性元件，或通过一个或更多个可转动的弹簧，以可卸除式地彼此连结。根据一些实施例，这些实施例可与所述的其他实施例结合，多个板中的至少一个、两个板、或两个板的组合是硬式的(rigid)。藉此，载体对于可能为易于弯曲的基板的处理提供稳定性。又再者，根据额外或替换的实施例，板的组合设置成，使得基板的中心区域，或甚至基板的大部分面积(例如至少50%的基板面积)接触多个板中至少一个的各自的部分。藉此，形成所述的袋形物，且第一板的一部分或第二板的一部分任一个从各自的侧面支撑基板。藉此，小的孔洞可特别地被提供于背板中，使得支撑功能不会因为小尺寸的孔洞而减弱。
[0027]再者，提供夹持基板的方法，基板具有将被处理的基板表面。此方法包括提供具有至少一个开口的第一板，提供至少一个第二板，用第二板至少部分地覆盖第一板的开口，其中基板位在第一板与第二板之间，且透过开口露出将被处理的基板表面。
[0028]根据所述的实施例，可提供如图1所部分地绘示的基板载体配置100。图1显示基板载体配置100的第一基板载体板201，其包括两个开口 203。在此注意本发明的实施例并不限定特定数目的开口 203，亦即，也可在第一基板载体板201中提供一个开口，或三个或更多个开口 203。基板(未显示在图1中)可透过开口 203露出以进行处理，以便能够被处理，例如通过等离子体工艺进行处理。根据所述的典型实施例，该典型实施例可与所述的其他实施例结合，夹持基板的载体、方法被配置成用于基板的真空处理，例如基板上层膜的真空沉积，及/或被配置成用于真空处理设备，例如真空沉积设备。藉此，实施例包括材料且构造成允许使用在技术真空中。
[0029]图1的立体图显示第一基板载体板201的背侧，亦即，基板工艺发生的一侧的相反侦U。再者，如图1中所示，第一基板载体板201被形成，其中环绕开口 203提供凹槽或两个沟槽204，用以容纳各自的基板。
[0030]于此要注意，虽然本公开并不限于此种情况，第一基板载体板201例如在用以处理基板的处理装置中可设立在垂直的方向。藉此，根据一实施例，该实施例可与所述的其他实施例结合，第一基板载体板201的表面可以在大体上平行于重力方向的方向上被定向。
[0031]根据其他实施例，环绕各自开口 203的沟槽204的宽度是在从