专利名称：磁头中用于杂散场的减小的双重切口的屏蔽件和磁极结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及下列公共受让的专利申请用于减小拐角杂散磁场的翼状设计，文档号为HSJ9-2004-0170；用于垂直记录的具有倾斜翼的单切口的屏蔽件和磁极结构，文档号为HSJ9-2004-0269；以及在垂直写头中用于减小的杂散场的翼状磁极和屏蔽件结构，文档号为HSJ9-2004-0341。
计算机长期存储的核心是被称作磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括旋转磁盘、被悬臂悬挂在旋转磁盘表面附近的写和读头、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转磁盘上选定圆形磁道上的致动器(actuator)。读和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂使滑块偏向磁盘表面，当磁盘旋转时，磁盘附近的空气和磁盘表面一起移动。滑块在磁盘表面上该移动气垫上飞行。当滑块骑在气垫上时，写和读头被用于将磁转变(magnetictransition)写入旋转磁盘并从旋转磁盘读取磁转变。读和写头连接根据计算机程序运行的处理电路从而实现写和读功能。
写头通常包括埋入在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，该绝缘堆叠被夹在第一和第二极片层之间。在写头的气垫面(ABS)处间隙通过间隙层形成在第一和第二极片层之间，该极片层在背间隙处连接。传导到线圈层的电流在极片中感应磁通，其导致磁场在ABS写间隙处弥散出来，用于在移动介质上磁道中写上述磁转变，例如在上述旋转磁盘上圆形磁道中。
在近来的读头设计中，自旋阀传感器，也称为巨磁致电阻(GMR)传感器，已经被用于检测来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括下文中称为间隔层的非磁性导电层，其被夹在下文中称为被钉扎层和自由层的第一和第二铁磁层之间。第一和第二导线连接到自旋阀传感器，以传导通过那里的检测电流。该被钉扎层的磁化被钉扎在垂直于气垫面(ABS)，该自由层的磁矩位于平行于ABS，但可以响应于外磁场自由旋转。该被钉扎层的磁化通常通过与反铁磁层的交换耦合而被钉扎。
间隔层厚度被选择为小于通过该传感器的传导电子的平均自由程。采用此安排，一部分传导电子被间隔层与被钉扎层和自由层每个的界面所散射。当被钉扎层和自由层的磁化彼此平行时，散射最小，当被钉扎层和自由层的磁化反平行时，散射最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器的电阻，其中θ是被钉扎层与自由层的磁化之间的角度。在读模式中，自旋阀传感器的电阻相对于来自旋转磁盘的磁场的大小成比例地改变。当检测电流传导通过该自旋阀传感器时，电阻变化导致电压变化，其被探测到并作为重放信号(playback signal)处理。
当自旋阀传感器采用单个被钉扎层时其被称为简单自旋阀。当自旋阀采用反平行(AP)被钉扎层时其被称为AP被钉扎自旋阀。AP自旋阀包括被薄非磁性耦合层如钌间隔开的第一和第二磁层。选择该间隔层的厚度从而反平行耦合被钉扎层的铁磁层的磁化。自旋阀根据钉扎层是在顶部(形成在自由层之后)还是在底部(在自由层之前)也称为顶型自旋阀或底型自旋阀。
自旋阀传感器位于第一和第二非磁性电绝缘读间隙层之间，该第一和第二读间隙层位于铁磁性第一和第二屏蔽层之间。在合并式磁头(merged head)中单个铁磁层作用为读头的第二屏蔽层并且作用为写头的第一极片层。在背负式(piggyback)磁头中该第二屏蔽层和该第一极片层是分开的层。
被钉扎层的磁化通常被铁磁层中的一个(AP1)与反铁磁材料例如PtMn的层之间的交换耦合所固定。虽然反铁磁材料例如PtMn内部和本身没有磁化，但是当与磁性材料交换耦合时，它可以强烈地钉扎该铁磁层的磁化。
为了满足日益增长的提高数据速度和数据容量的需求，研究人员近来已经集中努力于垂直记录系统的开发。传统的纵向记录系统，例如引用了上述写头的记录系统，将数据存储为磁盘表面的平面中沿磁道纵向取向的磁位。该纵向数据位通过形成在由写间隙分隔开的一对磁极之间的弥散场(fringingfield)被记录。
相反，垂直记录系统记录数据为取向垂直于磁盘平面的磁转变。磁盘具有被薄的硬磁性顶层覆盖的软磁衬层。垂直写头包括具有非常小的横截面的写极和具有大得多的横截面的返回极。强的、高度集中的磁场从写极以垂直于磁盘表面的方向发出，磁化硬磁性顶层。产生的磁通然后穿过软磁衬层行进，返回到返回极，在那里它充分地展开并且是弱的，从而在其回到返回极的路上当其从背后穿过硬磁顶层时它不会擦除写极记录的信号。
作为这样的垂直记录系统的结果已经出现的一个问题是磁介质对杂散磁场敏感。较大磁结构例如用来磁隔离读传感器的磁屏蔽件充当大的磁天线。如磁天线一样，这些结构收集并集中来自众多外来的外部源的磁场，例蜂窝电话、机场保安设备和许多其它这样的源。
垂直磁记录系统中的介质的软磁衬层对捡拾从这样的磁结构发出的磁场特别敏感。可以参考图1更清楚地理解此现象，其示出可以是例如磁屏蔽件或某些其它结构诸如写头的磁极的磁结构102。磁结构102充当磁天线，收集场线104所示的外来磁场。这在该磁结构中引起由磁通线106表示的生成磁通。本领域技术人员将理解，线104描述穿过空间行进时的磁场，而线106描述经磁介质诸如结构102行进的生成磁通。应指出的是，虽然磁通106被描述为由垂直场产生，但是当存在倾斜某其它角度的场时将会出现相似的结果。
磁通106在磁结构102的拐角处变得高度集中。结果，集中的磁场106从磁结构102的拐角处发出，行进到磁介质110附近的软磁衬层108。软磁衬层的软磁属性导致其强烈吸引并吸收磁场。事实上，仅50高斯的环境杂散场就可以导致从磁结构102中发出的场106高达6000高斯。在行进到软磁衬层108时，集中的磁场106行经硬磁顶层112，并在该过程中磁化顶层112。通过这样做，磁场106完全擦除可能已预先记录在顶层112上的任何数据。可以意识到，这是非常有问题的。
虽然磁结构例如磁屏蔽件和磁极表现出上述问题，但是这样的磁结构是磁记录头的必要部件，不能简单地被除去。因此，迫切需要一种用于磁结构的设计，其可以允许磁结构为其预期目的(例如磁屏蔽)的有效性能，同时避免这样的不需要的杂散场写入。对上述问题的这样的解决办法优选将不涉及到显著的工艺复杂性的增加，并且将允许目前可得到的所需磁材料的使用。
发明内容
本发明提供一种在磁头中使用的磁结构。该结构具有位于远离ABS的后沿且具有诸如台阶或切口(notch)的至少一个间断(discontinuity)。
该结构优选包括第一和第二切口，其定义形成在其之间的升高的向后延伸部分。该切口优选延伸到该磁结构的外端。
该磁结构的后端的构造使得该结构非常地抗杂散场写入，尤其对于具有方向垂直于ABS的分量的外来磁场。
该磁结构也可以具有包括第三和第四切口的前沿(在ABS侧)，其定义在其之间的向前延伸部分。在此意义上，该结构是双重切口的(doublenotched)，因为其具有形成在该前沿和该后沿两者处的切口。该前面的切口优选从该向前延伸部分延伸到该结构的外端，产生从该向前延伸部分延伸到该结构的外端的凹进部分(从该ABS凹进)。
该向前延伸部分可以是一结构诸如磁屏蔽件或写元件的磁极的功能部分，并且可延伸到并暴露于ABS处或者从ABS稍微凹进去。该向前延伸部分和该向后延伸部分两者都优选形成在该结构的中心，但是也可以偏移在某其它位置。该凹进部分形成在该结构的前沿且可以是楔形的，从而随着它们横向向外延伸它们向后倾斜远离ABS。
该磁结构的双重切口设计使得该结构非常抵抗来自具有垂直于ABS平面和平行于ABS平面两者分量的杂散磁场的杂散场写入。
本发明有助于减小在暴露于磁头的有效表面(active surface)上的拐角处的磁通(进而磁场)的集中。该磁头结构和软磁衬层的总体几何构型和磁属性是决定出现在这些拐角处以及响应于写电流和/或外场而感应的绝对场的其它因素。对写电流和沿各种方向的外场分量的相对灵敏度可以通过改变该磁头结构的几何构型来调节。例如，更宽的翼倾向于减小(改进)对于“跨磁道(cross-track)”的外场的灵敏度，但是增加(恶化)对于“垂直”的外场的灵敏度。通过调整该磁头结构的几何构型而产生这样的折衷的能力在最大化该记录系统反抗外场的总体强度方面也是非常重要的。
结合附图阅读下面的优选实施例的详细说明，本发明的这些和其它特征和优点将更加明显，全部附图中相同的附图标记表示相同的元件。
为了更全面地理解本发明的本质和优点，以及优选的使用模式，请结合附图阅读下面的详细说明，该附图不符合比例。
图1是磁结构的视图，示出环境磁场对该磁结构和附近磁介质的影响；图2是磁盘驱动系统的示意图，其中可实施本发明；图3是由图2的线3-3取得的滑块的ABS视图，示出了在其上的磁头的位置；图4是由图3的线4-4取得并旋转180度的根据本发明的实施例的磁头的ABS视图；图5是由图4的线5-5取得的放大显示的根据本发明的实施例的磁结构的视图；图6是类似于图5的根据本发明的可选实施例的磁结构的视图；以及图7是类似于图5的根据本发明的可选实施例的磁结构的视图。
具体实施例方式
下面的描述是关于用于实施本发明的目前预期的优选实施例。该说明的目的是阐明本发明的基本原理，而并不是要限制这里所声明的发明概念。
现在参考图2，示出实现本发明的磁盘驱动器200。如图2所示，至少一个可旋转的磁盘212被支持在轴214上，并且被磁盘驱动马达218所旋转。每个磁盘上的磁记录是磁盘212上的同心数据磁道的环状图案(未示出)的形式。
至少一个滑块213位于磁盘212附近，每个滑块213支持一个或更多个磁头组件221。当磁盘旋转时，滑块213在磁盘表面222之上径向进出移动，从而磁头组件221可以进入磁盘的所需数据写在其中的不同磁道。每个滑块213借助悬臂215附着到致动臂219。悬臂215提供轻微的弹力，该弹力偏置滑块213倚着磁盘表面222。每个致动臂219附着到致动装置227。如图2所示的致动装置227可以是音圈马达(VCM)。该VCM包括可在固定磁场中移动的线圈，该线圈移动的方向和速度被由控制器229提供的马达电流信号所控制。
磁盘存储系统运行期间，磁盘212的旋转在滑块213和磁盘表面222之间产生对滑块施加向上的力或举力的气垫。于是在正常运行期间该气垫平衡悬臂215的轻微的弹性力，并且支持滑块213离开磁盘表面并且以小的充分恒定的距离稍微浮于磁盘表面之上。
磁盘存储系统的各种组元在运行中由控制单元229产生的控制信号来控制，例如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元229含有逻辑控制电路，存储设备和微处理器。控制单元229产生控制信号从而控制各种系统操作，例如线223上的驱动马达控制信号以及线228上的磁头定位和寻道控制信号。线228上的控制信号提供所需的电流曲线(current profile)，从而优化地移动并定位滑块213到磁盘212上的所需数据磁道。写和读信号借助记录通道225传达到写头和自读头传出。
参考图3，滑块213中的磁头221的取向可以看得更详细。图3是滑块213的ABS视图，正如所见，包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾沿。上述普通磁盘存储系统的说明和附图2仅以说明为目的。应该明显的是，磁盘存储系统可以包含多个磁盘和致动器，并且每个致动器可以支持多个滑块。
现在参考图4，说明用于垂直磁记录系统中的磁头221。磁头221包括写元件402和读传感器404。该读传感器优选是巨磁致电阻(GMR)传感器并且优选是电流垂直于平面(CPP)的GMR传感器。CPP GMR传感器特别适合用于垂直磁记录系统中。然而，传感器404也可以是另一种类型的传感器，例如电流平行平面(CIP)的GMR传感器、隧道结传感器(TMR)或者某些其它类型的传感器。传感器404位于第一和第二磁屏蔽件406、408之间并与它们绝缘。可以由例如CoFe或NiFe构成的该磁屏蔽件吸收磁场，例如来自前面的或后面的磁道数据信号的磁场，确保读传感器404仅探测位于屏蔽件406、408之间的所需数据磁道。
继续参考图4，写元件402包括磁连接磁成形层(magnetic shapinglayer)412的写极410。该写极在气垫面ABS具有小的横截面，并且由具有高饱和、大磁矩的磁性材料例如Co或CoFe构成。该成形层412由磁性材料例如CoFe或NiFe构成，并且具有平行于ABS表面的显著大于写极410横截面的横截面。
写元件402还具有返回极414，其优选具有暴露在ABS面的表面并且具有比写极410的平行于ABS面的横截面大得多的平行于ABS面的横截面。该返回极414通过背间隙部分416磁连接成形层412。返回极414和背间隙416可以由例如NiFe、CoFe或某些其它磁性材料构成。
图4中的横截面示出的导电写线圈418在成形层412和返回极414之间穿过写元件402。写线圈418被电绝缘材料420包围，该电绝缘材料420使线圈418的各匝彼此绝缘，并且使线圈418和周围磁结构410、412、416、414电隔离。当电流经过线圈418时，产生的磁场导致磁通流经返回极414、背间隙416、成形层412和写极410。该磁通导致写场422朝向附近的磁介质424发出。正如背景技术中所说明的，该磁介质优选包括薄的硬磁顶层426和软磁衬层428。来自写极410的强的、高度集中的磁场磁化(即固定其磁矩)硬磁顶层426，并且产生的磁通430经软磁衬层428行进。该磁通行进到返回极414，在那里它朝向返回极414从背后穿过硬磁顶层426。当磁通430穿过顶层426到达返回极414时，其已经充分展开并且是弱的，以至于不能影响硬磁顶层426的磁化。
继续参考图4，围绕写元件402、屏蔽件406、408和磁致电阻读元件的区域被非磁性电绝缘材料432例如铝氧化(Al2O3)所填充。该绝缘材料432可形成为多层。
现在参考图5，说明对杂散场写入具有提高的抵抗力的磁结构500。该磁结构可以是可出现在具有虚线502所表示的气垫面(ABS)的磁头221中的例如磁屏蔽件406和408(图4)、磁返回极414(图5)或者任何其它必要的磁结构。对于磁屏蔽件来说杂散场写入问题特别敏锐，因为它们本来就被构造来从它们的周围吸收磁场。因此，为清楚起见，将按照磁屏蔽件500来说明该磁结构，尽管应该明白的是，该磁结构500可以是任何磁结构。
如上面在背景技术中所说明的，由许多不同来源如机场保安设备或蜂窝电话引起的环境磁场，导致流经屏蔽件500的磁通。磁通的经过磁结构的流动受这样的结构的几何构型严重影响。磁通线在突变特征尤其是磁结构的拐角处变得高度集中。现有技术的通常具有带位于ABS附近的尖锐拐角的矩形构造的磁屏蔽件在ABS附近表现出磁通的强烈集中，其导致磁场从这些拐角朝向附近的磁介质发出。这导致杂散场写入和磁信号从部分磁介质的完全擦除。具有直的或平坦的后沿(远离ABS)的矩形形状的结构使得结构易受例如以背景技术所述的方式集中具有垂直分量的杂散场的影响。
继续参考图5，该磁结构(屏蔽件)500对来自于垂直场和水平场以及既有水平面分量又有垂直面分量的场的杂散场影响具有良好的抵抗力。该屏蔽件500包括延伸或前凸部分504，其朝向ABS表面502延伸。该前凸部分504优选延伸到且暴露于ABS表面，但是也可以从ABS 502凹进某些量，另外优选在ABS 502具有平坦表面。凸出部分504优选形成在屏蔽件500的中心或屏蔽件500的中心的附近。形成在该凸出部分每一侧的第一和第二切口506、508形成凸出部分504的侧面510、512，定义该凸出部分504的宽度W1。当自ABS测量时，切口506、508优选凹进到磁头221中0.3μm到8μm，或更优选地0.3μm到3μm，定义该前凸部分的深度D1。该切口506、508终止于内拐角514、516，其可以是尖的或者圆的。切口506、508也形成外拐角513、515，其也可以是尖的或圆的。
屏蔽件500还包括从切口506、508横向向外延伸的第一和第二横向延伸凹进部分518、520。每个横向延伸凹进部分518、520具有前沿522、524，其可以有某种轮廓线，但是优选是直的。横向延伸部分在其内端的凹进量是D1。横向延伸部分518、520的此凹进量可以沿横向延伸部分518、520的长度方向基本恒定或可以变化。
屏蔽件500具有后沿526，其包括向后延伸部分528。向后延伸部分528从屏蔽件500的后沿526在远离ABS 502的方向延伸。第一和第二切口530、532形成向后延伸部分528的第一和第二横向相对的侧壁534、536。侧表面534、536优选形成相对于ABS 502为80-100度或约90度的角。
仍参考图5，后凸部分528具有从ABS测量的作为从后沿526到向后延伸部分528的后沿538的距离的深度D2。屏蔽件500具有总体深度D3，其是从ABS测量的从前凸部分504的前沿到后凸部分的后沿538的距离。
继续参考图5，前凸部分具有沿ABS面测量的宽度W1，其是由切口506、508形成的第一和第二横向相对的侧面510、512之间的距离所定义。
继续参考图5，屏蔽件500具有包括从第一横向延伸凹进部分518的末端525到第二横向延伸凹进部分520的末端527测量的横向宽度W2的总体尺寸。另外，继续参考图5，屏蔽件500具有取向垂直于页面平面的厚度(未示出)。该厚度可变，但优选是0.3μm-5μm。尽管上面已经提到过，应该再次指出的是，在这里磁结构500按照磁屏蔽件说明，但是其可以是现有或未来磁头所需的许多其它类型的磁结构之一。后凸部分528可以优选地，但不是必须地，位于靠近磁结构500的中心，且可以具有横向上对齐前延伸部分504的侧面510、512的侧面534、536。然而，取决于设计考虑，后延伸部分的侧面534、536可以横向上不对齐前延伸部分504的侧面510、512。
虽然上面的实施例已经被描述为具有向后延伸部分，但是在更一般的意义上，本发明是具有间断的后沿526的磁结构500。换言之，后沿526包括至少一个台阶，例如侧面530、532，其阻止该后沿从一个横向末端525到另一个横向末端527形成完全笔直的线。此间断或台阶可通过许多不同构造之一来提供，例如下降凹进而不是延伸部分528或甚至如一系列台阶，或者远离或者朝向ABS。因此，本发明可以被描述为具有位于远离ABS的间断的后沿。
由后切口或台阶530、532所提供的该间断防止杂散场的集中，尤其是来自具有垂直于ABS 502的分量的杂散磁场。切口或台阶530、532的存在将该结构分成具有比作为整体的结构500更小的横向尺寸的多个区域。如本领域技术人员可意识到的，具有更小横向尺寸的单独区域更难磁饱和，其使得它们不容易发出强的集中的磁场。这导致了少得多的杂散场写入，尤其是来自具有垂直于ABS 502的分量的磁场。
参考图6，本发明的可选实施例包括屏蔽件600，其具有带楔形前沿606、608的横向延伸凹进部分602、604。该前沿是楔形的从而该凹进量随着朝向横向外端610、612的距离的增加而增加。该楔形前沿606、608的斜率可以被定义为距ABS 502的变化距离除以相应的横向距离的变化。通过移动横向延伸部分606、608的外拐角远离ABS 502，该横向延伸部分的楔形可以进一步提高对抗杂散场写入的抵抗力。因为该外拐角是磁通将最可能集中的地方，移动此点远离ABS防止从该拐角发射的场磁化附近的磁介质。楔形前沿606、608对防止来自于具有平行于ABS 502的分量的杂散磁场的杂散场写入特别有用。
现在参考图7，本发明的可选实施例包括磁结构700，其具有后沿切口或凹处702。应该指出的是，本发明通常考虑具有带间断的后沿的结构。因此，该后沿可以具有单个台阶、一系列台阶或打破该结构的磁范围(magneticdomain)的任何形式的间断。
虽然上面说明了本发明的各种实施例，但是应该明白的是，它们只是以示例的方式被提出，而不是限制。落入本发明范围之中的其它实施例对本领域技术人员也变得明显。例如，虽然本发明已经被说明为被引用在垂直记录系统中，并且将尤其适合于在这样的系统中使用，但是本发明可以在包括纵向磁记录系统的任何磁记录系统中实施。因此，本发明的广度和范围不应被局限于任何上述示例性实施例，但是应该仅根据后附的权利要求及其等价物来定义。
权利要求
1.一种用于具有气垫面(ABS)的磁记录头中的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的侧面；后沿，其远离该ABS设置，且从该第一横向侧面向该第二横向侧面延伸；形成在该后沿中的间断。
2.如权利要求1所述的磁结构，其中该间断是台阶。
3.如权利要求1所述的磁结构，其中该间断是形成相对于该ABS具有约90度角的表面的台阶。
4.如权利要求1所述的磁结构，其中该间断是形成相对于该ABS具有80-100度之间的角的表面的台阶。
5.一种用于具有气垫面(ABS)的磁记录头中的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的侧面；后沿，其远离该ABS设置，且从该第一横向侧面向该第二横向侧面延伸；形成在该后沿中的多个间断。
6.如权利要求5所述的磁结构，其中该多个间断中的每个是台阶。
7.如权利要求5所述的磁结构，其中该多个间断中的每个是形成相对于该ABS具有约90度角的侧面的台阶。
8.如权利要求5所述的磁结构，其中该多个间断中的每个是形成相对于该ABS具有80到90度之间的角的侧面的台阶。
9.如权利要求5所述的磁结构，其中该磁结构包含选自含有Co和Fe的组的材料。
10.如权利要求5所述的磁结构，其中该间断是凹处。
11.一种用于具有气垫面(ABS)的磁记录头中的磁结构，该磁结构包括向前延伸部分，其向ABS延伸并终止于第一和第二横向相对的侧面；第一和第二横向延伸凹进部分，其从该向前延伸部分的第一和第二侧面横向向外延伸；后沿，其背对该ABS设置且具有至少一个台阶。
12.如权利要求11所述的磁结构，其中该台阶相对于该ABS形成80到100度的角。
13.如权利要求11所述的磁结构，其中该台阶相对于该ABS形成约90度的角。
14.一种用于具有气垫面(ABS)的磁记录头中的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的末端；后沿，其远离该ABS设置；第一和第二切口，其形成在该后沿中且在其之间定义向后延伸部分。
15.如权利要求14所述的磁结构，其中该第一和第二切口从该向后延伸部分向该磁结构的各个第一和第二横向相对的末端延伸。
16.如权利要求14所述的磁结构，其中该第一和第二切口形成该向后延伸部分的第一和第二侧面。
17.如权利要求16所述的磁结构，其中该第一和第二侧面中的每个包括相对于该ABS具有80到100度角的表面。
18.如权利要求16所述的磁结构，其中该第一和第二侧面中的每个包括相对于ABS具有约90度角的表面。
19.一种用于磁记录系统中的磁头组件，该磁头组件包括具有气垫面的滑块；与该滑块连接的磁写元件；与该滑块连接的磁致电阻读元件；以及与该滑块连接的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的末端；远离ABS设置的后沿；第一和第二切口，其形成在该后沿中且在其之间定义向后延伸部分。
20.如权利要求19所述的磁头组件，其中该磁结构还包括前沿，其朝向ABS设置且具有第三和第四切口，该第三和第四切口定义在其间的向前延伸部分。
21.如权利要求20所述的磁头组件，其中该第三和第四切口中的每个从该向前延伸部分向该横向相对的末端中的一个延伸。
22.如权利要求19所述的磁头组件，其中该向后延伸部分设置在该磁结构的在该横向相对的末端之间测量时的中心附近。
23.如权利要求20所述的磁头组件，其中该向前延伸部分和该向后延伸部分二者都被设置在该磁结构上的从该横向相对的末端测量时的中心。
24.一种用于磁盘驱动器中的悬架组件，包括悬臂；与该悬臂连接的滑块，该滑块具有气垫面(ABS)；与该滑块连接的写元件；与该滑块连接的磁致电阻传感器；以及与该滑块连接的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的末端；远离该ABS设置的后沿；第一和第二切口，其形成在该后沿中且定义在其间的向后延伸部分。
25.如权利要求24所述的悬架，其中该磁结构还包括前沿，其朝向ABS设置且具有第三和第四切口，该第三和第四切口定义在其间的向前延伸部分。
26.如权利要求25所述的悬臂，其中该第一和第二切口中的每个从该向后延伸部分向一横向相对的末端延伸，并且该第三和第四切口中的每个从该向前延伸部分向一横向相对的末端延伸。
27.一种磁性数据记录系统，包括磁介质；致动器；滑块，其与该致动器连接，用于在磁介质的表面附近的移动；与该滑块连接的磁写头；与该滑块连接的磁致电阻传感器；以及与该滑块连接的磁结构，该磁结构包括第一和第二横向相对的末端；远离ABS设置的后沿；第一和第二切口，其形成在该后沿中且定义在其之间的向后延伸部分。
28.如权利要求27所述的磁性数据记录系统，其中该第一和第二切口中的每个从该向后延伸部分向一横向相对的末端延伸。
29.如权利要求27所述的磁记录系统，其中该磁结构还包括具有第三和第四切口的前沿，该第三和第四切口定义在其间的向前延伸部分。
30.如权利要求27所述的磁性数据记录系统，其中该第三和第四切口中的每个从该向前延伸部分向一横向相对的末端延伸。
全文摘要
本发明涉及一种在磁头中用于避免杂散场写入的双重切口的磁结构。该结构可以是磁屏蔽件、写头的磁极或者是使用在磁记录系统的磁头中的某其它磁结构，且具有形成在前端(ABS附近)和在后端(远离ABS)两者处的切口。在前端的切口形成实现该结构必要功能例如磁屏蔽的前凸部分，且具有移动该结构的磁通集中点远离ABS以避免杂散场写入的横向延伸凹进部分(通过前切口凹进)。后切口形成向后延伸部分，其影响该结构的几何构型以防止具有垂直于ABS的分量的杂散磁场导致的磁通的集中。
文档编号G11B21/21GK1766999SQ20051009954
公开日2006年5月3日 申请日期2005年9月13日 优先权日2004年10月29日
发明者何国山, 徐一民, 曾庆骅 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司