专利名称：存储介质再现设备和从存储介质读出信息的存储介质再现方法
技术领域：
本发明涉及存储介质再现设备和从存储介质中读出信息的存储介质再现方法。
背景技术：
最近几年，诸如闪存的根据电荷量存储信息的半导体存储器已经被公知。另外，已经开发了对电荷量设置多个阈值的多值存储器技术以存储多位信息。
在这种半导体存储器中，随着时间释放出电荷。因此，当释放的电荷量超过阈值时，在信息读出时产生错误。尤其是在具有狭窄间隔阈值的多值存储器中，产生错误的可能性高。
同时，为了维持存储信息的可靠性，举例来说根据日本专利申请特许公开第H11-154394中公开的方法，给每个包含若干存储元件的存储单元组分配纠错码(error correction code)，并且使用纠错码校正信息的误差。
但是，由于放电电荷量超过阈值的存储元件在读出时不断产生错误。因此，根据传统纠错方法，每次实施读出时都需要相同的纠错操作，在每个纠正操作中导致大的计算量。
除了由于放电而不断产生错误的存储元件外，可以会有新产生错误的存储元件。为了纠正这样大数目的存储元件的错误，需要大量的纠错码。这就导致在每个纠正操作中导致更大量的计算。
发明内容
根据本发明的一个方面，存储介质再现设备包括存储单元、纠正(correction)历史存储单元、纠正历史实现单元和纠正单元。存储单元包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元，以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元。纠正历史存储单元存储包含用于识别在信息存储单元中使用纠错码实现纠正操作的信息存储单元的识别信息的纠正历史，以及纠正内容。纠正历史实现单元当从通过识别信息识别出的信息存储单元中读出信息时，按照存储在纠正历史存储单元中的纠正内容纠正信息。纠正单元使用纠错码对纠正的信息实施纠正操作，并且在纠正历史存储单元中记录包含识别信息和使用纠错码纠正的信息存储单元纠正内容的纠正历史。
根据本发明的另一个方面，存储介质再现方法包括按照存储在存储纠正历史的纠正历史存储单元中的纠正内容纠正从识别信息识别的信息存储单元中读出的信息，所述纠正历史包括纠正内容和用于识别在多个信息存储单元中使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息，每个信息存储单元根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息；以及使用纠错码对纠正的信息实施纠正操作，并且在纠正历史存储单元中记录包括纠正内容和使用纠错码纠正的信息存储单元识别信息的纠正历史。
图1是表示根据本发明第一实施方案的存储介质再现设备结构的方框图；图2表示用4-值存储元件形成的存储单元等效电路的实例；图3表示存储元件的放电；图4表示存储元件电荷分布的一个实例；图5表示纠正历史存储单元的实例数据结构；图6是根据第一实施方案的存储介质再现操作的流程图；图7是根据本发明第二实施方案的存储介质再现操作的流程图；图8是根据本发明第三实施方案的存储介质再现设备结构的方框图；图9表示纠正历史存储单元的实例数据结构；图10是根据第三实施方案的存储介质再现操作的流程图；图11是根据本发明第四实施方案的存储介质再现设备结构的方框图；图12是根据第四实施方案的存储介质再现操作的流程图。
具体实施例方式
下面将参考附图详细解释根据本发明的存储介质再现设备和存储介质再现方法的示例实施方案。
根据第一实施方案的存储介质再现设备在存储单元中存储使用过去的纠错码的纠正历史，并且在信息读出时参考纠正历史实施纠正操作。存储介质再现设备还使用纠错码对参考历史实施的纠正结果实施纠正操作。
图1是表示根据第一实施方案的存储介质再现设备100结构的方框图。如图1所示，存储介质再现设备100包括存储单元M1至Mn、纠正历史存储单元EL1至ELn、控制单元101、纠正历史实现单元102和纠正单元103。
存储单元M1至Mn是利用电荷量相对电荷量预定阈值的差值而存储信息的存储元件。可以用常用的半导体存储器，例如闪存或DRAMs(动态随机存取存储器)形成存储单元M1至Mn。还可以用保持一个阈值并存储由0和1组成的二进制信息的二进制存储元件来形成存储单元M1至Mn。可选地，可以用保持不同阈值的多值存储元件形成存储单元M1至Mn。在下文中，描述了用4-值存储元件形成存储单元M1至Mn的结构。
存储单元M1至Mn分别包括存储元件组MC1至MCn和纠错码存储单元EC1至ECn。存储元件组MC1至MCn是每个包括存储元件(4-值存储元件)的存储单元。存储在存储单元M1至Mn中的信息实际上存储在存储元件组MC1至MCn中。
与存储元件组MC1至MCn相似，纠错码存储单元EC1至ECn是每个包括存储元件(4-值存储元件)的存储单元。代替存储的信息，纠错码存储单元EC1至ECn存储与要存储的信息相应的纠错码。构成每个纠错码存储单元EC1至ECn的存储元件的数量不局限于1，而是可以达到用于纠正的最大可能的数量。
图2表示包括4-值存储元件的存储单元等效电路的实例。图2所示的等效电路是存储单元M1至Mn的一个存储单元(下文称作存储单元Mn)。
如图2所示，存储单元Mn包括存储元件(元件0至元件i)，并且设计成在每个存储元件中累积电荷。通过比较器比较累积的电荷与三个阈值，从而可以输出位B0和位B1的2-位信息。因此，可以存储4-值信息(01、00、10、11)。
部分存储元件(元件0至元件i)构成图11中所示的存储元件组MCn，并且其余存储元件构成纠错码存储单元ECn。
图3表示从存储元件中放电。在图3所示的图中，写入起始点由0代表，横坐标表示消逝的时间并且纵坐标表示输出电压。诸如闪存或DRAM的半导体存储器甚至在关闭电源时也能维持存储的内容。但是，在过去长时间后，累积在存储元件中的电荷放电并且输出电压降低，如图3所示。
图4表示存储元件中电荷分布的实例。图4左侧表示刚写入操作后观察到的电荷分布。图4右侧表示过去一段时间后观察到的电荷分布。电荷量的阈值由Eth0至Eth2表示。
如图4所示，累积在存储元件中的电荷随着时间而放电，并且电荷分布接近阈值。结果，在信息读出时引起错误的可能性变高。
纠正历史存储单元EL1至ELn是存储纠正单元103使用纠错码纠正的内容历史的存储单元。用不需要刷新操作的存储元件，例如FeRAMs(铁电随机存取存储器)或SRAMs(静态随机存取存储器)形成纠正历史存储单元EL1至ELn。
当纠正历史实现单元102参照纠正历史和纠正信息时，查询纠正历史存储单元ELn。在第一实施方案中，存储单元M1至Mn分别包括纠正历史存储单元EL1至ELn。
图5表示纠正历史存储单元EL1至ELn的实例数据结构。图5中所示的数据结构是纠正历史存储单元EL1至ELn的一个纠正历史存储单元(下文称作纠正历史存储单元ELn)的数据结构。
如图5所示，纠正历史存储单元ELn在存储元件组MCn包含的存储元件中存储用纠错码纠正的存储元件的元件ID。与纠正内容相联系地存储元件ID。例如，当将“11”纠正为“10”时，存储“11→10”的信息。
每次在相应的存储单元M1至Mn中写入新的信息时，擦除存储在纠正历史存储单元EL1至ELn中的纠正历史。这是因为当写入新的信息时，存储单元组MC1至MCn中积累了足够的电荷。
控制单元101接收例如涉及存储单元M1至Mn的信息读出命令的指令。根据该指令，控制单元101选择从中读出信息的存储单元，并且控制纠正操作。
纠正历史实现单元102对从存储单元M1至Mn中读出的信息参照存储在相应纠正历史存储单元EL1至ELn中的纠正历史。然后，纠正历史实现单元102实施与纠正历史中包含的纠正内容相同的纠正操作。
举例来说，当读出存储单元Mn的信息并且将“元件ID＝1”和“纠正内容＝11→10”的纠正历史存储在纠正历史存储单元ELn中时，对存储单元Mn中具有元件ID“1”的元件实施将信息“11”转变成“10”的操作。
纠正单元103根据纠正历史的纠正内容使用纠错码对通过纠正历史实现单元102纠正的信息实施纠正操作。通过能够立即解码的传统纠错技术，诸如BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)解码或RS(Reed-Solomon)解码实施使用纠错码的纠正操作。
纠正单元103也在纠正历史存储单元EL1至ELn中存储纠错操作的内容。更具体地说，在纠正历史存储单元EL1至ELn中的纠正前后，与包含信息的纠正内容相关地存储具有错误的存储元件的元件ID。
接下来，说明通过具有上述结构的存储介质再现设备100实施的存储介质再现操作。图6是根据本发明的整个存储介质再现操作的流程图。
首先，控制单元101从存储了指定要再现的信息的存储单元中读出信息(步骤S601)。此处，从存储单元Mk(k是整数)中读出信息。
纠正历史实现单元102从相应于存储单元Mk的纠正历史存储单元ELk中获得过去纠正的内容，并且根据所获得的纠正内容对读出信息实施纠正操作(步骤S602)。
图5中所示的纠正历史举例来说存储在纠正历史存储单元ELk中，并且在步骤S601中，从存储单元Mk中存储元件组MCk中包含的存储元件中的元件ID“1”的存储元件中读出信息“11”。在此情况下，在纠正历史存储单元ELk中存在相应于元件ID“1”的纠正历史，并且纠正内容表示从信息“11”改变成“10”。因此，根据该纠正内容将信息“11”改变成“10”。
尽管在使用纠错码的传统纠错操作中需要识别已经产生错误的元件并且识别要纠正的值的计算，但是在第一实施方案中不需要这种计算。因此，可以降低每次纠正操作中的工作量。
接下来，纠正单元103判定在纠正历史实现单元102纠正的信息中是否存在错误(步骤S603)。如果存在错误(步骤S603中“是”)，纠正单元103使用纠错码判定是否可处理错误(步骤S604)。更具体地说，使用上述纠错技术，根据错误位的数量是否超过可纠正的位的数量来判定是否进行纠正。
如果判定可以进行纠正(步骤S604中“是”)，纠正单元103计算错误位置和错误矢量，并且纠正信息(步骤S605)。错误位置是表示存储元件中产生错误的存储元件的信息，并且等同于纠正历史存储单元ELk的元件ID。错误矢量是表示将错误信息转化成正确信息的方法的信息，并且等同于存储在纠正历史存储单元ELk中的纠正内容。
接下来，纠正单元103记录计算的元件ID和纠正内容作为纠正历史存储单元ELk中的纠正历史(步骤S606)。在步骤S605中计算的纠正历史是当前信息读出操作中新产生的错误的纠正历史。按照这种方式，在纠正历史存储单元ELk中只另外记录新产生的错误的纠正历史，使得后来的读出操作中可以参照该纠正历史。
在纠正历史存储单元ELk中记录了纠正历史后(步骤S606)，或者判定在通过纠正历史实现单元102纠正的信息中不存在错误(步骤S603中“否”)时，纠正单元103输出纠正的信息，或者实施正常读出后的读出信息(步骤S607)。此时，存储介质再现操作结束。
如果判定不进行使用纠错码的纠正(步骤S604中“否”)，控制单元101输出已经产生错误的结果(步骤S608)。此时，存储介质再现操作结束。
如上所述，在根据第一实施方案的存储介质再现设备中，使用存储在存储单元中的纠错码，参照纠错历史来进行纠错。因此，可以降低每个纠正操作的计算工作量。另外，当仅对新产生的错误使用纠错码进行纠正时，可以降低纠正所需的纠错码的数量。
在第一实施方案中，甚至是放电以外的因素产生的错误，例如噪声引起的错误也被存储为纠正历史。因此，即使当消除了噪声并且正确地实施读出时，通过纠正历史实现方法也进行纠正。结果，可能做出不当的纠正。
根据第二实施方案的存储介质再现设备通过仅在认为使用纠错码纠正的错误由放电引起的时候才在存储单元中存储纠错内容而消除这个问题。
第二实施方案在纠正单元103实施的操作方面与第一实施方案不同。其它方面的结构和功能与图1方框图中所示的第一实施方案的存储介质再现设备100中相同，因此此处不重复其解释。
接下来，说明根据第二实施方案的存储介质再现设备实施的存储介质再现操作。图7是根据第二实施方案的存储介质再现操作的流程图。
步骤S701至步骤S705的信息读出过程和信息纠正过程与在根据第一实施方案的存储介质再现设备100中实施的步骤S601至步骤S605的过程相同，因此此处不重复其解释。
在使用纠错码纠正了所述信息(步骤S705)后，纠正单元103判定是否随着时间引起纠正的错误(步骤S706)。“随着时间引起的错误”是由如图3所示的存储元件的放电产生的错误。
更具体地说，如图4所示，纠正单元103判定由于放电信息中的错误是否超过阈值Eth0至Eth2。举例来说，信息“01”被错误地读出为“00”，可以认为由于放电，错误超过图4中所示的阈值Eth2。因此，纠正单元103判定随着时间引起错误。
随时间引起的错误包括“01→00”、“00→10”和“10→11”。当过去长的时间时，错误可能超过两个阈值，因此可能包括“01→10”、“01→11”和“00→11”。
如果判定随着时间没有引起错误(步骤S706中“否”)，在纠正历史存储单元EL1至ELn中不记录纠正历史，但是输出纠正的信息(步骤S708)。
如果判定随着时间引起错误(步骤S706中“是”)，在纠正历史存储单元EL1至ELn中记录纠正历史(步骤S707)，并且输出纠正的信息(步骤S708)。
同第一实施方案中一样，如果判定在步骤S704中不可能纠正，输出错误信息(步骤S709)。
如上所述，在根据第二实施方案的存储介质再现设备中，仅当使用纠错码纠正的错误可以看作由放电引起的错误时，才在纠正历史存储单元中存储纠错的内容，从而可以在后面的纠正操作中参照纠错的内容。因此，可以限制不必要的纠正操作至最小的可能数量。
根据本发明第三实施方案的存储介质再现设备将在单个存储单元中存储多个存储单元的纠正历史。
图8是表示根据第三实施方案的存储介质再现设备800结构的方框图。如图8所示，存储介质再现设备800包括存储单元M1至Mn、纠正历史存储单元EL、控制单元101、纠正历史实现单元802和纠正单元803。
第三实施方案不同于第一实施方案，在于仅一个纠正历史存储单元EL和通过纠正历史实现单元802和纠正单元803实施的操作。第三实施方案结构和功能的其它方面与图1方框图中所示的第一实施方案的存储介质再现设备100中相同，因此此处不重复其解释。
同第一实施方案的纠正历史存储单元EL1至ELn相似，纠正历史存储单元EL存储纠正单元803使用纠错码纠正的内容的历史。纠正历史存储单元EL用不需要刷新操作的存储元件，诸如FeRAMs和SRAMs形成。
尽管在第一实施方案中为存储单元M1至Mn提供了纠正历史存储单元EL1至ELn，但是在第三实施方案中只为存储单元M1至Mn提供一个纠正历史存储单元EL。
图9表示纠正历史存储单元EL的数据结构实例。如图9所示，纠正历史存储单元EL存储存储单元ID以识别存储单元M1至Mn中的主题存储单元，存储元件ID以在由存储单元ID识别的存储单元的存储元件组MCn中包含的存储元件中识别用纠错码纠正的存储元件，并且存储纠正的内容。此处，存储单元ID、元件ID和纠正内容彼此相关。
当涉及存储单元M1至Mn时，因为通常产生错误的存储单元的数量是有限的，所以对每个存储单元分配大的存储区域可能在存储区域中导致大的未使用的区域。在第三实施方案中，存储单元M1至Mn共享纠正历史存储单元EL，从而提高存储区域的使用效率。
纠正历史存储单元的数量不局限1个，而是可以使用多个的纠正历史存储单元。在此情况下，对存储单元M1至Mn分组，并且对每组提供一个纠正历史存储单元EL，从而在每组存储单元之间可以共享纠正历史存储单元EL。
纠正历史实现单元802搜索纠正历史存储单元EL，寻找已经读出信息的存储单元(存储单元M1至Mn之一)的存储单元ID相应的纠正历史。如果发现该纠正历史，根据纠正历史的内容实施纠正操作。
与第一实施方案的情况不同，在第三实施方案中，所有存储单元M1至Mn的纠正历史存储在一个纠正历史存储单元EL中。因此，寻找与已经读出信息的存储单元的存储单元ID相关的纠正历史。如果发现所述纠正历史，按照所得纠正历史中包含的纠正内容实施纠正操作。
类似第一实施方案的纠正单元103，纠正单元803按照纠正历史中的纠正内容使用纠错码对纠正历史实现单元802纠正的信息实施纠正操作。第三实施方案的纠正单元803与第一实施方案的纠正单元103不同，在于纠正历史存储单元EL中存储对所有存储单元M1至Mn的纠错操作的内容。
接下来，说明根据第三实施方案的存储介质再现设备800要实施的存储介质再现操作。图10是根据第三实施方案的存储介质再现操作的流程图。
步骤S1001中的信息读出操作与在第一实施方案的存储介质再现设备100中实施步骤S601的操作相同，因此不重复步骤S1001的解释。
在信息读出操作(步骤S1001)后，纠正历史实现单元802从纠正历史存储单元EL中获取已经从中读出信息的存储单元Mk过去的纠正内容，然后，按照过去纠正的内容实施纠正操作(步骤S1002)。更具体地说，从纠正历史存储单元EL中搜索与已经从中读出信息的存储单元Mk的存储单元ID相应的纠正历史。如果发现纠正历史，按照搜索到的纠正历史的纠正内容实施纠正操作。
步骤S1003至步骤S1008中使用纠错码的纠正操作和信息输出操作与在第一实施方案的存储介质再现设备100中实施的步骤S603至步骤S608的操作相同，因此此处不重复其解释。
如上所述，在根据第三实施方案的存储介质再现设备中，在一个纠正历史存储单元中存储多个存储单元的纠正历史。因此，可以减少存储纠正历史的存储元件的数量，并且增加存储区域的使用效率。
如果错误量超过预定阈值，根据第四实施方案的存储介质再现设备对存储元件实施刷新操作。
图11是表示据第四实施方案的存储介质再现设备1100结构的方框图。如图11所示，存储介质再现设备1100包括存储单元M1至Mn、纠正历史存储单元EL1至ELn、控制单元101、纠正历史实现单元102、纠正单元103和刷新控制单元1104。
因为添加了刷新控制单元1104，第四实施方案与第一实施方案不同。第四实施方案结构和功能的其它方面与图1方框图中所示的第一实施方案存储介质再现设备100中相同，因此此处不重复其解释。
如果表示错误产生程度的错误产生量超过预定的阈值，刷新控制单元1104实施刷新操作，从而维持存储元件的电荷量在正常的值。举例来说，在错误产生量是在纠正历史存储单元EL1至ELn中记录的纠正历史的数量时，当纠正历史数量超过预定阈值时实施刷新操作。
如果存储元件组MC1至MCn的存储元件的放电基本上以相同的速度进行，则具有大量纠正历史的存储元件组从上次写入操作开始过去了很长时间，并且趋向于包含许多因为电荷量超过阈值(图4中的Eth0至Eth2)而在信息读出操作中将产生错误的存储元件。因此，如果存储的纠正历史数量超过预定值，则实施刷新操作。
从写入信息操作和添加相应的纠错码的特性来看，在存储元件组MC1至MCn的存储元件中写入信息的计时不会变化很大。因此，可以认为存储元件组MC1至MCn的存储元件中的写入操作是同时实施的。因此，如上所述，纠正历史的数量可以用作判断错误产生量的判据。
错误产生量的判据不局限于纠正历史的数量，而是只要其表示错误产生的程度就可以是任何类型的信息。
举例来说，用纠错码新纠正的存储元件的数量可以用作错误产生量的判据。在使用纠正码通过纠正操作新发现许多错误的存储元件组MC1至MCn中，从上次写入操作已经过去很长时间。如果存储元件组MC1至MCn中存储元件的放电基本上以相同的速度进行，包含许多超过电荷量阈值并且在读出操作中产生错误的存储元件的可能性高。
可选地，超过预定数量的电荷量阈值的存储元件的数量可以用作错误产生量的判据。举例来说，在4-值存储元件的情况中，对其中超过多个电荷量阈值的存储元件的数量大于预定阈值的存储元件组MC1至MCn实施刷新操作。
很少发生超过多个电荷量阈值的情况。但是，这种存储元件组MC1至MCn从上次写入操作具有长的时间段。如果存储元件组MC1至MCn中存储元件的放电基本上以相同的速度进行，则包含许多超过电荷量阈值并且在读出操作中产生错误的存储元件的可能性高。
可选地，纠正历史存储单元EL1至ELn存储信息的容量可以用作错误产生量的判据。尤其是在存储单元M1至Mn中共享纠正历史存储单元EL的情况中，如在第三实施方案中，即使在存储元件组MC1至MCn中观察到的错误数量少时，纠正历史存储单元EL也可能超过存储容量。
在此情况下，要刷新的存储元件组MC1至MCn可以任意选自共享纠正历史存储单元EL的存储元件组。但是，可以对具有最大数量的存储纠错历史的存储元件组实施刷新操作，并且擦除相应的纠正历史。因此，可以维持存储在具有许多错误的存储元件组中的信息的可靠性，并且可以适当地增加纠正历史存储单元EL的存储区域。
接下来，说明通过根据第四实施方案的存储介质再现设备1100实施的存储介质再现操作。图12是根据第四实施方案的存储介质再现操作的流程图。
步骤S1201至步骤S1205中的信息读出过程与信息纠正过程与在第一实施方案的存储介质再现设备100中实施步骤S601至步骤S605相同，因此不重复其解释。
在纠正单元103使用纠错码纠正了信息后(步骤S1205)后，刷新控制单元1104判定纠正历史存储单元EL1至ELn中记录的纠正历史的数量是否大于预定的阈值(步骤S1206)。
如果纠正历史的数量大于预定的阈值(步骤S1206中“是”)，刷新控制单元1104对已经从中读出信息的存储单元组实施刷新操作，并且擦除纠正历史存储单元EL1至ELn中的纠正历史(步骤S1208)。
如果纠正历史的数量不大于预定的阈值(步骤S1206中“否”)，纠正单元103记录元件ID和纠正内容作为纠正历史存储单元Elk中的纠正历史(步骤S1207)。
步骤S1209和步骤S1210的信息输出过程与在第一实施方案的存储介质再现设备100中实施的步骤S607和步骤S608中的过程相同，因此此处不重复其解释。
尽管使用纠正历史的数量作为图12中的错误产生量，但是也可以根据由使用纠错码新纠正的存储元件的数量代表的错误产生量，超过预定数量的电荷量阈值的存储元件的数量，或者纠正历史存储单元EL1至ELn的信息存储容量来判定是否需要刷新操作。
如上所述，在根据第四实施方案的存储介质再现设备中，当错误产生量超过预定的阈值时，对存储元件实施刷新操作。这种刷新操作可以减少错误产生，并且因此可以减少纠正操作中所需的计算量。
第一至第四实施方案的存储介质再现设备中要执行的存储介质再现程序被事先结合入例如ROM(只读存储器)的存储器中。
第一至第四实施方案的存储介质再现设备中要执行的存储介质再现程序可以以可安装的格式，或者以记录在计算机可读的记录介质(例如CD-ROM(高密度磁盘只读存储器)、软盘(FD)、CD-R(可刻录高密度盘)或者DVD(数字通用盘))上的可执行文件存在。
第一至第四实施方案的存储介质再现设备中要执行的存储介质再现程序可以存储在与例如因特网的网络连接的计算机中。第一至第四实施方案的存储介质再现设备中要执行的存储介质再现程序也可以借助例如因特网的网络提供或发布。
第一至第四实施方案的存储介质再现设备中要执行的存储介质再现程序具有包括上述组件(控制单元、纠正历史实现单元、纠正单元和刷新单元)的模块结构。在实际硬件中，CPU(中央处理器)从ROM中读出存储介质再现程序，并且执行所述存储介质再现程序。因此，上述组件可以被载入并且在主存储器中产生。
对于本领域技术人员将容易发生其它优点和修改。因此，本发明在其广义方面上不局限本文所表示和说明的具体细节和代表性实施方案。因此，可以做出许多修改而不会背离由附加权利要求及其等价物所定义的一般性发明概念的精神或范围。
权利要求
1.一种存储介质再现设备，包括存储单元，其包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元，以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元；纠正历史存储单元，存储纠正历史，该纠正历史包含用于识别在信息存储单元当中使用纠错码对其实施纠正操作的信息存储单元的识别信息，以及纠正内容；纠正历史实现单元，当从通过识别信息识别的信息存储单元中读出信息时，按照存储在纠正历史存储单元中的纠正内容纠正信息；以及纠正单元，使用纠错码对被纠正的信息实施纠正操作，并且在纠正历史存储单元中记录包含使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息和纠正内容的纠正历史。
2.根据权利要求1的存储介质再现设备，其中当纠正由于信息存储单元中积累的电荷的释放而产生的信息错误时，所述纠正单元在纠正历史存储单元中存储纠正的信息存储单元的识别信息和纠正内容。
3.根据权利要求1的存储介质再现设备，其中在所述纠正历史存储单元中存储存储单元中包含的所有信息存储单元的纠正历史。
4.根据权利要求1的存储介质再现设备，进一步包括判定表示错误产生程度的错误产生量是否超过预定第一阀值的刷新控制单元，并且当所述错误产生量超过第一阈值时，所述刷新控制单元实施刷新操作，从而维持信息存储单元中的电荷量在正常的值。
5.根据权利要求4的存储介质再现设备，其中所述刷新控制单元判定存储在纠正历史存储单元中的纠正历史的数量是否超过预定的第二阈值，并且当所述纠正历史的数量超过所述第二阈值时，刷新控制单元实施刷新操作。
6.根据权利要求4的存储介质再现设备，其中所述刷新控制单元判定使用纠错码通过纠正单元纠正的信息存储单元的数量是否超过预定的第三阈值，并且当信息存储单元的数量超过所述第三阈值时，刷新控制单元实施刷新操作。
7.根据权利要求4的存储介质再现设备，其中所述刷新控制单元判定电荷量超过预定数量的阈值的信息存储单元的数量是否超过预定的第四阈值，并且当所述信息存储单元的数量超过所述第四阈值时，刷新控制单元实施刷新操作。
8.根据权利要求4的存储介质再现设备，其中所述刷新控制单元判定纠正历史存储单元的信息存储容量是否超过预定的第五阈值，并且当所述信息存储容量超过所述第五阈值时，刷新控制单元实施刷新操作。
9.一种存储介质再现方法，包括按照存储在存储纠正历史的纠正历史存储单元中的纠正内容，纠正从由识别信息识别出的信息存储单元中读出的信息，所述纠正历史包括纠正内容和用于在多个信息存储单元当中识别使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息，每个信息存储单元根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息；以及使用纠错码对被纠正的信息实施纠正操作，并且在纠正历史存储单元中记录包括纠正内容和使用纠错码纠正的信息存储单元识别信息的纠正历史。
全文摘要
存储介质再现设备，包括存储单元、纠正历史存储单元、纠正历史实现单元和纠正单元。存储单元包括根据电荷量是否大于预定电荷量阈值而存储信息的多个信息存储单元，以及为存储在多个信息存储单元中的信息存储纠错码的纠错码存储单元。纠正历史存储单元存储包含用于使用纠错码纠正的信息存储单元的识别信息以及纠正内容的纠正历史。当从信息存储单元中读出信息时，纠正历史实现单元按照纠正内容纠正信息。纠正单元使用纠错码对纠正的信息实施纠正操作，并且记录纠正的信息存储单元的纠正历史。
文档编号G11C11/56GK1936852SQ20061007156
公开日2007年3月28日 申请日期2006年3月30日 优先权日2005年9月20日
发明者菅野伸一 申请人:株式会社东芝